[發明專利]一種檢測機構及檢測裝置

在審

• 申請號: 201910720030.2
• 申請日: 2019-08-06
• 公開（公告）號: CN110379727A
• 公開（公告）日: 2019-10-25
• 發明（設計）人: 李文;李昶;徐飛;李澤通;馬紅偉
• 申請（專利權）人: 無錫奧特維科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/67
• 代理公司: 無錫永樂唯勤專利代理事務所(普通合伙) 32369
• 代理人: 孫際德

本發明提供了一種檢測機構，用于檢測處于檢測工位的待測硅片的被測邊緣，被測邊緣包括兩個相對的第一表面、第二表面及連接第一表面和第二表面的端面。檢測機構包括表面光源、端面光源、表面反射機構、端面反射機構及檢測相機，其中：表面光源被配置為向被測邊緣的至少一個表面發射表面照射光線，表面反射機構被配置將至少一個表面反射的表面照射光線反射至檢測相機；端面反射機構被配置為將端面光源發射的端面照射光線反射至被測邊緣的端面，端面照射光線經被測邊緣的端面反射至檢測相機。本發明能夠實現對待測硅片的被測邊緣的端面及至少一個表面的檢測，從而提升了檢測效率，降低了檢測成本。

技術領域

本發明屬于硅片檢測領域，尤其涉及一種檢測機構及檢測裝置。

背景技術

在太陽能電池片的生產過程中，需要先將硅棒切割成硅片，然后對硅片進行清洗，清洗完后需要對硅片進行檢測。一般將硅片放置在輸送裝置上，檢測裝置設置在輸送裝置兩側，對硅片的兩個平行于輸送方向的邊緣的臟污、隱裂、邊緣缺陷、翹曲度等情況進行檢測。如圖1所示，硅片5的一個被測邊緣51包括三個面，分別為：相對的上表面51a和下表面51b以及連接上表面51a和下表面51b的端面51c。

傳統的檢測方式只能檢測被檢測邊緣的其中一個面，這種檢測方式檢測效率低、成本高。

發明內容

針對傳統的檢測方式存在的上述技術缺陷，本發明第一方面提供了一種能夠同時實現對硅片的被測邊緣的端面及至少一個表面進行檢測的檢測機構，其技術方案如下：

一種檢測機構，用于檢測處于檢測工位的待測硅片的被測邊緣，被測邊緣包括兩個相對的第一表面、第二表面及連接第一表面和第二表面的端面，檢測機構包括表面光源、端面光源、表面反射機構、端面反射機構及檢測相機，其中：

表面光源被配置為向被測邊緣的至少一個表面發射表面照射光線，表面反射機構被配置將至少一個表面反射的表面照射光線反射至檢測相機；

端面反射機構被配置為將端面光源發射的端面照射光線反射至被測邊緣的端面，端面照射光線經被測邊緣的端面反射至檢測相機。

本發明提供的檢測機構，能夠實現對待測硅片的被測邊緣的端面及至少一個表面的同時檢測，從而提升了檢修效率，降低了檢測成本。

進一步的，檢測工位所在的平面與水平面平行，待測硅片呈水平設置，第一表面為待測硅片的被測邊緣的上表面，第二表面為待測硅片的被測邊緣的下表面。

在硅片傳輸裝置驅動下的水平傳輸的硅片能夠順利進入并通過檢測機構的檢測工位，從而實現對傳輸過程中的硅片的檢測，進一步提升了檢測效率。

進一步的，表面光源包括上表面光源和下表面光源，表面反射機構包括上表面反射機構和下表面反射機構，其中：上表面光源設置于檢測工位的上方，上表面光源被配置為向被測邊緣的上表面發射上表面照射光線，上表面反射機構被配置為將被測邊緣的上表面反射的上表面照射光線反射至檢測相機；下表面光源設置于檢測工位的下方，下表面光源被配置為向被測邊緣的下表面發射下表面照射光線，下表面反射機構被配置為將被測邊緣的下表面反射的下表面照射光線反射至檢測相機；端面反射機構設置于檢測相機和檢測工位之間，端面光源設置于端面反射機構的側邊，端面反射機構被配置為將端面光源發射的端面照射光線沿垂直于被測邊緣的端面的方向反射至被測邊緣的端面。

通過設置上表面光源、下表面光源、上表面反射機構、下表面反射機構、端面光源、端面反射機構的配合，實現了對待測硅片的被測邊緣的上下表面及端面的同時檢測。此外，上表面光源、下表面光源及端面光源均能實現對對應的被檢測面的垂直照射，使檢測相機能夠接收到主光路的光線，成像清晰，提升了檢測效果。

進一步的，上表面照射光線從被測邊緣的上表面反射至檢測相機的光程長度、下表面照射光線從被測邊緣的下表面反射至檢測相機的光程長度及端面照射光線從被測邊緣的端面反射至檢測相機的光程長度相等。