[發(fā)明專利]存儲(chǔ)器器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910726371.0
• 申請(qǐng)日: 2019-08-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110828660A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-02-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: P·G·卡佩萊蒂;G·納瓦羅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 法國(guó)原子能及替代能源委員會(huì);意法半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L45/00
• 分類號(hào): H01L45/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種存儲(chǔ)器器件，包括：

絕緣層，包括與第一相變存儲(chǔ)器單元相關(guān)聯(lián)的第一電阻加熱元件、以及與第二相變存儲(chǔ)器單元相關(guān)聯(lián)的第二電阻加熱元件；

層的堆疊，在所述第一電阻加熱元件和所述第二電阻加熱元件上方延伸，所述堆疊包括：

第一層，由鍺、銻和碲的第一合金制成；

鍺層，在由所述第一合金制成的所述第一層上方；以及

第二層，在所述鍺層上方，由第一合金制成；以及

其中所述堆疊包括與所述第二電阻加熱元件接觸的區(qū)域，所述區(qū)域由鍺、銻和碲的第二合金制成，其中所述第二合金具有比所述第一合金高的鍺濃度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器器件，其中所述鍺層具有與所述第一層中的每個(gè)第一層的厚度不同的厚度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器器件，其中所述鍺層摻雜有氮。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器器件，其中所述第一合金由Ge₂Sb₂Te₅制成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器器件，其中所述第一層和所述第二層具有不同比例的鍺、銻和碲。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器器件，其中所述第一電阻加熱元件和第二電阻加熱元件與所述堆疊的所述第一層接觸。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器器件，其中所述第一相變存儲(chǔ)器單元和所述第二相變存儲(chǔ)器單元為由絕緣區(qū)域分離的相鄰存儲(chǔ)器單元。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器器件，其中所述存儲(chǔ)器器件是一次性可編程存儲(chǔ)器器件。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器器件，其中所述第一相變存儲(chǔ)器單元以第一邏輯狀態(tài)進(jìn)行編程，并且所述第二相變存儲(chǔ)器單元以第二邏輯狀態(tài)進(jìn)行編程。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器器件，其中所述堆疊的所述第一層和所述第二層中的每一層都具有大于約4nm的厚度。

11.一種方法，包括：

形成絕緣層，所述絕緣層包括與第一相變存儲(chǔ)器單元相關(guān)聯(lián)的第一電阻加熱元件、以及與第二相變存儲(chǔ)器單元相關(guān)聯(lián)的第二電阻加熱元件；

形成位于所述絕緣層上的層的堆疊，包括：

在所述電阻加熱元件上方、在所述絕緣層上形成由鍺、銻和碲制成的第一合金的第一層；

在由所述第一合金制成的所述第一層上方形成鍺層；以及

在所述鍺層上方形成所述第一合金的第二層；

通過(guò)所述第二電阻加熱元件來(lái)向?qū)拥乃龆询B施加熱量，該熱量足以使所述鍺層以及所述第一合金的所述第一層和第二層的部分形成由鍺、銻和碲制成的第二合金，并且將所述第二相變存儲(chǔ)器單元編程到與所述第一相變存儲(chǔ)器單元的邏輯狀態(tài)不同的邏輯狀態(tài)，所述第二合金具有比所述第一合金高的鍺濃度。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中加熱包括加熱至高于160℃的溫度。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述鍺層摻雜有氮。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第一合金由Ge₂Sb₂Te₅制成。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中施加熱量包括：施加穿過(guò)所述第二電阻加熱元件的電流脈沖。