[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910721140.0
• 申請日: 2019-08-06
• 公開（公告）號: CN110838478A
• 公開（公告）日: 2020-02-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 韓正勛;金碩煥;金周東;盧晙鏞;徐在源
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/66
• 代理公司: 北京市立方律師事務(wù)所 11330
• 代理人: 李娜;趙莎

一種半導(dǎo)體器件包括：半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括芯片區(qū)域和圍繞所述芯片區(qū)域的邊緣區(qū)域；下介電層和上介電層，所述下介電層和所述上介電層位于所述半導(dǎo)體襯底上；再分布芯片焊盤，所述再分布芯片焊盤穿透所述芯片區(qū)域中的所述上介電層并連接到芯片焊盤；工藝監(jiān)測結(jié)構(gòu)，所述工藝監(jiān)測結(jié)構(gòu)位于所述邊緣區(qū)域中；以及虛設(shè)元件，所述虛設(shè)元件位于所述邊緣區(qū)域中并且具有比所述上介電層的上表面低的上表面。

相關(guān)申請的交叉引用

2018年8月17日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的標(biāo)題為“半導(dǎo)體器件”的韓國專利申請No.10-2018-0096274通過引用的方式全文并入本申請中。

技術(shù)領(lǐng)域

實施例涉及半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體封裝件可以包括能夠存儲大量數(shù)據(jù)并在短時間內(nèi)處理這些數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體芯片。這種半導(dǎo)體芯片可以包括用于存儲和/或處理數(shù)據(jù)的電路和用于從外部向該電路輸入數(shù)據(jù)或從該電路向外部輸出數(shù)據(jù)的芯片焊盤。

發(fā)明內(nèi)容

這些實施例可以通過提供一種半導(dǎo)體器件來實現(xiàn)，所述半導(dǎo)體器件包括：半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括芯片區(qū)域和圍繞所述芯片區(qū)域的邊緣區(qū)域；下介電層和上介電層，所述下介電層和所述上介電層位于所述半導(dǎo)體襯底上；再分布芯片焊盤，所述再分布芯片焊盤穿透所述芯片區(qū)域中的所述上介電層并連接到芯片焊盤；工藝監(jiān)測結(jié)構(gòu)，所述工藝監(jiān)測結(jié)構(gòu)位于所述邊緣區(qū)域中；以及虛設(shè)元件，所述虛設(shè)元件位于所述邊緣區(qū)域中并且具有比所述上介電層的上表面低的上表面。

這些實施例可以通過提供一種半導(dǎo)體器件來實現(xiàn)，所述半導(dǎo)體器件包括：半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括芯片區(qū)域和圍繞所述芯片區(qū)域的邊緣區(qū)域；下介電層和上介電層，所述下介電層和所述上介電層位于所述半導(dǎo)體襯底上；再分布芯片焊盤，所述再分布芯片焊盤穿透所述芯片區(qū)域中的所述上介電層并連接到芯片焊盤；工藝監(jiān)測圖案，所述工藝監(jiān)測圖案位于所述邊緣區(qū)域中；以及多個虛設(shè)再分布圖案，所述多個虛設(shè)再分布圖案穿透所述邊緣區(qū)域中的所述上介電層，其中，當(dāng)在俯視圖中觀察時，所述多個虛設(shè)再分布圖案圍繞所述工藝監(jiān)測圖案。

附圖說明

通過參考附圖詳細(xì)描述示例性實施例，特征對于本領(lǐng)域技術(shù)人員將是顯而易見的，在附圖中：

圖1示出了根據(jù)一些示例實施例的具有半導(dǎo)體集成電路的襯底的俯視圖。

圖2示出了圖1中的部分A的放大視圖。

圖3示出了根據(jù)一些示例實施例的制造半導(dǎo)體器件的方法的流程圖。

圖4A和圖4B分別示出了根據(jù)一些示例實施例的半導(dǎo)體器件在分離成半導(dǎo)體芯片之前和之后的局部放大俯視圖。

圖5A至圖5H示出了沿著圖4A和圖4B中的線I-I’和II-II’截取的截面圖，分別示出根據(jù)一些示例實施例的制造半導(dǎo)體器件的方法中的各個階段。

圖6A、圖6B和圖6C示出了根據(jù)一些示例實施例的半導(dǎo)體器件的工藝監(jiān)測結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖7A和圖7B分別示出了根據(jù)一些示例實施例的半導(dǎo)體器件在分離成半導(dǎo)體芯片之前和之后的局部放大俯視圖。

圖8A和圖8B示出了沿著圖7A和圖7B中的線III-III’和IV-IV’截取的截面圖，部分地示出了根據(jù)一些示例實施例的半導(dǎo)體器件。

圖9A和圖9B分別示出了根據(jù)一些示例實施例的半導(dǎo)體器件在鋸切之前和之后的局部放大俯視圖。

圖10A和圖10B示出了沿著圖9A和圖9B中的線V-V’和VI-VI’截取的截面圖，部分地示出了根據(jù)一些示例實施例的半導(dǎo)體器件。

圖11A和圖11B分別示出了根據(jù)一些示例實施例的半導(dǎo)體器件在分離成半導(dǎo)體芯片之前和之后的局部放大俯視圖。