[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造方法和制造裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910732906.5
• 申請日: 2019-08-09
• 公開（公告）號: CN110856900B
• 公開（公告）日: 2023-07-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山本榮一;三井貴彥;坂東翼
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社岡本工作機(jī)械制作所
• 主分類號: B24B1/04
• 分類號: B24B1/04;B24B9/06;B24B7/22;B24B41/06;H01L21/02
• 代理公司: 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290
• 代理人: 李雪春;王維玉

本發(fā)明提供半導(dǎo)體裝置的制造方法和制造裝置。半導(dǎo)體裝置的制造方法包括：吸附工序，將半導(dǎo)體器件晶片的器件面朝下安裝于吸盤機(jī)構(gòu)的上表面；以及邊緣修整工序，在所述吸附工序后進(jìn)行，所述邊緣修整工序包括：利用所述吸盤機(jī)構(gòu)使所述半導(dǎo)體器件晶片水平旋轉(zhuǎn)；利用施加有超聲波的立式主軸使旋轉(zhuǎn)刀具水平旋轉(zhuǎn)；以及用所述旋轉(zhuǎn)刀具對所述半導(dǎo)體器件晶片的周側(cè)面進(jìn)行修整。

相關(guān)申請的交叉參考

本申請基于2018年8月21日向日本特許廳提交的日本專利申請2018-154786號，因此將所述日本專利申請的全部內(nèi)容以引用的方式并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施方式涉及半導(dǎo)體裝置的制造方法和制造裝置。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體裝置制造中，要求將半導(dǎo)體器件晶片封裝為更薄。具體地說，期望半導(dǎo)體器件晶片的厚度在50μm以下。在最先進(jìn)的技術(shù)中已實(shí)現(xiàn)了厚度10μm的半導(dǎo)體器件晶片。

通過使用固定磨粒砂輪的磨削技術(shù)進(jìn)行半導(dǎo)體器件晶片的薄層化。當(dāng)使半導(dǎo)體器件晶片薄層化時(shí)，如果在該晶片邊緣發(fā)生破裂，則半導(dǎo)體器件芯片的成品率下降。

在晶片邊緣發(fā)生破裂的主要原因是在薄層化工序中磨削砂輪與半導(dǎo)體器件晶片的銳利邊緣碰撞。因此，以往為了抑制半導(dǎo)體器件晶片的破裂，在用于薄層化的磨削之前會(huì)進(jìn)行晶片邊緣的修整(倒角)，這已為公眾所知。

例如，在日本專利公開公報(bào)特開2009-39808號中公開了利用杯形的金剛石磨削砂輪來進(jìn)行半導(dǎo)體基板的邊緣磨削加工(倒角加工)。在該文獻(xiàn)的邊緣磨削加工中，使用相對于水平旋轉(zhuǎn)的半導(dǎo)體基板水平旋轉(zhuǎn)的金剛石磨削砂輪。具體地說，以金剛石磨削砂輪的外周邊緣部的垂直面與半導(dǎo)體基板的外周邊緣部的垂直面重合的方式，使水平旋轉(zhuǎn)的金剛石磨削砂輪從上方下降，進(jìn)行對半導(dǎo)體基板的邊緣面的磨削切入。

此外，在日本專利公開公報(bào)特開2011-142201號中公開了一種半導(dǎo)體基板的邊緣磨削工序，該半導(dǎo)體基板的邊緣磨削工序使用以水平軸為中心而垂直旋轉(zhuǎn)的金剛石制的邊緣磨削砂輪。在該文獻(xiàn)的邊緣磨削工序中，使垂直旋轉(zhuǎn)的邊緣磨削砂輪向水平旋轉(zhuǎn)的半導(dǎo)體基板的外周邊緣下降。由此，使半導(dǎo)體基板的外周邊緣的厚度減少到所希望的厚度。

此外，在日本專利公開公報(bào)特開平9-216152號中公開了一種端部磨削裝置。在該端部磨削裝置中，利用沿Y軸方向(水平方向)配置的主軸使金剛石砂輪垂直旋轉(zhuǎn)。通過使垂直旋轉(zhuǎn)的金剛石砂輪的外周面與水平旋轉(zhuǎn)的半導(dǎo)體晶片的外周部分抵接，對半導(dǎo)體晶片的外周部分進(jìn)行磨削。

此外，以往在半導(dǎo)體器件晶片的器件面上粘貼BG膠帶(Back?Grind?Tape背磨膠帶)作為磨削保護(hù)層、以及在半導(dǎo)體器件晶片的器件面上借助樹脂形成支撐晶片的方式亦即WSS(Wafer?Support?System晶片支撐系統(tǒng))，這些已為公眾所知。

以往的修整工序一般來說通過由金剛石刀具切除半導(dǎo)體器件晶片的器件面的邊緣部分的一部分的方法來進(jìn)行。接著，在半導(dǎo)體器件晶片的器件面上粘貼BG膠帶或形成WSS的支撐晶片。此后，通過磨削除去半導(dǎo)體器件晶片的背面。由此，進(jìn)行半導(dǎo)體器件晶片的薄層化。

如上所述，在半導(dǎo)體裝置領(lǐng)域中，要求半導(dǎo)體器件晶片進(jìn)一步的薄層化。為了實(shí)現(xiàn)上述薄層化，需要一種用于抑制半導(dǎo)體器件晶片破裂的高精度的修整技術(shù)。

但是，在上述現(xiàn)有技術(shù)中，難以實(shí)現(xiàn)抑制半導(dǎo)體器件晶片碎裂的高精度且高效率的邊緣修整工序。

具體地說，在利用作為上述現(xiàn)有技術(shù)之一的杯形的金剛石磨削砂輪對邊緣進(jìn)行修整的方法中，加工速度慢且工作效率低。此外，由于杯形的金剛石磨削砂輪磨損，導(dǎo)致修整底面的垂直性變差，修整底面成為錐形。

此外，在通過使垂直旋轉(zhuǎn)的金剛石刀具壓抵于水平旋轉(zhuǎn)的半導(dǎo)體器件晶片的邊緣部來進(jìn)行修整的方法中，金剛石刀具與半導(dǎo)體器件晶片線接觸。因此，對半導(dǎo)體器件晶片的剪切應(yīng)力大。