[發明專利]一種類金剛石涂層的退膜處理裝置及其使用方法

在審

• 申請號: 201910736995.0
• 申請日: 2019-08-10
• 公開（公告）號: CN110423994A
• 公開（公告）日: 2019-11-08
• 發明（設計）人: 黃仕江;蔣源;袁明
• 申請（專利權）人: 上海妙殼新材料科技有限公司
• 主分類號: C23C16/02
• 分類號: C23C16/02;C23C16/27;C23G5/00;B08B3/12
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本發明公開了一種類金剛石涂層的退膜處理裝置及其使用方法，所述真空腔的上端插接有左右兩個深入到真空腔內的電極，且兩個電極的內端連接有燈絲，兩個電極的外端之間通過燈絲電源連接，所述工件臺上設置有基體，且轉軸與真空腔之間設置有偏壓電源，所述真空腔上分別開設有氬氣進入口、氧氣進入口和氫氣進入口，且真空腔上開設有抽氣口。其使用方法，包括以下步驟：S1基礎設定、S2偏壓電源設定、S3氣體通入設定和S4清洗。在偏壓電源的作用下，兩個電極電離內部的氫氣，產生活化態的氫離子，刻蝕類金剛石涂層，同時，還能保證底層和過渡層的存在，不會損壞帶內部的工件，在氫氣的擠出上，氬氣能增加刻蝕速度，氧氣也能加速刻蝕。

技術領域

本發明涉及類金剛石退膜技術領域，具體為一種類金剛石涂層的退膜處理裝置及其使用方法。

背景技術

在涂層中，為了重復使用工具和模具，涂層的退膜處理變得很重要。尤其是WC的硬質合金材料退膜處理，帶來了很大困難，特別是DLC(類金剛石)的退膜處理，至今沒有一個好的方法來解決問題，DLC由于其良好的物理穩定性，和不導電性，使用化學藥水和反向電鍍，多數沒有效果，即使有一定的效果，對基材的性能影響很大，而且處理后帶來的環境問題很大。本發明采用了熱絲H(氫)等離子蝕刻方式，可以均勻和有效的去除DLC薄膜或者涂層，而不損壞工模具基體，處理速度1微米/小時。

發明內容

本發明的目的在于提供一種類金剛石涂層的退膜處理裝置及其使用方法，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：一種類金剛石涂層的退膜處理裝置，包括真空腔以及與真空腔固定的轉軸，所述轉軸上端固定有位于真空腔內的工件臺，所述真空腔的上端插接有左右兩個深入到真空腔內的電極，且兩個電極的內端連接有燈絲，兩個電極的外端之間通過燈絲電源連接，所述工件臺上設置有基體，且轉軸與真空腔之間設置有偏壓電源，所述真空腔上分別開設有氬氣進入口、氧氣進入口和氫氣進入口，且真空腔上開設有抽氣口。

其使用方法，包括以下步驟：

S1：基礎設定：所述燈絲的功率3.5～4.5kw,溫度200～500℃，氣壓900～1100Pa；

S2：偏壓電源設定：所述偏壓電源的電壓為30～50v，電流為30～60A；

S3：氣體通入設定：真空腔工作后，通入氫氣，時間為20～90min；

S4：清洗：結束之后進行清洗，以備再次鍍膜。

優選的，所述步驟S3中，氫氣的通入量為400～1200scm，還可以向其中通入氬氣，氫氣和氬氣的比列為20:1～20:4。

優選的，還可以在步驟S3的處理前期通入氧氣，氧氣的流量為400～500scm。

優選的，所述步驟S4中的清洗為超聲波清洗。

與現有技術相比，本發明的有益效果是：

1、在偏壓電源的作用下，兩個電極電離內部的氫氣，產生活化態的氫離子，刻蝕類金剛石涂層，同時，還能保證底層和過渡層的存在，不會損壞帶內部的工件；

2、在氫氣的擠出上，氬氣能增加刻蝕速度，氧氣也能加速刻蝕。

附圖說明

圖1為本發明的結構示意圖。

圖中：1電極、2燈絲、3燈絲電源、4基體、5工件臺、6偏壓電源。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。