[發明專利]一種潔凈室

在審

• 申請號: 201910736090.3
• 申請日: 2019-08-09
• 公開（公告）號: CN110439332A
• 公開（公告）日: 2019-11-12
• 發明（設計）人: 李傳琰;李鵬;王江標;張欣賞;盛受文;肖紅梅
• 申請（專利權）人: 世源科技工程有限公司;中國電子工程設計院有限公司
• 主分類號: E04H5/02
• 分類號: E04H5/02;E04H1/12;F24F7/08;F24F3/16;F24F13/02;F24F11/89
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 劉紅彬

本申請涉及潔凈廠房技術領域，公開了一種潔凈室，包括調壓設備組件用于調節上技術夾層雙墻夾道內氣壓，以使潔凈室正常生產時使上技術夾層雙墻夾道內的氣壓高于與其相鄰的帶污染源上技術夾層和無污染源上技術夾層內的氣壓；和/或；調壓設備組件用于調節下技術夾層雙墻夾道內氣壓，使潔凈室正常生產時使下技術夾層雙墻夾道內的氣壓高于與其相鄰的帶污染源下技術夾層和無污染源下技術夾層內的氣壓，或，使潔凈室正常生產時使下技術夾層雙墻夾道內的氣壓低于與其相鄰的帶污染源下技術夾層和無污染源下技術夾層內的氣壓。本申請公開的潔凈室，可以降低或避免帶污染源生產區產生的污染物進入到無污染源生產區中，以提高無污染源生產區中產品的良率。

技術領域

本申請涉及潔凈廠房技術領域，特別涉及一種潔凈室。

背景技術

隨著電子工業的主流產品半導體IC和顯示器件TFT-LCD工藝制程的高標準需求不斷提升，為了保障產品合格率，從而對潔凈室空氣質量要求越來越高；潔凈空氣分子污染物AMC對各生產工序工藝制程會產生一定的不良影響，影響產品良率。

例如：TFT-LCD生產廠房陣列曝光區Array Photo、彩膜曝光區CF Photo涂膠與烘烤生產工序，配向膜PI區PI涂布、烘烤、PI重工生產工序有機溶劑清洗過程產生的有機廢氣通過廢氣管道接至屋面沸石轉輪機組和蓄熱燃燒爐進行集中處理；但仍存在一部分揮發性有機物VOC遺留在上述產VOC生產工序的潔凈室內，對人體及制造環境均有一定的不良影響，尤其是某些生產工序(如液晶滴注ODF區)對VOC比較敏感，當產VOC生產工序區域遺留VOC濃度較高，且通過空氣流擴散至ODF區時，會嚴重影響產品良率。

為降低Array Photo、CF Photo、PI產VOC污染源區(以下簡稱產VOC區)VOC的濃度。目前有效的措施是：將這些產生VOC污染源的區域單獨設置成獨立回風區(房間)來隔絕VOC的大面積擴散；且在其潔凈室下技術夾層設置沸石轉輪機組對空氣中的VOC進行持續吸附再生的去除方法，將濃縮脫附后的VOC排放至屋面主有機廢氣處理系統。目前沸石轉輪機組的VOC處理效率雖可達到95％，但始終仍存在一部分VOC遺留在這些工序區的潔凈室內。

但是，如圖1和圖2所示，若VOC敏感區潔凈等級要求低于產VOC區，潔凈等級高的房間應相對潔凈等級低的房間保持不小于5Pa的正壓差，此時空氣流由產VOC區偏向VOC敏感區，會導致VOC擴散到相鄰VOC敏感區影響其生產環境及產品良率。

發明內容

本申請提供了一種潔凈室，可以降低或避免帶污染源生產區產生的污染物進入到無污染源生產區中，從而能夠提高無污染源生產區中產品的良率。

為了達到上述目的，本申請提供了一種潔凈室，包括上技術夾層、下技術夾層以及位于所述上技術夾層和下技術夾層之間的潔凈生產區；所述潔凈生產區的兩側形成用于連通所述上技術夾層和下技術夾層的技術夾道；還包括調壓設備組件，所述上技術夾層、下技術夾層以及潔凈生產區內均設有隔板墻，所述潔凈生產區內的隔板墻用于將所述潔凈生產區分隔為帶污染源生產區和無污染源生產區，所述上技術夾層內的隔板墻用于將所述上技術夾層分隔為帶污染源上技術夾層和無污染源上技術夾層，所述下技術夾層內的隔板墻用于將所述下技術夾層分隔為帶污染源下技術夾層和無污染源下技術夾層：其中，

所述上技術夾層內設有的隔板墻為雙層以形成上技術夾層雙墻夾道，所述調壓設備組件用于調節所述上技術夾層雙墻夾道內氣壓，以使潔凈室正常生產時使所述上技術夾層雙墻夾道內的氣壓高于與其相鄰的帶污染源上技術夾層和無污染源上技術夾層內的氣壓；

和/或；

所述下技術夾層內設有的隔板墻為雙層以形成下技術夾層雙墻夾道，所述調壓設備組件用于調節所述下技術夾層雙墻夾道內氣壓，以使潔凈室正常生產時使所述下技術夾層雙墻夾道內的氣壓高于與其相鄰的帶污染源下技術夾層和無污染源下技術夾層內的氣壓，或者，使潔凈室正常生產時使所述下技術夾層雙墻夾道內的氣壓低于與其相鄰的帶污染源下技術夾層和無污染源下技術夾層內的氣壓。