[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置和包含該半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體封裝件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910736321.0 | 申請(qǐng)日： | 2019-08-09 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN110858567A | 公開（公告）日： | 2020-03-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 尹俊浩;金潤(rùn)圣;金尹熙;裴秉文;沈賢洙;崔仲浩 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/31 | 分類號(hào)： | H01L23/31;H01L23/544;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人： | 趙南;張青 |
| 地址： | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 包含 封裝 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
襯底，其包括半導(dǎo)體芯片區(qū)域和圍繞所述半導(dǎo)體芯片區(qū)域的劃線區(qū)域；
絕緣膜，其設(shè)置在所述襯底上的所述半導(dǎo)體芯片區(qū)域和所述劃線區(qū)域上方，并且包括第一表面、與所述第一表面相對(duì)的第二表面、連接所述第一表面和所述第二表面的第三表面以及與所述第三表面相對(duì)并連接所述第一表面和所述第二表面的第四表面；以及
開口部分，其形成在所述絕緣膜的所述第二表面和所述絕緣膜的所述第四表面上以暴露所述襯底，
其中，所述開口部分形成在所述劃線區(qū)域中，并且
其中，所述絕緣膜的所述第一表面和所述絕緣膜的所述第三表面不包括暴露所述襯底的開口部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括鈍化膜，所述鈍化膜設(shè)置在所述絕緣膜上并且布置在所述半導(dǎo)體芯片區(qū)域和所述劃線區(qū)域上方，
其中，所述絕緣膜的所述第一表面由所述絕緣膜的第一部分和所述絕緣膜的第二部分限定，所述絕緣膜的所述第一部分位于所述劃線區(qū)域中、從所述鈍化膜突出并具有第一寬度，并且所述絕緣膜的所述第二部分位于所述劃線區(qū)域中、從所述鈍化膜突出并具有小于所述第一寬度的第二寬度，并且
其中，所述絕緣膜的所述第二表面由所述絕緣膜的第三部分限定，所述絕緣膜的所述第三部分位于所述劃線區(qū)域中、從所述鈍化膜突出并具有小于所述第一寬度的第三寬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述絕緣膜的所述第三表面由所述絕緣膜的第四部分和所述絕緣膜的第五部分限定，
所述絕緣膜的所述第四部分位于所述劃線區(qū)域中、從所述鈍化膜突出并具有第四寬度，并且
所述絕緣膜的所述第五部分位于所述劃線區(qū)域中、從所述鈍化膜突出并具有小于所述第四寬度的第五寬度，并且
其中，所述絕緣膜的所述第四表面由所述絕緣膜的第六部分限定，所述絕緣膜的所述第六部分位于所述劃線區(qū)域中、從所述鈍化膜突出并具有小于所述第四寬度的第六寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第三寬度小于所述第四寬度，并且所述第六寬度小于所述第一寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：
第一對(duì)準(zhǔn)鍵，其設(shè)置在所述絕緣膜的所述第一表面上；和
第二對(duì)準(zhǔn)鍵，其設(shè)置在所述絕緣膜的所述第三表面上，
其中，所述第二寬度和所述第一對(duì)準(zhǔn)鍵的寬度之和與所述第一寬度相同，并且
其中，所述第五寬度和所述第二對(duì)準(zhǔn)鍵的寬度之和與所述第四寬度相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，還包括布置在所述絕緣膜的所述第一表面上的對(duì)準(zhǔn)鍵，
其中，所述第二寬度和所述對(duì)準(zhǔn)鍵的寬度之和與所述第一寬度相同。
7.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
襯底，其包括半導(dǎo)體芯片區(qū)域和圍繞所述半導(dǎo)體芯片區(qū)域的劃線區(qū)域；
絕緣膜，其設(shè)置在所述襯底上的所述半導(dǎo)體芯片區(qū)域和所述劃線區(qū)域上方，并且包括第一表面、與所述第一表面相對(duì)的第二表面、連接所述第一表面和所述第二表面的第三表面以及與所述第三表面相對(duì)并連接所述第一表面和所述第二表面的第四表面；以及
鈍化膜，其設(shè)置在所述絕緣膜上并布置在所述半導(dǎo)體芯片區(qū)域和所述劃線區(qū)域上方，
其中，所述絕緣膜的所述第一表面由所述絕緣膜的第一部分和所述絕緣膜的第二部分限定，所述絕緣膜的所述第一部分位于所述劃線區(qū)域中、從所述鈍化膜突出并具有第一寬度，并且所述絕緣膜的所述第二部分位于所述劃線區(qū)域中、從所述鈍化膜突出并具有小于所述第一寬度的第二寬度，并且
其中，所述絕緣膜的所述第二表面由所述絕緣膜的第三部分限定，所述絕緣膜的所述第三部分位于所述劃線區(qū)域中、從所述鈍化膜突出并具有小于所述第一寬度的第三寬度。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，還包括開口部分，其形成在所述絕緣膜的所述第二表面和所述絕緣膜的所述第四表面上以暴露所述襯底。
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