[發明專利]一種柔性復合基板薄膜的制備方法在審
| 申請號： | 201910744368.1 | 申請日： | 2019-08-13 |
| 公開（公告）號： | CN110581059A | 公開（公告）日： | 2019-12-17 |
| 發明（設計）人： | 孫玉俊 | 申請（專利權）人： | 福建華佳彩有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 35214 福州市博深專利事務所(普通合伙) | 代理人： | 柯玉珊 |
| 地址： | 351100 福*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 復合基板 納米材料 片層結構 薄膜 摻雜 聚合物電介質 耐熱穩定性 水氧阻隔性 薄膜表面 摻雜材料 電路走線 老化性能 柔性基板 柔性面板 無機材料 光滑性 抗磨損 顆粒狀 耐高溫 耐磨損 平坦化 平整度 短路 斷線 劃傷 基板 減小 水氧 制備 曲折 | ||
1.一種柔性復合基板薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟一：將片層的納米材料加入有機溶劑中均勻混合，得到第一混合溶液；
步驟二：將步驟一得到的第一混合溶液加入聚合物溶液中均勻混合，得到第二混合溶液；
步驟三：提供一承載基板，將步驟二得到的第二混合溶液涂覆在所述承載基板上，得到柔性復合基板薄膜半成品；
步驟四：將步驟三得到的柔性復合薄膜半成品進行加熱烘烤處理，得到柔性復合基板薄膜成品。
2.根據權利要求1所述的柔性復合基板薄膜的制備方法，其特征在于，步驟一具體為：
將片層的納米材料加入有機溶劑中進行超聲波處理，得到第一混合溶液；
所述納米材料與所述有機溶劑的質量比為0.2-2，進行超聲波處理所用的時間為30-60min。
3.根據權利要求1所述的柔性復合基板薄膜的制備方法，其特征在于，步驟二具體為：
將步驟一得到的第一混合溶液加入聚合物溶液中進行超聲波處理，得到第二混合溶液；
所述第一混合溶液與所述聚合物溶液的質量比為0.1-1，進行超聲波處理所用的時間為30-120min。
4.根據權利要求1所述的柔性復合基板薄膜的制備方法，其特征在于，步驟三具體為：
提供一承載基板，通過流延工藝將步驟二得到的第二混合溶液涂覆在所述承載基板上，得到柔性復合基板薄膜半成品。
5.根據權利要求1所述的柔性復合基板薄膜的制備方法，其特征在于，步驟四具體為：
將步驟三得到的柔性復合薄膜半成品在60℃的溫度下預熱0.5-2h后，在100℃的溫度下加熱烘干2-5h，得到柔性復合基板薄膜成品。
6.根據權利要求1所述的柔性復合基板薄膜的制備方法，其特征在于，所述納米材料為二硫化鉬或六方氮化硼，所述有機溶劑為氮-甲基吡咯烷酮溶劑。
7.根據權利要求1所述的柔性復合基板薄膜的制備方法，其特征在于，所述聚合物溶液為聚酰亞胺溶液。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
