[發明專利]用于沉積腔室的基板支撐件設計

在審

• 申請號: 201910717056.1
• 申請日: 2019-08-05
• 公開（公告）號: CN111092043A
• 公開（公告）日: 2020-05-01
• 發明（設計）人: 考希克·饒;戈文達·瑞澤;阿努巴霍夫·斯利瓦斯塔瓦;桑托斯·庫馬爾·皮拉帕
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/67
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

本公開內容大體涉及一種基板支撐件，所述基板支撐件包括主體，所述主體具有基板接收表面，所述主體包括介電材料。所述主體還包括第一箔，所述第一箔在所述基板接收表面下方嵌入在所述主體中。所述主體還包括導電網狀物，所述導電網狀物在所述第一箔下方嵌入在所述主體中。所述主體還包括中心接頭結構，所述中心接頭結構形成在所述主體的底表面中，與所述網狀物電連通。

技術領域

本公開內容大體涉及用于在沉積腔室中支撐基板的基板支撐件(諸如基座或靜電吸附裝置)的設備和方法。

背景技術

集成電路已發展成復雜器件，其可以在單個芯片上包括數百萬個部件(例如，晶體管、電容器、電阻器及類似部件)。芯片設計的發展需要更快的電路以及更大的電路密度，而對更大的電路密度的需求需要減小集成電路部件的尺寸。例如，超大規模集成(ULSI)電路器件可以包括形成在半導體基板(諸如硅(Si)基板)上的超過一百萬個電子器件(例如，晶體管)，這些電子器件協作以執行器件內的各種功能。

靜電吸盤或ESC通常用于將基板保持在沉積或蝕刻腔室內的基板支撐件上以形成這些器件。在基板上提供均勻的膜沉積的基板的溫度均勻性受基板支撐件的溫度的影響。通常，ESC耦接到接地電位。然而，來自接地的電磁能量可能不利地影響溫度監測裝置操作。另外，腔室清潔工藝通常使用對ESC硬件有腐蝕性的氣體，這會縮短ESC的使用壽命。

需要的是一種可減輕上述一個或多個問題的方法和設備。

發明內容

本公開內容大體涉及一種基板支撐件，所述基板支撐件包括主體，所述主體具有基板接收表面，所述主體包括介電材料。所述主體還包括第一箔，所述第一箔在所述基板接收表面下方嵌入在所述主體中。所述主體還包括導電網狀物，所述導電網狀物在所述第一箔下方嵌入在所述主體中。所述主體還包括中心接頭(tap)結構，所述中心接頭結構形成在所述主體的底表面中，與所述網狀物電連通。

在另一個實施方式中，提供了一種基板支撐件，所述基板支撐件包括：主體，所述主體具有基板接收表面，所述主體包括介電材料；第一箔，所述第一箔在所述基板接收表面下方嵌入在所述主體中；導電網狀物，所述導電網狀物在所述第一箔下方嵌入在所述主體中；第二箔，所述第二箔在所述網狀物與所述主體的底表面之間嵌入在所述主體中；以及中心接頭結構，所述中心接頭結構形成在所述底表面中，與所述網狀物電連通。

在另一個實施方式中，提供了一種基板支撐件，所述基板支撐件包括：復合主體，所述復合主體具有基板接收表面，所述復合主體由介電材料組成，包括：第一箔，所述第一箔在所述基板接收表面下方嵌入在所述主體中；導電網狀物，所述導電網狀物在所述第一箔下方嵌入在所述主體中；中心接頭結構，所述中心接頭結構形成在所述主體的底表面中，與所述網狀物電連通；支撐臂，所述支撐臂從所述主體的中心延伸，以懸臂方式支撐所述主體；接地電纜和溫度傳感器，所述接地電纜和所述溫度傳感器耦接到所述主體并以平行關系容納在所述支撐臂內；以及介電構件，所述介電構件將所述接地電纜和所述溫度傳感器分開。

附圖說明

為了能夠詳細地理解本公開內容的上述特征的方式，可通過參考實施方式獲得上面簡要地概述的本公開內容的更特定的描述，實施方式中的一些在附圖中示出。然而，應當注意，附圖僅示出了示例性實施方式，并且因此不應視為對范圍的限制，因為本公開內容可以允許其它同等有效實施方式。

圖1A是根據一個實施方式的沉積腔室的示意性截面圖。

圖1B是沿圖1A的線1B-1B的沉積腔室的俯視平面圖。

圖2A是示出基板支撐件的一個實施方式的等距視圖。

圖2B是圖2A的基板支撐件的分解圖。

圖3A是示出基板支撐件的另一個實施方式的等距視圖。

圖3B是圖3A的基板支撐件的分解圖。