[發明專利]集成電子元件模塊、包含其的半導體封裝體及其制造方法

在審

• 申請號: 201910728015.2
• 申請日: 2019-08-08
• 公開（公告）號: CN112349712A
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發明（設計）人: 張聰;邱進添;楊旭一;鄧琪
• 申請（專利權）人: 西部數據技術公司
• 主分類號: H01L25/18
• 分類號: H01L25/18;H01L21/56;H01L21/683;H01L23/31
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

一種無襯底的集成電子元件模塊，用于半導體封裝體中，所述集成電子元件模塊包括至少兩個電子元件，所述至少兩個電子元件中的每一個電子元件具有第一電連接體；以及第一模塑料，包封所述至少兩個電子元件，所述第一模塑料包括所述集成電子元件模塊的第一平坦表面和相對的第二平坦表面，其中，所述第一電連接體中的每一個直接暴露于所述集成電子元件模塊的第一平坦表面上。此外，提供了一種包含所述集成電子元件模塊的半導體封裝體及其制造方法。

技術領域

總體上提供了一種集成電子元件模塊、包含其的半導體封裝體及其制造方法。

背景技術

便攜式消費電子器件需求的強勁增長推動了對高容量存儲設備的需求。非易失性半導體存儲裝置，諸如閃存存儲卡，已廣泛用于滿足對數字信息存儲和交換的日益增長的需求。它們的便攜性、多功能性和堅固耐用的設計以及它們的高可靠性和大容量，使得此類存儲裝置理想地用于多種電子設備中，包括例如數字相機、數字音樂播放器、視頻游戲控制臺、PDA和蜂窩電話。

非易失性半導體存儲裝置通常為半導體封裝體的形式。在半導體封裝體中，需要提供具有不同尺寸、不同類型電連接的半導體器件(諸如，裸芯堆疊體、芯片)和電子元件(諸如應用專用集成電路(ASIC)、無源器件，例如電容器)。在存儲器封裝體的應用中，隨著存儲器封裝體向大容量、微型化、緊湊設計的方向發展，封裝體中半導體器件和電子元件的排布密度變得更高。存儲器封裝體中的電容器需要提供更大的電容量，以起到更好的去噪聲、抑制浪涌電壓、濾波等功能。在一些應用中，該電容量典型地高達25μF。電容器可以包含但不限于硅基(Si-based)電容器、多層陶瓷電容器(MLCC)等。典型地，硅基電容器單位面積提供的電容量很小，滿足典型的電容量需求需要不合期望的大足印。而MLCC的形狀尺寸各異，并且通常采用表面貼裝技術(SMT)工藝安裝在襯底上，從而在襯底上具有不同的足印需求。

可見，存在對在半導體封裝體中提供不同尺寸、不同種類的電子元件的改善方案的需求，特別是對于以高元件密度制造這樣的半導體封裝體的改善的方案需求。

發明內容

根據一個實施例，一種無襯底的集成電子元件模塊，用于半導體封裝體中，集成電子元件模塊包括：至少兩個電子元件，至少兩個電子元件中的每一個電子元件具有第一電連接體；以及第一模塑料，包封至少兩個電子元件，第一模塑料包括集成電子元件模塊的第一平坦表面和相對的第二平坦表面，其中，第一電連接體中的每一個直接暴露于集成電子元件模塊的第一平坦表面上。

在另一實施例中，至少兩個電子元件包含以下各項中的一種或多種的任意組合：多層陶瓷電容器、硅基電容器、電阻器、電感器、應用專用集成電路裸芯、通用用途集成電路裸芯、晶片級芯片規模封裝體(WLCSP)以及方形扁平無引腳封裝低壓差穩壓器(QFN/LDO)。

在另一實施例中，集成電子元件模塊還包括形成于第一電連接體的僅一部分之上的導電凸塊，導電凸塊的頂表面和之上沒有導電凸塊的第一電連接體的頂表面全部彼此共平面。

在另一實施例中，集成電子元件模塊還包括形成于第一電連接體中的每一個之上的導電凸塊，導電凸塊的頂表面全部彼此共平面。

在另一實施例中，第一電連接體在最接近的相鄰第一電連接體之間具有小于10μm的間隔。

根據一個實施例，一種半導體封裝體，包括：無襯底的集成電子元件模塊，集成電子元件模塊包括：至少兩個電子元件，至少兩個電子元件中的每一個電子元件具有第一電連接體；以及第一模塑料，包封至少兩個電子元件，第一模塑料包括第一平坦表面和相對的第二平坦表面；半導體器件，包括第二電連接體；第二模塑料，包封集成電子元件模塊和半導體器件，第二模塑料包括的第三平坦表面和相對的第四平坦表面，第三平坦表面相對于第二平坦表面更接近第一平坦表面；以及重分布層，重分布層形成于第三平坦表面之上；第一電連接體中的每一個直接暴露于第一平坦表面上，并且與重分布層電連接，半導體器件的第二電連接體中的每一個延伸至第三平坦表面，并且與重分布層電連接。