[發明專利]半導體結構及其缺陷檢測方法

有效

• 申請號: 201910710863.0
• 申請日: 2019-08-02
• 公開（公告）號: CN112310043B
• 公開（公告）日: 2022-08-30
• 發明（設計）人: 蔡清彥;黃凱斌;談文毅
• 申請（專利權）人: 聯芯集成電路制造(廈門)有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/66
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導體結構，其特征在于，包括：

芯片；

多個第一圖案，設置在該芯片上，該些第一圖案相互平行地沿著第一方向間隔設置；以及

至少三個開口，設置在該些第一圖案上以截斷該些第一圖案，各該開口在該第一方向上分別具有等比例遞增的尺寸，且該些開口按照該等比例遞增的尺寸依序排列。

2.依據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，該些開口都形成在同一個該第一圖案上。

3.依據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，該些開口分別形成在不同的該第一圖案上。

4.依據權利要求3所述的半導體結構，其特征在于，該些開口在垂直于該第一方向的第二方向上彼此對位。

5.依據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，該些開口在垂直于該第一方向的第二方向上彼此錯位。

6.依據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，還包括多個第二圖案，相互平行地沿著該第一方向間隔設置。

7.依據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，該些開口的尺寸介于6納米至50納米之間。

8.一種半導體結構，其特征在于，包括：

芯片；

多個第一圖案，設置在該芯片上，該些第一圖案相互平行地沿著第一方向間隔設置；以及

至少三個橋接結構，設置在該些第一圖案之間以連接任兩相鄰的該第一圖案，各該橋接結構在該第一方向上分別具有等比例遞增的尺寸，且該些橋接結構按照該等比例遞增的尺寸依序排列。

9.依據權利要求8所述的半導體結構，其特征在于，該些橋接結構分別形成在不同的兩相鄰該第一圖案之間。

10.依據權利要求8所述的半導體結構，其特征在于，該些橋接結構在垂直于該第一方向的第二方向上彼此錯位。

11.依據權利要求8所述的半導體結構，其特征在于，該些橋接結構的尺寸介于6納米至50納米之間。

12.一種半導體結構的缺陷檢測方法，其特征在于，包括：

在晶片上形成多個第一圖案，該些第一圖案相互平行地沿著第一方向間隔設置；

在該晶片上形成多個第二圖案，該些第二圖案相互平行地沿著該第一方向間隔設置，并設置于該些第一圖案一側；

在該晶片上形成至少三個微結構，其中，各該微結構在該第一方向上具有不同的尺寸，各該微結構的該不同的尺寸以等比例依序遞增且依序排列，該些微結構位于該些第一圖案所在的區域內；以及

以該些微結構作為檢測依據對該晶片進行缺陷檢驗。

13.依據權利要求12所述的半導體結構的缺陷檢測方法，其特征在于，還包括：

測量該些微結構的尺寸；

定位該些微結構的形成位置；以及

依據該些微結構的該尺寸與該形成位置進行對該晶片進行缺陷檢驗。

14.依據權利要求12所述的半導體結構的缺陷檢測方法，其特征在于，各該微結構在垂直于該第一方向的第二方向上彼此錯位排列。

15.依據權利要求12所述的半導體結構的缺陷檢測方法，其特征在于，該些微結構包括形成在該些第一圖案上的至少三個開口，以截斷該些第一圖案。

16.依據權利要求12所述的半導體結構的缺陷檢測方法，其特征在于，該些微結構包括形成在該些第一圖案之間的至少三個橋接結構，以連接任兩相鄰的該些第一圖案。

17.依據權利要求12所述的半導體結構的缺陷檢測方法，其特征在于，該些第一圖案與該些第二圖案都位于該晶片的主動管芯區內。