[發明專利]制造半導體芯片的方法

在審

• 申請號: 201910726168.3
• 申請日: 2019-08-07
• 公開（公告）號: CN110890325A
• 公開（公告）日: 2020-03-17
• 發明（設計）人: 裴秉文;金潤圣;金尹熙;沈賢洙;尹俊浩;崔仲浩
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L23/00;B23K26/38;B23K26/08;B23K26/70;B23K101/40
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張青

提供了制造半導體芯片的方法。所述方法可以包括提供包括集成電路區域和切割區域的半導體襯底。所述切割區域可以在所述集成電路區域之間。所述方法還可以包括通過沿著所述切割區域將激光束發射到所述半導體襯底中來形成改性層，拋光所述半導體襯底的無源表面以使裂縫從改性層傳播，以及沿著所述裂縫分離集成電路區域。所述切割區域可以包括在所述半導體襯底的有源表面上的多個多層金屬圖案，半導體襯底的有源表面與半導體襯底的無源表面相對。當在橫截面中觀察時，所述多個多層金屬圖案可以形成金字塔結構。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2018年8月20日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2018-0096824的優先權，其公開在此以引用方式全文并入本文中。

技術領域

本發明構思一般涉及制造半導體芯片的方法，更具體地，涉及通過激光切割半導體襯底來制造半導體芯片的方法。

背景技術

在半導體襯底的有源表面上形成集成電路之后，可以拋光半導體襯底的無源表面，并且可以切割拋光的半導體襯底以將集成電路分成單獨的半導體芯片。可以通過鋸片來機械切割拋光的半導體襯底。

當如上所述地機械切割半導體襯底時，半導體芯片的切割表面可能破裂，從而在半導體芯片中引起許多缺陷。因此，已經研究了通過激光切割半導體襯底來制造半導體芯片的方法。

發明內容

根據本發明構思的實施例提供了一種半導體芯片制造方法，所述方法能夠減少或盡可能地抑制在通過激光將半導體襯底切割成半導體芯片的過程中的誤差。

本發明構思的各方面不限于本文提供的描述，并且本領域普通技術人員從以下描述中將清楚地理解本文未提及的其他方面。

根據本發明構思的一些實施例，制造半導體芯片的方法可以包括提供包括集成電路區域和切割區域的半導體襯底。切割區域可以在集成電路區域之間。所述方法還可以包括通過沿著切割區域將激光束發射到半導體襯底中來形成改性層，拋光半導體襯底的無源表面以使裂縫從改性層傳播，以及沿著裂縫分離集成電路區域。切割區域可以包括在與半導體襯底的無源表面相對的半導體襯底的有源表面上的多個多層金屬圖案。當在橫截面中觀察時，多個多層金屬圖案可以形成金字塔結構。

根據本發明構思的一些實施例，制造半導體芯片的方法可以包括提供包括集成電路區域和切割區域的半導體襯底。切割區域可以在集成電路區域之間。所述方法還可以包括通過沿著切割區域將激光束發射到半導體襯底中來形成改性層，拋光半導體襯底的無源表面以使裂縫從改性層傳播，以及沿著裂縫分離集成電路區域。切割區域可以包括在半導體襯底的與無源表面相對的有源表面上的多個多層金屬圖案、以及在多個多層金屬圖案和半導體襯底的有源表面之間的上金屬層。多個多層金屬圖案中的每一個可以處于多個水平中的相應一個水平處，并且多個多層金屬圖案中的在多個水平中的一水平處的多層金屬圖案的數量可以隨著多個水平中的該水平和有源表面之間的距離的增加而減小。當在沿著第一方向截取的橫截面中觀察時，多個多層金屬圖案可以被布置為在第一方向上相對于多個多層金屬圖案的中心對稱。

根據本發明構思的一些實施例，制造半導體芯片的方法可以包括提供包括有源表面和與有源表面相對的無源表面的半導體襯底。半導體襯底可以包括集成電路區域和集成電路區域之間的切割區域。所述方法還可以包括：通過將激光束的聚光點定位在半導體襯底內并沿著切割區域發射激光束來形成改性層，拋光半導體襯底的無源表面以暴露改性層，以及使用改性層作為脆性斷裂點將半導體襯底分離成半導體芯片。切割區域可以包括多個金屬圖案和在多個金屬圖案的側面上的介電材料膜，并且多個金屬圖案中的每一個可以處于多個水平中的相應一個水平處。多個水平可以包括第一水平和第二水平，第一水平在第二水平與半導體襯底的有源表面之間，多個金屬圖案中的第一數量的金屬圖案在第一水平處，多個金屬圖案中的第二數量的金屬圖案在第二水平處，并且第二數量可以少于第一數量。

附圖說明