[發明專利]基板組件、半導體封裝件和制造該半導體封裝件的方法

在審

• 申請號: 201910731355.0
• 申請日: 2019-08-08
• 公開（公告）號: CN110875291A
• 公開（公告）日: 2020-03-10
• 發明（設計）人: 金度賢;吳瓊碩;姜善遠
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L25/18;H01L23/498;H01L21/98
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜;王占杰

1.一種半導體封裝件，所述半導體封裝件包括：

基板；

第一半導體芯片，所述第一半導體芯片位于所述基板上；

第二半導體芯片，所述第二半導體芯片位于所述第一半導體芯片上；以及

連接結構，

其中，所述第二半導體芯片包括：

第一節段，所述第一節段向外突出超過所述第一半導體芯片的一側；以及

第二連接焊盤，所述第二連接焊盤位于所述第二半導體芯片的所述第一節段的底表面上，并且

其中，所述連接結構包括：

第一結構，所述第一結構位于所述基板與所述第二半導體芯片的所述第一節段之間；以及

第一柱狀導體，所述第一柱狀導體穿透所述第一結構以與所述基板接觸，并且設置在所述第二連接焊盤與所述基板之間，從而將所述第二半導體芯片電連接到所述基板。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝件，所述半導體封裝件還包括：

模制層，所述模制層覆蓋所述第一半導體芯片、所述第二半導體芯片和所述連接結構，

其中，所述第一結構包括與所述模制層的材料不同的材料。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝件，

其中，所述第一結構包括感光型阻焊劑。

4.根據權利要求3所述的半導體封裝件，

其中，所述基板包括：

上導電層；以及

上介電層，所述上介電層具有多個孔，

其中，所述上介電層設置在所述上導電層上，

其中，所述第一柱狀導體經由所述多個孔中的一個孔連接到所述上導電層，并且

其中，所述第一結構和所述上介電層具有相同的介電材料。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝件，

其中，所述第一柱狀導體的頂表面與所述第二連接焊盤的底表面接觸。

6.根據權利要求1所述的半導體封裝件，

其中，所述第二半導體芯片還包括第一球，

其中，所述第一柱狀導體和所述第二連接焊盤通過所述第一球彼此電連接。

7.根據權利要求1所述的半導體封裝件，所述半導體封裝件還包括：

第三半導體芯片，所述第三半導體芯片位于所述第二半導體芯片上，

其中，所述第三半導體芯片包括：

第一節段，所述第一節段向外突出超過所述第二半導體芯片的一側；以及

第三連接焊盤，所述第三連接焊盤位于所述第三半導體芯片的所述第一節段的底表面上，并且

其中，所述連接結構還包括：

第二結構，所述第二結構位于所述基板與所述第三半導體芯片的所述第一節段之間；以及

第二柱狀導體，所述第二柱狀導體設置在所述第二結構中并且連接到所述第一柱狀導體，從而經由所述第一柱狀導體將所述第三半導體芯片電連接到所述基板。

8.根據權利要求7所述的半導體封裝件，其中，

所述第一結構包括第一頂表面，

所述第二結構包括第二頂表面，并且

所述第二頂表面與所述基板之間的距離大于所述第一頂表面與所述基板之間的距離。

9.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述第一半導體芯片的面積與所述第二半導體芯片的面積相同。

10.一種基板組件，所述基板組件包括：

基板；以及

連接結構，所述連接結構組裝在所述基板的頂表面上，

其中，所述連接結構包括：

第一結構，所述第一結構從所述基板向上延伸；以及

第一柱狀導體，所述第一柱狀導體穿透所述第一結構以與所述基板接觸。

11.根據權利要求10所述的基板組件，

其中，所述基板包括：

上導電層，所述上導電層連接到所述第一柱狀導體。