[發明專利]存儲器器件

在審

• 申請號: 201910726371.0
• 申請日: 2019-08-07
• 公開（公告）號: CN110828660A
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發明（設計）人: P·G·卡佩萊蒂;G·納瓦羅
• 申請（專利權）人: 法國原子能及替代能源委員會;意法半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

本公開的實施例涉及存儲器器件。一種相變存儲器單元在至少第一部分中包括至少一個鍺層的堆疊，該至少一個鍺層的堆疊被由鍺、銻和碲的第一合金制成的至少一層覆蓋。在編程狀態下，由于將堆疊的一部分加熱到足夠的溫度，鍺層的一部分和第一合金的層的一部分形成由鍺、銻和碲制成的第二合金，其中第二合金具有比第一合金高的鍺濃度。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2018年8月8日提交的法國專利申請第1857389號的優先權，其內容在法律允許的最大范圍內以引用方式全部并入本申請。

技術領域

本公開總體上涉及存儲器器件，更具體地，涉及包括由鍺、銻和碲組成的相變合金的存儲器。

背景技術

相變材料是可以在熱量的作用下在結晶相和非晶相之間切換的材料。由于非晶材料的電阻顯著大于結晶材料的電阻，因此這種現象可用于定義有通過相變材料測得的電阻來區分的兩種存儲器狀態(例如，0和1)。存儲器中最常見的相變材料是由鍺、銻和碲組成的合金。

通常的相變存儲器一般由鍺、銻和碲的合金按化學計量比例制成，例如Ge₂Sb₂Te₅。問題是這種合金對溫度很敏感。具體地，它們的結晶溫度太低而無法承受裸片焊接工藝的溫度范圍，特別是在汽車工業中。焊接溫度將引起被編程數據的修改。

發明內容

一個實施例克服了已知相變存儲器的全部或部分缺點。

在一個實施例中，一種存儲器器件包括：第一相變存儲器單元；第二相變存儲器單元；其中第一相變存儲器單元包括由鍺、銻和碲制成的第一合金；并且其中第二相變存儲器單元包括由鍺、銻和碲制成的第一合金和第二合金。

附圖說明

上述特征和優點以及其他特征和優點將在以下通過說明而非限制地參考附圖給出的對具體實施例的詳細說明中進行詳細描述，其中：

圖1示出了相變存儲器單元的一部分的實施例的簡化截面圖；

圖2A-圖2B示出了圖1的實施例的制造和可能的編程的兩個步驟的簡化截面圖；

圖3A-圖3B分別示意性地示出了編程前和編程后的存儲器器件的一個實施例的截面圖；

圖4示意性示出了存儲器器件的另一實施例的截面圖；

圖5示意性示出了一次讀取存儲器的一個實施例。

具體實施方式

在各個附圖中，相同的特征已經用相同的參考標號來表示。特別地，在各個實施例中共同的結構和/或功能特征可以具有相同的參考標號，并且可以設置相同的結構、尺寸和材料特性。

為清楚起見，僅詳細說明和描述了有助于理解本文所述實施例的操作和元件。特別地，存儲器單元包括沒有詳細描述的元件，例如選擇元件，例如晶體管或電氣連接。

貫穿本公開，術語“連接”用于指定電路元件之間的直接電氣連接，而術語“耦合”用于指定電路元件之間的可以是直接的或者可以經由一個或多個中間元件的電氣連接。

在以下描述中，當提及限定絕對位置的術語(諸如術語“前”、“后”、“上”、“下”、“左”、“右”等)或相對位置的術語(諸如術語“上方”、“下方”、“高于”、“低于”等)或限定方向的術語(諸如術語“水平”、“豎直”等)時，除非另有說明，否則均指附圖的方向。

術語“近似”、“基本上”和“大約”在本文中用于指定所討論的值的正負10％(優選正負5％)的容限。本文使用的術語“接近”指定正負35％的容限。

圖1示出了相變存儲器單元100的實施例的一部分的簡化截面圖。