[發(fā)明專利]制造半導(dǎo)體芯片的方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201910726168.3
• 申請日: 2019-08-07
• 公開（公告）號: CN110890325A
• 公開（公告）日: 2020-03-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 裴秉文;金潤圣;金尹熙;沈賢洙;尹俊浩;崔仲浩
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L23/00;B23K26/38;B23K26/08;B23K26/70;B23K101/40
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張青

1.一種制造半導(dǎo)體芯片的方法，所述方法包括：

提供包括集成電路區(qū)域和切割區(qū)域的半導(dǎo)體襯底，所述切割區(qū)域在所述集成電路區(qū)域之間；

通過沿著所述切割區(qū)域?qū)⒓す馐l(fā)射到所述半導(dǎo)體襯底中來形成改性層；

拋光所述半導(dǎo)體襯底的無源表面以使裂縫從所述改性層傳播；以及

沿著所述裂縫分離所述集成電路區(qū)域，

其中，所述切割區(qū)域包括在所述半導(dǎo)體襯底的有源表面上的多個多層金屬圖案，所述半導(dǎo)體襯底的有源表面與所述半導(dǎo)體襯底的無源表面相對，并且

其中，當(dāng)在橫截面中觀察時，所述多個多層金屬圖案形成金字塔結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述多個多層金屬圖案中的每一個處于多個水平中的相應(yīng)一個水平處，并且所述多個多層金屬圖案包括最靠近所述半導(dǎo)體襯底的有源表面的最低水平處的下金屬圖案和最遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體襯底的有源表面的最高水平處的上金屬圖案，并且

其中，所述裂縫從所述下金屬圖案傳播到所述上金屬圖案。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在所述多個多層金屬圖案的側(cè)面上形成層間絕緣膜，其中，所述層間絕緣膜包括低k介電材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在所述多個多層金屬圖案的側(cè)面上形成層間絕緣膜，

其中，在拋光所述半導(dǎo)體襯底的無源表面期間，所述多個多層金屬圖案引導(dǎo)所述裂縫傳播到所述多個多層金屬圖案的金字塔結(jié)構(gòu)的中心部分，并且沿一個方向切割所述層間絕緣膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述多個多層金屬圖案的金字塔結(jié)構(gòu)相對于所述金字塔結(jié)構(gòu)的中心部分對稱。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述裂縫從所述改性層延伸到所述多個多層金屬圖案中的最上面的圖案。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在所述多個多層金屬圖案上的上金屬層，所述上金屬層在與所述多個多層金屬圖案延伸的第二方向垂直的第一方向上延伸。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述改性層包括在所述切割區(qū)域內(nèi)形成所述改性層，并且相比于所述無源表面，所述改性層更靠近所述有源表面。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，拋光所述半導(dǎo)體襯底的無源表面包括：

研磨所述半導(dǎo)體襯底的無源表面以暴露所述改性層；以及

向所述半導(dǎo)體襯底施加壓力。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，執(zhí)行對所述半導(dǎo)體襯底的無源表面的研磨，直到完全去除所述改性層。

11.一種制造半導(dǎo)體芯片的方法，所述方法包括：

提供包括集成電路區(qū)域和切割區(qū)域的半導(dǎo)體襯底，所述切割區(qū)域在所述集成電路區(qū)域之間；

通過沿著所述切割區(qū)域?qū)⒓す馐l(fā)射到所述半導(dǎo)體襯底中來形成改性層；

拋光所述半導(dǎo)體襯底的無源表面以使裂縫從所述改性層傳播；以及

沿著所述裂縫分離所述集成電路區(qū)域，

其中，所述切割區(qū)域包括在所述半導(dǎo)體襯底的與所述無源表面相對的有源表面上的多個多層金屬圖案，以及在所述多個多層金屬圖案和所述半導(dǎo)體襯底的有源表面之間的上金屬層，并且

其中，所述多個多層金屬圖案中的每一個處于多個水平中的相應(yīng)一個水平處，所述多個多層金屬圖案中的在所述多個水平中的一水平處的多層金屬圖案的數(shù)量隨著所述多個水平中的所述水平和所述有源表面之間的距離的增加而減小，并且，當(dāng)在沿著第一方向截取的橫截面中觀察時，所述多個多層金屬圖案被布置為在所述第一方向上相對于所述多個多層金屬圖案的中心對稱。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，在拋光所述半導(dǎo)體襯底的所述無源表面期間，所述多個多層金屬圖案引導(dǎo)所述裂縫朝向所述多個多層金屬圖案的中心傳播。