[發明專利]半導體存儲裝置

有效

• 申請號: 201910738092.6
• 申請日: 2019-08-12
• 公開（公告）號: CN111613724B
• 公開（公告）日: 2023-10-27
• 發明（設計）人: 古橋弘亙
• 申請（專利權）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: H10B63/10
• 分類號: H10B63/10;H10N70/20;G11C13/00
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 賀月嬌;楊曉光

本發明涉及半導體存儲裝置。至少一個實施例提供了易于小型化的半導體存儲裝置。一種半導體存儲裝置包括第一導電層、第二導電層和設置在它們之間的第一硫屬元素層。第三導電層和第四導電層之間設置有第二硫屬元素層。第二硫屬元素層包含碲(Te)。當沿第一方向觀測到的第二硫屬元素層中的碲的組成比的最小值和最大值分別為第一最小值和第一最大值時，在比第二硫屬元素層的第一方向上的中心位置更靠近第三導電層的位置處觀測到第一最小值，并且在比第二硫屬元素層的第一方向上的中心位置更靠近第四導電層的位置處觀測到第一最大值。

相關申請的交叉引用

本申請基于并主張2019年2月22日提交的日本專利申請號2019-030962的優先權的權益，該申請的全部內容通過引用并入本文中。

技術領域

本文描述的實施例一般地涉及半導體存儲裝置。

背景技術

已知這樣的半導體存儲裝置：其包括第一導電層、在第一方向上與第一導電層分離的第二導電層、設置在第一導電層和第二導電層之間的硫屬元素層、以及連接到第一導電層和第二導電層的外圍電路。硫屬元素層包含鍺(Ge)、銻(Sb)、碲(Te)等。

發明內容

至少一個實施例提供了一種易于小型化的半導體存儲裝置。

一般而言，根據至少一個實施例，一種半導體存儲裝置包括第一導電層、在第一方向上與所述第一導電層分離的第二導電層、以及設置在所述第一導電層和所述第二導電層之間的第一硫屬元素層。所述半導體存儲裝置進一步包括第三導電層、在所述第一方向上與所述第三導電層分離的第四導電層、以及設置在所述第三導電層和所述第四導電層之間的第二硫屬元素層。進一步地，所述半導體存儲裝置包括連接到所述第一導電層和所述第二導電層的外圍電路。所述第三導電層和所述第四導電層未連接到所述外圍電路。所述第二硫屬元素層包含碲(Te)。當沿所述第一方向觀測到的所述第二硫屬元素層中碲的組成比(composition ratio)的最小值和最大值分別為第一最小值和第一最大值時，在比所述第二硫屬元素層的所述第一方向上的中心位置更靠近所述第三導電層的位置處觀測到所述第一最小值，并且在比所述第二硫屬元素層的所述第一方向上的中心位置更靠近所述第四導電層的位置處觀測到所述第一最大值。

附圖說明

圖1是示出根據至少一個實施例的半導體存儲裝置的一部分的配置的示意性電路圖。

圖2是示出半導體存儲裝置的一部分的配置的示意性透視圖。

圖3A和圖3B是存儲器單元(memory cell)MC的示意性剖視圖。

圖4A和圖4B是存儲器單元MC的示意性剖視圖。

圖5是示出存儲器單元MC的電流-電壓特性的示意性曲線圖。

圖6是示出硫屬元素層中元素的組成比的曲線圖。

圖7是示出硫屬元素層中元素的組成比的曲線圖。

圖8是示出根據至少一個實施例的半導體存儲裝置的配置示例的示意性平面圖。

圖9是示出配置示例的示意性剖視圖。

具體實施方式

接下來，將參考附圖詳細地描述根據至少一個實施例的半導體存儲裝置。以下實施例僅是示例，示出這些實施例并非為了限制本公開。

此外，在本說明書中，與襯底表面平行的預定方向被稱為X方向，與襯底表面平行且垂直于X方向的方向被稱為Y方向，垂直于襯底表面的方向被稱為Z方向。

此外，在本說明書中，沿預定平面的一方向被稱為第一方向，與第一方向相交并沿該預定平面的方向被稱為第二方向，與該預定平面相交的方向被稱為第三方向。第一方向、第二方向和第三方向可以對應于或不對應于X方向、Y方向和Z方向中的任一者。