[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體裝置的制造方法和制造裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910732906.5
• 申請(qǐng)日: 2019-08-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110856900B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-07-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山本榮一;三井貴彥;坂東翼
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 株式會(huì)社岡本工作機(jī)械制作所
• 主分類(lèi)號(hào): B24B1/04
• 分類(lèi)號(hào): B24B1/04;B24B9/06;B24B7/22;B24B41/06;H01L21/02
• 代理公司: 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290
• 代理人: 李雪春;王維玉

1.一種半導(dǎo)體裝置的制造裝置，其特征在于包括：

吸盤(pán)機(jī)構(gòu)，借助貼合樹(shù)脂層和支承基板將半導(dǎo)體器件晶片的器件面朝下地吸附，并使所述半導(dǎo)體器件晶片水平旋轉(zhuǎn)，所述支承基板借助所述貼合樹(shù)脂層貼合于所述半導(dǎo)體器件晶片；

旋轉(zhuǎn)刀具，通過(guò)利用立式主軸進(jìn)行水平旋轉(zhuǎn)，對(duì)吸附于所述吸盤(pán)機(jī)構(gòu)并水平旋轉(zhuǎn)的所述半導(dǎo)體器件晶片的周側(cè)面以及所述貼合樹(shù)脂層的上部進(jìn)行修整；以及

超聲波振動(dòng)裝置，向所述立式主軸施加超聲波，

所述立式主軸被設(shè)置在所述立式主軸的上部和下部的軸承樞軸支撐，

在所述立式主軸的所述上部和所述下部設(shè)置的所述軸承之間，所述旋轉(zhuǎn)刀具與所述立式主軸連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造裝置，其特征在于，在所述吸盤(pán)機(jī)構(gòu)的上方設(shè)置有杯形砂輪，所述杯形砂輪對(duì)用所述旋轉(zhuǎn)刀具進(jìn)行了修整的所述半導(dǎo)體器件晶片的背面進(jìn)行加工，使所述半導(dǎo)體器件晶片薄層化。

3.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，使用于權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造裝置，其特征在于包括：

吸附工序，將半導(dǎo)體器件晶片的器件面朝下安裝于吸盤(pán)機(jī)構(gòu)的上表面；以及

邊緣修整工序，在所述吸附工序后進(jìn)行，

所述邊緣修整工序包括：

利用所述吸盤(pán)機(jī)構(gòu)使所述半導(dǎo)體器件晶片水平旋轉(zhuǎn)；

利用施加有超聲波的立式主軸使旋轉(zhuǎn)刀具水平旋轉(zhuǎn)；以及

用所述旋轉(zhuǎn)刀具對(duì)所述半導(dǎo)體器件晶片的周側(cè)面進(jìn)行修整。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括薄層化工序，所述薄層化工序在所述邊緣修整工序后執(zhí)行，通過(guò)使用杯形砂輪的磨削法對(duì)所述半導(dǎo)體器件晶片的背面進(jìn)行加工，使所述半導(dǎo)體器件晶片薄層化。

5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述邊緣修整工序中使用的所述旋轉(zhuǎn)刀具的外周砂輪面附近比所述半導(dǎo)體器件晶片薄。