[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910739040.0
• 申請(qǐng)日: 2019-08-12
• 公開（公告）號(hào): CN111682014A
• 公開（公告）日: 2020-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 下條亮平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社東芝;東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L25/07
• 分類號(hào): H01L25/07;H01L25/18
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 劉英華

實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置具備：上側(cè)電極板及下側(cè)電極板；及上述上側(cè)電極板與上述下側(cè)電極板之間的多個(gè)半導(dǎo)體元件。在上述上側(cè)電極板與第1半導(dǎo)體元件之間及上述上側(cè)電極板與第2半導(dǎo)體元件之間，分別配置有第1及第2金屬板。上述第1半導(dǎo)體元件配置于上述上側(cè)電極板的中央部與上述下側(cè)電極板的中央部之間。上述上側(cè)電極板包括與上述第1半導(dǎo)體元件電連接的第1上側(cè)極和與上述第2半導(dǎo)體元件電連接的第2上側(cè)極。上述第1半導(dǎo)體元件的厚度、上述第1金屬板的厚度及上述第1上側(cè)極的高度的合計(jì)是第1總長，上述第2半導(dǎo)體元件的厚度、上述第2金屬板的厚度及上述第2上側(cè)極的高度的合計(jì)即第2總長比上述第1總長更長。

關(guān)聯(lián)申請(qǐng)

本申請(qǐng)享受以日本專利申請(qǐng)2019－44004號(hào)(申請(qǐng)日：2019年3月11日)為基礎(chǔ)申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)。本申請(qǐng)通過參照該基礎(chǔ)申請(qǐng)而包括基礎(chǔ)申請(qǐng)的全部內(nèi)容。

技術(shù)領(lǐng)域

實(shí)施方式涉及半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

在電力控制用的半導(dǎo)體裝置中，有將MOSFET、IGBT(Insulated Gate bipolartransistor)、二極管等的半導(dǎo)體元件并排配置在2個(gè)電極板間的半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體元件，為了對(duì)在2個(gè)電極板間流動(dòng)的大電流進(jìn)行開關(guān)控制，例如被壓接并電連接于2個(gè)電極板。但是，在2個(gè)電極板間，高溫動(dòng)作時(shí)的熱的放散變得不均勻時(shí)，起因于各電極板內(nèi)的熱膨脹差，而對(duì)半導(dǎo)體元件施加的壓力產(chǎn)生不均勻。因此，在高溫動(dòng)作時(shí)半導(dǎo)體元件可能發(fā)生破壞，而使半導(dǎo)體裝置的可靠性降低。

發(fā)明內(nèi)容

實(shí)施方式提供使可靠性提高的半導(dǎo)體裝置。

實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置具備：上側(cè)電極板；下側(cè)電極板，與上述上側(cè)電極板對(duì)置；多個(gè)半導(dǎo)體元件，配置在上述上側(cè)電極板與上述下側(cè)電極板之間，與上述上側(cè)電極板及上述下側(cè)電極板并聯(lián)連接；以及多個(gè)金屬板，分別配置在上述上側(cè)電極板與上述多個(gè)半導(dǎo)體元件之間。上述上側(cè)電極板在上述下側(cè)電板極側(cè)包括多個(gè)上側(cè)極，上述多個(gè)上側(cè)極經(jīng)由上述多個(gè)金屬板而與上述多個(gè)半導(dǎo)體元件分別電連接。上述多個(gè)半導(dǎo)體元件包括：第1半導(dǎo)體元件，配置在上述上側(cè)電極板的中央部與上述下側(cè)電極板的中央部之間；第2半導(dǎo)體元件，與上述第1半導(dǎo)體元件相比配置于靠外側(cè)。上述多個(gè)金屬板包括第1金屬板及第2金屬板，上述第1金屬板配置于上述上側(cè)電極板與上述第1半導(dǎo)體元件之間，上述第2金屬板配置于上述上側(cè)電極板與上述第2半導(dǎo)體元件之間。上述多個(gè)上側(cè)極，包括：第1上側(cè)極，經(jīng)由上述上側(cè)電極板而與上述第1半導(dǎo)體元件電連接，具有沿著從上述上側(cè)電極板朝向上述下側(cè)電極板的第1方向的第1高度；和第2上側(cè)極，經(jīng)由上述上側(cè)電極板而與上述第2半導(dǎo)體元件電連接，具有沿著上述第1方向的第2高度。上述第1半導(dǎo)體元件的沿著上述第1方向的厚度、上述第1金屬板的沿著上述第1方向的厚度及上述上側(cè)極的上述第1高度的合計(jì)是第1總長。上述第2半導(dǎo)體元件的沿著上述第1方向的厚度、上述第2金屬板的沿著上述第1方向的厚度及上述第2上側(cè)極的上述第2高度的合計(jì)是第2總長，上述第2總長比上述第1總長更長。

附圖說明

圖1A及圖1B是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的示意圖。

圖2是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成要素的示意圖。

圖3是表示比較例的半導(dǎo)體裝置的示意圖。

圖4是表示實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成要素的示意圖。

圖5是表示實(shí)施方式的其他變形例的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成要素的示意圖。

圖6A及圖6B是表示實(shí)施方式的又其他的變形例的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成要素的示意圖。

圖7是表示實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置的示意圖。

具體實(shí)施方式