[發明專利]半導體裝置和包含該半導體裝置的半導體封裝件

在審

• 申請號: 201910736321.0
• 申請日: 2019-08-09
• 公開（公告）號: CN110858567A
• 公開（公告）日: 2020-03-03
• 發明（設計）人: 尹俊浩;金潤圣;金尹熙;裴秉文;沈賢洙;崔仲浩
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/544;H01L21/78
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張青

提供了一種半導體裝置和一種半導體封裝件。所述半導體裝置包括：襯底，其包括半導體芯片區域和圍繞所述半導體芯片區域的劃線區域；絕緣膜，其設置在所述襯底上的所述半導體芯片區域和所述劃線區域上方，并且包括第一表面、與所述第一表面相對的第二表面、連接所述第一表面和所述第二表面的第三表面，以及與所述第三表面相對并連接所述第一表面和所述第二表面的第四表面；以及開口部分，其形成在所述絕緣膜的所述第二表面和所述絕緣膜的所述第四表面上以暴露所述襯底，其中，所述開口部分形成在所述劃線區域中，并且其中所述絕緣膜的所述第一表面和所述絕緣膜的所述第三表面不包括暴露所述襯底的開口部分。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2018年08月24日向韓國知識產權局提交的申請號為10-2018-0098968的韓國專利申請的優先權，其公開內容通過引用整體并入本文。

技術領域

與本發明構思的示例性實施例一致的設備和方法涉及半導體裝置和包括該半導體裝置的半導體封裝件。

背景技術

近來，半導體裝置已經小型化并且性能得到改善。因此，低介電常數絕緣膜可用于半導體裝置。

在為了封裝而切割半導體裝置的情況下，物理應力可被施加到半導體裝置。為了防止這種物理應力，可以將低介電常數絕緣膜用于半導體裝置。然而，當使用低介電常數絕緣膜時，設置在低介電常數絕緣膜下的布線可能發生剝離現象。

發明內容

本發明構思的示例性實施例通過以下改進的方法提供半導體裝置制造，即，僅在襯底上的半導體裝置的有限數量的側表面上形成開口部分。

然而，本發明構思不限于本文闡述的實施例。通過參照下面給出的詳細描述，本發明構思所屬領域的普通技術人員將清楚本發明構思的各種其他實施例。

根據一些示例性實施例，提供了一種半導體裝置，其可包括：襯底，其包括半導體芯片區域和圍繞半導體芯片區域的劃線區域；絕緣膜，其設置在襯底上的半導體芯片區域和劃線區域上方，并且包括第一表面、與第一表面相對的第二表面、連接第一表面和第二表面的第三表面以及與第三表面相對并連接第一表面和第二表面的第四表面；以及開口部分，其形成在絕緣膜的第二表面和絕緣膜的第四表面上以暴露襯底，其中，開口部分形成在劃線區域中，并且絕緣膜的第一表面和絕緣膜的第三表面不包括暴露襯底的開口部分。

根據一些示例性實施例，提供了一種半導體裝置，其可包括：襯底，其包括半導體芯片區域和圍繞半導體芯片區域的劃線區域；絕緣膜，其設置在襯底上的半導體芯片區域和劃線區域上方，并且包括第一表面、與第一表面相對的第二表面、連接第一表面和第二表面的第三表面以及與第三表面相對并連接第一表面和第二表面的第四表面；以及鈍化膜，其設置在絕緣膜上并布置在半導體芯片區域和劃線區域上方，其中，絕緣膜的第一表面由絕緣膜的第一部分和絕緣膜的第二部分限定，絕緣膜的第一部分位于劃線區域中、從鈍化膜突出并具有第一寬度，并且絕緣膜的第二部分位于劃線區域中、從鈍化膜突出并具有小于第一寬度的第二寬度，并且絕緣膜的第二表面由絕緣膜的第三部分限定，絕緣膜的第三部分位于劃線區域中、從鈍化膜突出并具有小于第一寬度的第三寬度。

根據本發明構思的一些實施例，提供了一種半導體封裝件，其可以包括：襯底，其具有四個側表面；半導體芯片，其形成在襯底的上表面上；以及絕緣膜，其包圍半導體芯片并具有四個側表面，其中，在半導體裝置的平面圖中，絕緣膜的四個側表面中只有兩個側表面暴露襯底的上表面，而絕緣膜的四個側表面中的另外兩個側表面在同一平面上分別連接到襯底的四個側表面中的兩個側表面。

附圖說明

通過參照附圖詳細描述本發明構思的示例性實施例，本發明構思的上述和其他方面和特征將變得顯而易見，其中：

圖1是示出在切割襯底之前在其上集成有根據一些實施例的半導體裝置的襯底的圖；

圖2是圖1的區域K的放大視圖；