[發明專利]多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法

有效

• 申請號: 201910710420.1
• 申請日: 2019-08-02
• 公開（公告）號: CN110794650B
• 公開（公告）日: 2022-03-22
• 發明（設計）人: 松本裕史
• 申請（專利權）人: 紐富來科技股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 劉英華

本發明涉及多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法。本發明的一個形態的多帶電粒子束描繪裝置，具有：減法運算處理電路，以使得與由缺陷束帶來的過剩劑量同樣的劑量被缺陷束的周圍的束群分擔的方式，從缺陷束的周圍的束群的各自的劑量減去對應的分擔劑量，上述缺陷束是多帶電粒子束中的、無法進行束的劑量控制而照射的劑量達到過剩的缺陷束；以及描繪機構，具有載置樣本的工作臺及使多帶電粒子束偏轉的偏轉器，使用與上述缺陷束的上述過剩劑量同樣的劑量被分擔而被從上述周圍的束群的劑量減去后得到的劑量的多帶電粒子束，對上述樣本描繪圖案。

技術領域

本發明涉及多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法，例如涉及降低基于多束描繪的圖案的尺寸偏移的方法。

背景技術

擔負半導體器件的微細化的進展的平版印刷技術，即使在半導體制造工藝中也是生成唯一圖案的極為重要的工藝。近年來，伴隨著LSI的高集成化，半導體器件所要求的電路線寬逐年微細化。在此，電子線(電子束)描繪技術本質上具有優異的清晰度，進行如下處理：使用電子線向掩模底版(mask blanks)描繪掩模圖案。

例如，有使用了多束的描繪裝置。與用1根電子束進行描繪的情況相比，通過使用多束，一次能夠照射許多的束，所以能夠使生產量大幅提高。在該多束方式的描繪裝置中，例如，使從電子槍放射的電子束通過具有多個孔的掩模而形成多束，分別被消隱控制，未被遮蔽的各束在光學系統中被縮小，掩模像被縮小后，通過偏轉器被偏轉并被照射到樣本上的期望的位置。

在多束描繪中，通過照射時間來控制從各束照射的劑量。但是，由于消隱控制機構的故障等，照射時間控制變得困難，可能產生將比期望的劑量過剩的劑量照射于樣本的缺陷束。例如，舉出始終開啟(ON)束作為代表例。過剩劑量被照射于樣本時，有在樣本上形成的圖案發生形狀誤差的問題。關于該問題，公開了如下方法：進行對通過名義上的多束來描繪的描繪區域的合計線量分布與通過包含缺陷束的多束來描繪的描繪區域的合計線量分布的誤差函數達到最小的校正線量值進行搜索的運算，并將相鄰像素的線量置換為校正線量值(例如，參照日本特開2015－165565號公報)。但是，合計線量分布的誤差函數的計算處理需要時間。在此，通過多束來描繪的描繪區域的合計線量分布(劑量圖)，依賴于描繪的圖案的配置，并且為龐大的數據量，因此事前計算是困難的，按每個區域與描繪處理平行地進行。因此，合計線量分布的誤差函數的計算處理也同樣地與描繪處理平行地進行。因此，在該方法中，可能發生如下情況，即，使用了合計線量分布的誤差函數的計算處理跟不上描繪處理的速度，而描繪處理停滯的情況。因此，希望通過更簡易的方法來降低由過剩劑量引起的圖案的形狀誤差。

發明內容

本發明的一個形態，提供在多束描繪中能夠用簡易的方法來降低由過剩劑量引起的圖案的形狀誤差的裝置及方法。

本發明的一個形態的多帶電粒子束描繪裝置，具備：

放射源，放射帶電粒子束；

成形孔徑陣列基板，接受帶電粒子束的照射，形成多帶電粒子束；

減法運算處理電路，以使得與由缺陷束帶來的過剩劑量同樣的劑量被缺陷束的周圍的束群分擔的方式，從缺陷束的周圍的束群的各自的劑量減去對應的分擔劑量，上述缺陷束是多帶電粒子束中的、無法進行束的劑量控制而照射的劑量達到過剩的缺陷束；以及

描繪機構，具有載置樣本的工作臺及使多帶電粒子束偏轉的偏轉器，使用與上述缺陷束的上述過剩劑量同樣的劑量被分擔而被從上述周圍的束群的劑量減去而得到的劑量的多帶電粒子束，對上述樣本描繪圖案。

本發明的一個形態的多帶電粒子束描繪方法，

形成多帶電粒子束，

以使得與由缺陷束帶來的過剩劑量同樣的劑量被上述缺陷束的周圍的束群分擔的方式，從上述缺陷束的周圍的束群的各自的劑量減去對應的分擔劑量，該缺陷束是多帶電粒子束中的、無法進行束的劑量控制而照射的劑量達到過剩的缺陷束，