[發明專利]半導體設備封裝及其制造方法

在審

• 申請號: 201910725657.7
• 申請日: 2019-08-07
• 公開（公告）號: CN112053997A
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發明（設計）人: 林政男;方緒南
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/66;H01L21/56;H01Q1/22
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

一種半導體設備封裝包含襯底、第一模制原料和天線層。所述襯底具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面。所述第一模制原料安置在所述襯底的所述第一表面上。所述天線層安置在所述第一模制原料上。所述襯底、所述第一模制原料和所述天線層界定空腔。

技術領域

本公開大體上涉及一種半導體設備封裝及其制造方法，且更確切地說本公開涉及一種包含天線圖案的半導體設備封裝及其制造方法。

背景技術

移動通信的發展已帶來對高數據速率和穩定通信質量的需求，且高頻無線傳輸(例如，28GHz或60GHz)已變成移動通信行業中的一個最重要的話題。為了實現此類高頻無線傳輸，可在具有約十毫米到約一毫米的波長(“毫米波(millimeter wave/mmWave)”的頻帶)中傳輸信號。但是，信號衰減在毫米波傳輸中是一個問題。

發明內容

在一或多個實施例中，一種半導體設備封裝包含襯底、第一模制原料和天線層。所述襯底具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面。所述第一模制原料安置在所述襯底的所述第一表面上。所述天線層安置在所述第一模制原料上。所述襯底、所述第一模制原料和所述天線層界定空腔。

在一或多個實施例中，一種半導體設備封裝包含襯底、支撐元件和天線層。所述襯底具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面。所述支撐元件安置在所述襯底的所述第一表面上。所述支撐元件具有填充物。所述天線層安置在所述支撐元件上。所述襯底、所述支撐元件和所述天線層界定空腔。

在一或多個實施例中，一種制造半導體設備封裝的方法包含：(a)提供具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面，所述襯底具有穿透所述襯底的開口；(b)在所述襯底的所述第一表面和所述第二表面上并且在所述開口內形成模制原料，所述模制原料暴露所述襯底的所述第一表面的一部分；以及(c)將天線層安置在所述模制原料上，所述模制原料安置在所述襯底的所述第一表面上。所述襯底的所述第一表面、所述襯底的所述第一表面上的所述模制原料和所述天線層界定空腔。

附圖說明

當結合附圖閱讀時，從以下詳細描述最好地理解本公開的各方面。應注意，各種特征可能未按比例繪制，且各種特征的尺寸可出于論述的清楚起見而任意增大或減小。

圖1A說明根據本公開的一些實施例的半導體設備封裝的橫截面圖。

圖1B說明根據本公開的一些實施例的在圖1A中展示的半導體設備封裝的俯視圖。

圖2說明根據本公開的一些實施例的半導體設備封裝的橫截面圖。

圖3說明根據本公開的一些實施例的半導體設備封裝的橫截面圖。

圖4說明根據本公開的一些實施例的半導體設備封裝的橫截面圖。

圖5A、圖5B、圖5C和圖5D說明根據本公開的一些實施例的制造半導體設備封裝的方法。

圖6A、圖6B、圖6C、圖6C'、圖6D和圖6E說明根據本公開的一些實施例的制造半導體設備封裝的方法。

貫穿圖式和詳細描述使用共同參考編號來指示相同或相似元件。根據以下結合附圖作出的詳細描述將容易理解本公開。

具體實施方式

圖1A說明根據本公開的一些實施例的半導體設備封裝1的橫截面圖。半導體設備封裝1包含襯底10、11、電子組件12、封裝體13和電接觸件14。