[發明專利]一種富有機硒葛仙米的培養方法

有效

• 申請號: 201910716327.1
• 申請日: 2019-08-05
• 公開（公告）號: CN110257308B
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發明（設計）人: 王衛;易思富;周豐;田云;候麗華;彭錦桃;郭小玲;楊勝輝;唐道方
• 申請（專利權）人: 常德炎帝牧源農業發展有限公司;常德炎帝生物科技有限公司;湖南炎帝生物工程有限公司
• 主分類號: C12N1/20
• 分類號: C12N1/20;C12N1/36;C12N1/14;C12R1/01;C12R1/645
• 代理公司: 常德天弘知識產權代理事務所(普通合伙) 43245
• 代理人: 劉紅祥

1.一種富有機硒葛仙米的培養方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1）利用富硒固體培養基將蛹蟲草菌種培養成富硒蛹蟲草子實體；

所述富硒固體培養基包括以下重量組份的原料：富硒蛋白草20～25份、葡萄糖2～4份，紅糖1～2份，水溶性淀粉5～8份，復合氨基酸1～2份，小球藻粉1～2份，蚯蚓粉1～2份，葛仙米破損藻體10～20份，小麥20～30份，食鹽0.001～0.005份，pp塑料粒10～20份，土壤浸出液20～30份，水100～200份；

所述培養條件包括：暗培和光培養，暗培溫度18～20℃，周期3～4天，光培養的光暗比為6h:18h，光強為500～1000lux，溫度19～23℃，培養50～60天；

步驟2）酶解采用膠體磨將所述富硒蛹蟲草子實體磨成的菌漿，獲得富含硒代氨基酸的富硒原液；

步驟3）利用富硒液體培養基將對數生長期的葛仙米馴化培養成適應富硒培養的葛仙米藻體；

所述馴化培養用的富硒液體培養基包括以下重量組份的原料：富硒原液30～50份、硫酸鎂0.05～1份、硝酸鈣0.1～0.2份、甘油磷酸鈉0.01～0.03份、硫酸亞鐵0.01～0.025份，氯化鉀0.02～0.05份、氯化鈉0.02～0.05份、水1000～2000份；

所述馴化培養條件包括：光照光強10000～15000lux，溫度20～30℃，通氣培養周期20～30天；

步驟4）誘導培養適應富硒培養的葛仙米藻體，獲得富有機硒的葛仙米；

所述誘導培養所用富硒液體培養基包括以下重量組份的原料：富硒原液30～50份、尿素0.05～0.08份，硫酸鎂0.5～1份、硝酸鈣0.1～0.2份、甘油磷酸鈉0.01～0.03份、硫酸亞鐵0.01～0.025份，氯化鉀0.02～0.05份、氯化鈉0.02～0.05份、水1000～2000份；

所述誘導培養條件包括：波長為620～645nm單色光，光照強度5000～6000lux，溫度20～25℃，通氣培養周期30～40天。

2.根據權利要求1所述的一種富有機硒葛仙米的培養方法，其特征在于，步驟1）具體包括如下步驟：

1）配制包括以下重量組份的原料的富硒固體培養基：富硒蛋白草20～25份、葡萄糖2～4份，紅糖1～2份，水溶性淀粉5～8份，復合氨基酸1～2份，小球藻粉1～2份，蚯蚓粉1～2份，葛仙米破損藻體10～20份，小麥20～30份，食鹽0.001～0.005份，改善透氣性的材料10～20份，土壤浸出液20～30份，水100～200份；

2）滅菌富硒固體培養基：將固體培養基于121℃滅菌30 min冷卻至常溫；

3）接種與培養：蛹蟲草菌種接于富硒固體培養基上，在溫度18～20℃下暗培3～4天，轉為在光暗比為6h:18h，光強500～1000lux，溫度19～23℃下光培50～60天；

4）采收：采收離培養基0.5～1cm以上的蛹蟲草子實體，即得富硒蛹蟲草子實體。

3.根據權利要求1所述的一種富有機硒葛仙米的培養方法，其特征在于，步驟2）具體包括如下步驟：

1）磨漿：采用膠體磨將步驟1）所述富硒蛹蟲草子實體，按料液比15-30g/L磨成菌漿；

2）酶解：將菌漿轉移至發酵罐中，加2000～5000U/g的木瓜蛋白酶，調節pH=6～7，溫度設為55～65℃，通氣攪拌水解3～6h；

3）滅酶：將發酵罐溫度設置為100～121℃，處理15～30min，將未反應的木瓜蛋白酶滅活而獲得酶解液；

4）吸附：在酶解液中加粒徑2～3mm的活性炭10～20g/L，吸附游離硒及脫色3～5h；

5）離心：吸附后的酶解液經6000～8000r/min離心10～15min，取上清液獲得富含硒代氨基酸的富硒原液。