[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910738092.6
• 申請日: 2019-08-12
• 公開（公告）號(hào): CN111613724B
• 公開（公告）日: 2023-10-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 古橋弘亙
• 申請（專利權(quán)）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號(hào): H10B63/10
• 分類號(hào): H10B63/10;H10N70/20;G11C13/00
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 賀月嬌;楊曉光

1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，包括：

第一導(dǎo)電層、在第一方向上與所述第一導(dǎo)電層分離的第二導(dǎo)電層、以及設(shè)置在所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層之間的第一硫?qū)僭貙樱?/p>

第三導(dǎo)電層、在所述第一方向上與所述第三導(dǎo)電層分離的第四導(dǎo)電層、以及設(shè)置在所述第三導(dǎo)電層和所述第四導(dǎo)電層之間的第二硫?qū)僭貙樱灰约?/p>

外圍電路，其連接到所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層，其中

所述第三導(dǎo)電層和所述第四導(dǎo)電層未連接到所述外圍電路，

所述第二硫?qū)僭貙影?Te)，并且

當(dāng)沿所述第一方向觀測到的所述第二硫?qū)僭貙又许诘慕M成比的最小值和最大值分別為第一最小值和第一最大值時(shí)，

在比所述第二硫?qū)僭貙拥乃龅谝环较蛏系闹行奈恢酶拷龅谌龑?dǎo)電層的位置處觀測到所述第一最小值，以及

在比所述第二硫?qū)僭貙拥乃龅谝环较蛏系闹行奈恢酶拷龅谒膶?dǎo)電層的位置處觀測到所述第一最大值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中

所述第一硫?qū)僭貙影冢约?/p>

當(dāng)沿所述第一方向觀測到的所述第一硫?qū)僭貙又许诘慕M成比的最小值和最大值分別為第二最小值和第二最大值時(shí)，

所述第二最大值和所述第二最小值之間的差小于所述第一最大值和所述第一最小值之間的差。

3.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，包括：

第一導(dǎo)電層、在第一方向上與所述第一導(dǎo)電層分離的第二導(dǎo)電層、以及設(shè)置在所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層之間的第一硫?qū)僭貙樱?/p>

第三導(dǎo)電層、在所述第一方向上與所述第三導(dǎo)電層分離的第四導(dǎo)電層、以及設(shè)置在所述第三導(dǎo)電層和所述第四導(dǎo)電層之間的第二硫?qū)僭貙樱灰约?/p>

外圍電路，其連接到所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層，其中

所述第三導(dǎo)電層和所述第四導(dǎo)電層未連接到所述外圍電路，

所述第二硫?qū)僭貙影R(Sb)，并且

當(dāng)沿所述第一方向觀測到的所述第二硫?qū)僭貙又袖R的組成比的最小值和最大值分別為第三最小值和第三最大值時(shí)，

在比所述第二硫?qū)僭貙拥乃龅谝环较蛏系闹行奈恢酶拷龅谒膶?dǎo)電層的位置處觀測到所述第三最小值，以及

在比所述第二硫?qū)僭貙拥乃龅谝环较蛏系闹行奈恢酶拷龅谌龑?dǎo)電層的位置處觀測到所述第三最大值。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中

所述第一硫?qū)僭貙影R，并且

當(dāng)沿所述第一方向觀測到的所述第一硫?qū)僭貙又袖R的組成比的最小值和最大值分別為第四最小值和第四最大值時(shí)，

所述第四最大值和所述第四最小值之間的差小于所述第三最大值和所述第三最小值之間的差。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中

所述第一硫?qū)僭貙雍退龅诙驅(qū)僭貙又械拿恳徽甙N(Ge)、銻(Sb)和碲(Te)。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中

所述第一硫?qū)僭貙雍退龅诙驅(qū)僭貙又械拿恳徽甙N(Ge)、銻(Sb)和碲(Te)。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中

所述第一硫?qū)僭貙雍退龅诙驅(qū)僭貙又械拿恳徽甙N(Ge)、銻(Sb)和碲(Te)。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中

所述第一硫?qū)僭貙雍退龅诙驅(qū)僭貙又械拿恳徽甙N(Ge)、銻(Sb)和碲(Te)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中

所述第一導(dǎo)電層和所述第三導(dǎo)電層設(shè)置在同一布線層中，

所述第二導(dǎo)電層和所述第四導(dǎo)電層設(shè)置在同一布線層中，并且

在寫入操作或讀取操作中的至少一者中，所述第一導(dǎo)電層的電壓大于所述第二導(dǎo)電層的電壓。