[發明專利]半導體裝置在審
| 申請號: | 201910739040.0 | 申請日: | 2019-08-12 |
| 公開(公告)號: | CN111682014A | 公開(公告)日: | 2020-09-18 |
| 發明(設計)人: | 下條亮平 | 申請(專利權)人: | 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社 |
| 主分類號: | H01L25/07 | 分類號: | H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 劉英華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置,具備:
上側電極板;
下側電極板,與上述上側電極板對置;
多個半導體元件,配置在上述上側電極板與上述下側電極板之間,與上述上側電極板及上述下側電極板并聯連接;以及
多個金屬板,分別配置在上述上側電極板與上述多個半導體元件之間,
上述上側電極板在上述下側電極板側包括多個上側極,上述多個上側極經由上述多個金屬板而與上述多個半導體元件分別電連接,
上述多個半導體元件包括:第1半導體元件,配置在上述上側電極板的中央部與上述下側電極板的中央部之間;和第2半導體元件,與上述第1半導體元件相比配置于靠外側;
上述多個金屬板包括第1金屬板及第2金屬板,上述第1金屬板配置于上述上側電極板與上述第1半導體元件之間,上述第2金屬板配置于上述上側電極板與上述第2半導體元件之間,
上述多個上側極,包括:第1上側極,經由上述上側電極板而與上述第1半導體元件電連接,具有沿著從上述上側電極板朝向上述下側電極板的第1方向的第1高度;和第2上側極,經由上述上側電極板而與上述第2半導體元件電連接,具有沿著上述第1方向的第2高度;
上述第1半導體元件的沿著上述第1方向的厚度、上述第1金屬板的沿著上述第1方向的厚度及上述第1上側極的第1高度的合計是第1總長,
上述第2半導體元件的沿著上述第1方向的厚度、上述第2金屬板的沿著上述第1方向的厚度及上述第2上側極的第2高度的合計是第2總長,
上述第2總長比上述第1總長更長。
2.如權利要求1所述的半導體裝置,
上述多個上側極具有相同的高度,
上述第1半導體元件,具有與上述第2半導體元件的上述第1方向上的厚度相同的上述第1方向的厚度,
上述第1金屬板具有沿著上述第1方向的第1厚度,
上述第2金屬板具有沿著上述第1方向的第2厚度,上述第2厚度比上述第1厚度更厚。
3.如權利要求2所述的半導體裝置,
還具備其他金屬板,該其他金屬板分別配置于上述下側電極板與上述多個半導體元件之間,
上述下側電極板具有多個下側極,該多個下側極分別經由上述其他金屬板而與上述多個半導體元件電連接。
4.如權利要求1所述的半導體裝置,
上述多個金屬板的材料具有比上述上側電極板的材料高的硬度。
5.如權利要求1所述的半導體裝置,
上述上側電極板包含銅或者鋁,
上述多個金屬板包含鉬。
6.如權利要求2所述的半導體裝置,
上述上側電極板具有第1表面、和位于上述第1表面的相反側的第2表面,
上述多個半導體元件位于上述上側電極板的第1表面側,
上述多個半導體元件還包括位于上述第1半導體元件與上述第2半導體元件之間的第3半導體元件,上述第1半導體元件~上述第3半導體元件在沿著上述上側電極板的上述第2表面的第2方向上排列,該第2方向是從上述上側電極板的中央朝向外緣的方向,
上述多個金屬板還包括第3金屬板,該第3金屬板位于上述上側電極板與上述第3半導體元件之間,具有沿著上述第1方向的第3厚度,
上述第3厚度,比上述第2金屬板的上述第2厚度薄,且與上述第1金屬板的上述第1厚度相同或者比上述第1厚度厚。
7.如權利要求1所述的半導體裝置,
上述多個上側極具有相同的上述高度,
上述第1金屬板,具有與上述第2金屬板的沿著上述第1方向的厚度大致相同的沿著上述第1方向的厚度,
上述第1半導體元件具有沿著從上述上側電極板朝向上述下側電極板的第1方向的第1厚度,
上述第2半導體元件具有沿著上述第1方向的第2厚度,上述第2厚度比上述第1厚度更厚。
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