[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910743566.6 | 申請(qǐng)日: | 2019-08-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110571246A | 公開(公告)日: | 2019-12-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 閆瑩 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32 |
| 代理公司: | 44300 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 開孔 像素定義層 陣列基板 擋墻 基板 顯示裝置 制備 非發(fā)光區(qū) 墨水混色 有效減少 發(fā)光區(qū) | ||
1.一種陣列基板,包括發(fā)光區(qū)和圍繞所述發(fā)光區(qū)的非發(fā)光區(qū),其特征在于,還包括
基板;
像素定義層,設(shè)于所述基板上,所述像素定義層中包括開孔和圍繞所述開孔的擋墻,其中所述擋墻對(duì)應(yīng)非發(fā)光區(qū),所述開孔對(duì)應(yīng)發(fā)光區(qū);
相鄰兩個(gè)開孔之間的所述擋墻遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)設(shè)有的凹槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述擋墻遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)為外凸的弧形、外凸的錐形、外凸棱形中的一種,所述凹槽設(shè)于所述擋墻遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)的中間位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,
所述凹槽的開口寬度在20~50微米之間,所述凹槽的開口深度為0.5~1微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,
任一所述開孔內(nèi)均設(shè)有像素層,所述像素層包括紅色像素層、綠色像素層和藍(lán)色像素層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,
所述像素定義層的材料為疏水疏油材料。
6.一種陣列基板的制備方法,所述陣列基板包括發(fā)光區(qū)和圍繞所述發(fā)光區(qū)的非發(fā)光區(qū),其特征在于,包括
提供一基板;
像素定義層制備步驟:在所述基板上形成像素定義層,在所述像素定義層對(duì)應(yīng)所述發(fā)光區(qū)開設(shè)開孔,所述開孔貫穿所述像素定義層;
開槽步驟:相鄰所述開孔之間的所述像素定義層形成擋墻,在所述擋墻遠(yuǎn)離所述基板一側(cè)開設(shè)凹槽。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板的制備方法,其特征在于,
所述擋墻遠(yuǎn)離所述基板一側(cè)形成有外凸圓弧表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板的制備方法,其特征在于,
在所述像素定義層制備步驟中,采用狹縫掩膜板制備所述外凸圓弧表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板的制備方法,其特征在于,
在所述開槽步驟中,采用半色調(diào)掩膜板在所述擋墻上開設(shè)所述凹槽。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求1-5中任意一項(xiàng)所述陣列基板。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





