[發(fā)明專利]集成電子元件模塊、包含其的半導(dǎo)體封裝體及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910728015.2
• 申請日: 2019-08-08
• 公開（公告）號: CN112349712A
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張聰;邱進(jìn)添;楊旭一;鄧琪
• 申請（專利權(quán)）人: 西部數(shù)據(jù)技術(shù)公司
• 主分類號: H01L25/18
• 分類號: H01L25/18;H01L21/56;H01L21/683;H01L23/31
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 邱軍

1.一種無襯底的集成電子元件模塊，用于半導(dǎo)體封裝體中，所述集成電子元件模塊包括：

至少兩個電子元件，所述至少兩個電子元件中的每一個電子元件具有第一電連接體；以及

第一模塑料，包封所述至少兩個電子元件，所述第一模塑料包括所述集成電子元件模塊的第一平坦表面和相對的第二平坦表面，

其中，所述第一電連接體中的每一個直接暴露于所述集成電子元件模塊的第一平坦表面上。

2.如權(quán)利要求1所述的集成電子元件模塊，其中，所述至少兩個電子元件包含以下各項中的一種或多種的任意組合：多層陶瓷電容器、硅基電容器、電阻器、電感器、應(yīng)用專用集成電路裸芯、通用用途集成電路裸芯、晶片級芯片規(guī)模封裝體以及方形扁平無引腳封裝低壓差穩(wěn)壓器。

3.如權(quán)利要求1所述的集成電子元件模塊，還包括形成于所述第一電連接體的僅一部分之上的導(dǎo)電凸塊，其中，所述導(dǎo)電凸塊的頂表面和之上沒有導(dǎo)電凸塊的第一電連接體的頂表面全部彼此共平面。

4.如權(quán)利要求1所述的集成電子元件模塊，還包括形成于所述第一電連接體中的每一個之上的導(dǎo)電凸塊，其中，所述導(dǎo)電凸塊的頂表面全部彼此共平面。

5.如權(quán)利要求1所述的集成電子元件模塊，其中，所述第一電連接體在最接近的相鄰所述第一電連接體之間具有小于10μm的間隔。

6.一種半導(dǎo)體封裝體，包括：

無襯底的集成電子元件模塊，所述集成電子元件模塊包括：

至少兩個電子元件，所述至少兩個電子元件中的每一個電子元件具有第一電連接體；以及

第一模塑料，包封所述至少兩個電子元件，所述第一模塑料包括所第一平坦表面和相對的第二平坦表面；

半導(dǎo)體器件，包括第二電連接體；

第二模塑料，包封所述集成電子元件模塊和所述半導(dǎo)體器件，所述第二模塑料包括的第三平坦表面和相對的第四平坦表面，所述第三平坦表面相對于所述第二平坦表面更接近所述第一平坦表面；以及

重分布層，所述重分布層形成于所述第三平坦表面之上；

其中，所述第一電連接體中的每一個直接暴露于所述第一平坦表面上，并且與所述重分布層電連接，并且

其中，所述半導(dǎo)體器件的第二電連接體中的每一個延伸至所述第三平坦表面，并且與所述重分布層電連接。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝體，其中，所述半導(dǎo)體封裝體是無襯底的。

8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝體，其中，所述至少兩個電子元件包含以下各項中的一種或多種的任意組合：多層陶瓷電容器、硅基電容器、電阻器、電感器、應(yīng)用專用集成電路裸芯、通用用途集成電路裸芯、晶片級芯片規(guī)模封裝體以及方形扁平無引腳封裝低壓差穩(wěn)壓器。

9.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝體，其中，所述集成電子元件模塊還包括形成于所述第一電連接體的僅一部分之上的導(dǎo)電凸塊，并且其中，所述導(dǎo)電凸塊的頂表面和之上沒有導(dǎo)電凸塊的第一電連接體的頂表面全部彼此共平面。

10.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝體，其中，所述集成電子元件模塊還包括形成于所述第一電連接體中的每一個之上的導(dǎo)電凸塊，并且其中，所述導(dǎo)電凸塊的頂表面全部彼此共平面。

11.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝體，其中，所述第一電連接體在最接近的相鄰所述第一電連接體之間具有小于10μm的間隔。

12.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝體，其中，所述半導(dǎo)體器件包括多個堆疊的存儲器裸芯。

13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝體，其中，所述集成電子元件模塊與所述半導(dǎo)體器件以并排方式設(shè)置在所述重分布層之上。