[發明專利]一種檢測機構及檢測裝置在審
| 申請號: | 201910720030.2 | 申請日: | 2019-08-06 |
| 公開(公告)號: | CN110379727A | 公開(公告)日: | 2019-10-25 |
| 發明(設計)人: | 李文;李昶;徐飛;李澤通;馬紅偉 | 申請(專利權)人: | 無錫奧特維科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司: | 無錫永樂唯勤專利代理事務所(普通合伙) 32369 | 代理人: | 孫際德 |
| 地址: | 214000 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 檢測 表面反射 端面反射 相機 表面光源 表面照射 第二表面 第一表面 照射光線 硅片 配置 表面發射 光線反射 光源發射 檢測裝置 工位 反射 光源 | ||
1.一種檢測機構,其特征在于:所述檢測機構用于檢測處于檢測工位的待測硅片的被測邊緣,所述被測邊緣包括兩個相對的第一表面、第二表面及連接所述第一表面和所述第二表面的端面,所述檢測機構包括表面光源、端面光源、表面反射機構、端面反射機構及檢測相機,其中:
所述表面光源被配置為向所述被測邊緣的至少一個表面發射表面照射光線,所述表面反射機構被配置將所述至少一個表面反射的表面照射光線反射至所述檢測相機;
所述端面反射機構被配置為將所述端面光源發射的端面照射光線反射至所述被測邊緣的端面,端面照射光線經所述被測邊緣的端面反射至所述檢測相機。
2.如權利要求1所述的檢測機構,其特征在于,所述檢測工位所在的平面與水平面平行,所述待測硅片呈水平設置,所述第一表面為待測硅片的被測邊緣的上表面,所述第二表面為待測硅片的被測邊緣的下表面。
3.如權利要求2所述的檢測機構,其特征在于:
所述表面光源包括上表面光源和下表面光源,所述表面反射機構包括上表面反射機構和下表面反射機構,其中:
所述上表面光源設置于所述檢測工位的上方,所述上表面光源被配置為向所述被測邊緣的上表面發射上表面照射光線,所述上表面反射機構被配置為將所述被測邊緣的上表面反射的上表面照射光線反射至所述檢測相機;
所述下表面光源設置于所述檢測工位的下方,所述下表面光源被配置為向所述被測邊緣的下表面發射下表面照射光線,所述下表面反射機構被配置為將所述被測邊緣的下表面反射的下表面照射光線反射至所述檢測相機;
所述端面反射機構設置于所述檢測相機和所述檢測工位之間,所述端面光源設置于所述端面反射機構的側邊,所述端面反射機構被配置為將所述端面光源發射的端面照射光線沿垂直于所述被測邊緣的端面的方向反射至所述被測邊緣的端面。
4.如權利要求3所述的檢測機構,其特征在于:
所述上表面照射光線從所述被測邊緣的上表面反射至所述檢測相機的光程長度、所述下表面照射光線從所述被測邊緣的下表面反射至所述檢測相機的光程長度及所述端面照射光線從所述被測邊緣的端面反射至所述檢測相機的光程長度相等。
5.如權利要求4所述的檢測機構,其特征在于:
所述上表面反射機構包括第一方棱鏡,所述第一方棱鏡設置在所述上表面光源和所述檢測工位之間,所述第一方棱鏡被配置為將所述被測邊緣的上表面反射的上表面照射光線水平反射至所述檢測相機;
所述下表面反射機構包括第二方棱鏡,所述第二方棱鏡設置在所述下表面光源和所述檢測工位之間,所述第二方棱鏡被配置為將所述被測邊緣的下表面反射的下表面照射光線水平反射至所述檢測相機;
所述端面反射機構包括第三方棱鏡,所述第三方棱鏡被配置為將所述端面光源發射的端面照射光線沿垂直于所述被測邊緣的端面的方向反射至所述被測邊緣的端面,所述被測邊緣的端面將所述端面照射光線水平反射至所述第三方棱鏡,所述端面照射光線穿過所述第三方棱鏡后進入至所述檢測相機。
6.如權利要求5所述的檢測機構,其特征在于:
所述第一方棱鏡和所述檢測相機之間設置有第一柱透鏡,所述第一方棱鏡將所述被測邊緣的上表面反射的上表面照射光線水平反射至所述第一柱透鏡,所述上表面照射光線經所述第一柱透鏡傳輸后進入至所述檢測相機;
所述第二方棱鏡和所述檢測相機之間設置有第二柱透鏡,所述第二方棱鏡將所述被測邊緣的下表面反射的下表面照射光線水平反射至所述第二柱透鏡,所述下表面照射光線經所述第二柱透鏡傳輸后進入至所述檢測相機。
7.一種檢測裝置,其特征在于:所述檢測裝置包括第一檢測機構和第二檢測機構,所述第一檢測機構和所述第二檢測機構為權利要求1至6任一項所述的檢測機構,其中:
所述第一檢測機構用于檢測待測硅片的第一被測邊緣,所述第二檢測機構用于檢測待測硅片的第二被測邊緣,所述第一被測邊緣和所述第二被測邊緣為所述待測硅片上相對的且與所述待測硅片的傳輸方向平行的兩條側邊緣。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





