[發明專利]一種防止側蝕的精細線路的制作方法有效
| 申請號： | 201910737646.0 | 申請日： | 2019-08-12 |
| 公開（公告）號： | CN110571157B | 公開（公告）日： | 2020-12-18 |
| 發明（設計）人： | 楊斌;崔成強;李潮;匡自亮;雷珍南 | 申請（專利權）人： | 廣東佛智芯微電子技術研究有限公司;廣東芯華微電子技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/48 | 分類號： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 廣州知順知識產權代理事務所(普通合伙) 44401 | 代理人： | 彭志堅 |
| 地址： | 528225 廣東省佛山市獅山鎮南海*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 防止 精細 線路 制作方法 | ||
1.一種防止側蝕的精細線路的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1：提供芯片，將芯片經塑封料塑封后形成塑模板件；
S2：利用芯片偏移量(die shift)AOI設備測量芯片偏移量，然后采用真空濺射設備在塑模板件芯片正面朝上的一面依次濺射第一金屬種子層和第二金屬種子層；
S3：在第二金屬種子層的表面貼感光干膜，結合S2中測量的芯片偏移量修正曝光參數，然后經過顯影處理，得到凹槽；
S4：在凹槽中電鍍與第二金屬種子層相同的材料以填充滿凹槽，并采用去膜液去除感光干膜，形成精細線路；
S5：采用真空濺射設備在精細線路的表面再濺射一層第三金屬種子層，使得精細線路的表面和側壁均附著有第三金屬種子層；
S6：采用干蝕刻法蝕刻掉水平方向上的第三金屬種子層，再采用濕法閃蝕刻掉底部的第一金屬種子層和第二金屬種子層。
2.如權利要求1所述的防止側蝕的精細線路的制作方法，其特征在于：S2中，所述第一金屬種子層為Ti層、Ni層、Al層、或Pd層。
3.如權利要求1所述的防止側蝕的精細線路的制作方法，其特征在于：S2中，所述第一金屬種子層厚度為0.1nm-10um。
4.如權利要求1所述的防止側蝕的精細線路的制作方法，其特征在于：S2中，所述第二金屬種子層為Cu層、Ag層、Al層或Au層。
5.如權利要求1所述的防止側蝕的精細線路的制作方法，其特征在于：S2中，所述第二金屬種子層厚度為0.1nm-10um。
6.如權利要求1所述的防止側蝕的精細線路的制作方法，其特征在于：S4中，采用的去膜法為有機加無機去膜法或有機加熔融去膜法。
7.如權利要求1所述的防止側蝕的精細線路的制作方法，其特征在于：S5中，所述第三金屬種子層與所述第一金屬種子層的結構和材料相同。
8.如權利要求1所述的防止側蝕的精細線路的制作方法，其特征在于：S2和S5中，濺射的溫度控制在150℃以下。
9.如權利要求1所述的防止側蝕的精細線路的制作方法，其特征在于：S6中，濕法閃蝕刻使用的閃蝕液為H2SO4-H2O2蝕刻液。
10.如權利要求1所述的防止側蝕的精細線路的制作方法，其特征在于：S2中，所述第一金屬種子層與所述第二金屬種子層的結構和材料不同。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
