[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910743566.6 | 申請(qǐng)日: | 2019-08-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110571246A | 公開(公告)日: | 2019-12-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 閆瑩 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32 |
| 代理公司: | 44300 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 開孔 像素定義層 陣列基板 擋墻 基板 顯示裝置 制備 非發(fā)光區(qū) 墨水混色 有效減少 發(fā)光區(qū) | ||
本發(fā)明公開了一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置,陣列基板包括基板;像素定義層,設(shè)于所述基板上,所述像素定義層中包括開孔和圍繞所述開孔的擋墻,其中所述擋墻對(duì)應(yīng)非發(fā)光區(qū),所述開孔對(duì)應(yīng)發(fā)光區(qū);相鄰兩個(gè)開孔之間的所述擋墻遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)設(shè)有的凹槽。本發(fā)明的有益效果在于陣列基板及其制備方法、顯示裝置通過在像素定義層的開孔之間的擋墻上開設(shè)凹槽來有效減少墨水混色帶來的顯示不良。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域,特別涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術(shù)
AMOLED(英語:Active-matrix organic light-emitting diode,中譯:有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體或主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極體)是一種顯示屏技術(shù)。其中OLED(有機(jī)發(fā)光二極體)是描述薄膜顯示技術(shù)的具體類型:有機(jī)電激發(fā)光顯示;AM(有源矩陣體或稱主動(dòng)式矩陣體)是指背后的像素尋址技術(shù)。目前AMOLED技術(shù)主要用于智能手機(jī),并繼續(xù)朝低功耗、低成本、大尺寸方向發(fā)展。
如圖1所示,噴墨打印技術(shù)在AMOLED顯示器件有機(jī)功能層的制備中,應(yīng)用前景較好。噴墨打印技術(shù)是將溶有OLED材料的墨水直接滴涂到預(yù)先制作好的像素定義層中,待溶劑揮發(fā)后形成所需圖案。所述像素定義層包括堤壩、以及由堤壩圍攏成的多個(gè)陣列排布的凹槽,所述凹槽由用來限制住墨水,通過干燥烘烤后,墨水收縮在該凹槽限制的范圍內(nèi)形成薄膜。
隨著顯示面板的分辨率提高,像素設(shè)計(jì)也越來越小,這就對(duì)應(yīng)噴墨打印的精度要求越來越高,打印的精度及墨滴量越來越難控制。而目前打印的精度需要位置,液滴大小及液滴的數(shù)量的準(zhǔn)確優(yōu)化,才可打出需要的基板,而這些如果調(diào)整不佳,則有可能產(chǎn)生橋接(bridge)的現(xiàn)象發(fā)生。相鄰的像素的墨水從像素定義層的凹槽中溢出(overflow)而搭接在一起,造成顯示不良現(xiàn)象發(fā)生。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題,本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置用以解決現(xiàn)有技術(shù)中由于噴墨打印技術(shù)中墨水滴落位置不佳而產(chǎn)生的“橋接”現(xiàn)象。
解決上述問題的技術(shù)方案是:本發(fā)明提供了一種陣列基板,包括發(fā)光區(qū)和圍繞所述發(fā)光區(qū)的非發(fā)光區(qū),還包括基板;像素定義層,設(shè)于所述基板上,所述像素定義層中包括開孔和圍繞所述開孔的擋墻,其中所述擋墻對(duì)應(yīng)非發(fā)光區(qū),所述開孔對(duì)應(yīng)發(fā)光區(qū);相鄰兩個(gè)開孔之間的所述擋墻遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)設(shè)有的凹槽。
進(jìn)一步的,所述擋墻遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)為外凸的弧形、外凸的錐形、外凸棱形中的一種,所述凹槽設(shè)于所述擋墻遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)的中間位置。
進(jìn)一步的,所述凹槽的開口寬度在20~50微米之間,所述凹槽的開口深度為0.5~1微米。
進(jìn)一步的,任一所述開孔內(nèi)均設(shè)有像素層,所述像素層包括紅色像素層、綠色像素層和藍(lán)色像素層。
進(jìn)一步的,所述像素定義層的材料為疏水疏油材料。
本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制備方法,所述陣列基板包括發(fā)光區(qū)和圍繞所述發(fā)光區(qū)的非發(fā)光區(qū),包括提供一基板;像素定義層制備步驟:在所述基板上形成像素定義層,在所述像素定義層對(duì)應(yīng)所述發(fā)光區(qū)開設(shè)開孔,所述開孔貫穿所述像素定義層;開槽步驟:相鄰所述開孔之間的所述像素定義層形成擋墻,在所述擋墻遠(yuǎn)離所述基板一側(cè)開設(shè)凹槽。
進(jìn)一步的,所述擋墻遠(yuǎn)離所述基板一側(cè)形成有外凸圓弧表面。
進(jìn)一步的,在所述像素定義層制備步驟中,采用狹縫掩膜板制備所述外凸圓弧表面。
進(jìn)一步的,在所述開槽步驟中,采用半色調(diào)掩膜板在所述擋墻上開設(shè)所述凹槽。
本發(fā)明還提供了一種顯示裝置,包括所述陣列基板。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于深圳市華星光電技術(shù)有限公司,未經(jīng)深圳市華星光電技術(shù)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910743566.6/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:顯示面板及其制作方法
- 下一篇:顯示面板和顯示裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





