[發(fā)明專利]一種提高大規(guī)模芯片組定位精度的即時(shí)自補(bǔ)償方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910708165.7
• 申請(qǐng)日: 2019-08-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110571159A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-12-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡琨辰;楊斌;崔成強(qiáng);林挺宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東芯華微電子技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/50
• 分類號(hào): H01L21/50;H01L21/60
• 代理公司: 44401 廣州知順知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 彭志堅(jiān)

本發(fā)明提供一種提高大規(guī)模芯片組定位精度的即時(shí)自補(bǔ)償方法，包括以下步驟：提供一承載板，在承載板的表面貼上臨時(shí)鍵合膠；在貼有臨時(shí)鍵合膠的承載板表面覆銅，通過(guò)高精度曝光顯影設(shè)備制作出定位平臺(tái)；在定位平臺(tái)上涂覆一層漿料；通過(guò)貼片設(shè)備將芯片貼裝在漿料的表面；將上述貼有芯片的承載板經(jīng)過(guò)回流焊工序。本發(fā)明的提高大規(guī)模芯片組定位精度的即時(shí)自補(bǔ)償方法能夠在較低設(shè)備的成本下有效提高大規(guī)模芯片的定位精度，提高產(chǎn)品良率，降低生產(chǎn)成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及扇出型封裝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種提高大規(guī)模芯片組定位精度的即時(shí)自補(bǔ)償方法。

背景技術(shù)

在大板級(jí)扇出型封裝工藝過(guò)程中，一般需要將芯片轉(zhuǎn)移到300*300mm、600*600mm或更大尺寸的載板上，由于需要轉(zhuǎn)移的芯片數(shù)量巨大，往往一次性從晶圓上抓取大量芯片進(jìn)行貼片(Die bond)的操作容易出現(xiàn)一定程度上的定位誤差，該誤差一旦出現(xiàn)且不及時(shí)修正，就會(huì)導(dǎo)致后續(xù)精細(xì)線路對(duì)位不準(zhǔn)，無(wú)法將芯片I/O接口良好引出，導(dǎo)致芯片失效、良率降低。現(xiàn)有的生產(chǎn)方法通常是選擇采購(gòu)更高精度的設(shè)備進(jìn)行彌補(bǔ)這一問(wèn)題，而往往此類設(shè)備的價(jià)格都非常的昂貴，對(duì)于生產(chǎn)型企業(yè)來(lái)說(shuō)，設(shè)備的采購(gòu)成本和維護(hù)成本都很高。

此外，還有一些企業(yè)會(huì)選擇采用芯片前補(bǔ)償法或芯片后補(bǔ)償法進(jìn)行精度調(diào)整；芯片前補(bǔ)償法是指在預(yù)知芯片定位偏移方向和偏移量的前提下，進(jìn)行一定的預(yù)偏移進(jìn)行修正，從而補(bǔ)償芯片夾取貼片產(chǎn)生的位置精度誤差；芯片后補(bǔ)償法則采用AOI等檢測(cè)設(shè)備在芯片完成定位后進(jìn)行光學(xué)輔助檢測(cè)，再將此時(shí)芯片貼裝的位置信息傳送給后續(xù)曝光顯影、激光打孔等設(shè)備進(jìn)行線路修正，從而達(dá)到精細(xì)線路的準(zhǔn)確制作。

然而，芯片的位置偏移往往具有不確定性，芯片前補(bǔ)償法的手段往往并不能實(shí)現(xiàn)全面大量芯片組的同時(shí)精度預(yù)判，該法具有一定的局限。而芯片后補(bǔ)償法則通常要靠一定精度以上的多臺(tái)輔助設(shè)備進(jìn)行協(xié)同配合方可操作，而此類設(shè)備的價(jià)格都非常的昂貴。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種能夠有效提高大規(guī)模芯片的定位精度，提高產(chǎn)品良率，降低生產(chǎn)成本的提高大規(guī)模芯片組定位精度的即時(shí)自補(bǔ)償方法。

本發(fā)明采用的技術(shù)方案為：一種提高大規(guī)模芯片組定位精度的即時(shí)自補(bǔ)償方法，包括以下步驟：

提供一承載板，在承載板的表面貼上臨時(shí)鍵合膠；

在貼有臨時(shí)鍵合膠的承載板表面覆銅，通過(guò)高精度曝光顯影設(shè)備制作出定位平臺(tái)；

在定位平臺(tái)上涂覆一層漿料；

通過(guò)貼片設(shè)備將芯片貼裝在漿料的表面；

將上述貼有芯片的承載板經(jīng)過(guò)回流焊工序，使?jié){料受熱熔化，使之具有表面張力和液體浸潤(rùn)性，熔化的漿料開(kāi)始流動(dòng)浸潤(rùn)芯片并吸附側(cè)移或偏轉(zhuǎn)的芯片進(jìn)行自對(duì)位，使得芯片精準(zhǔn)地歸位到定位平臺(tái)上。

進(jìn)一步地，所述高精度曝光顯影設(shè)備為直接成像技術(shù)設(shè)備。

進(jìn)一步地，所述高精度曝光顯影設(shè)備為L(zhǎng)DI設(shè)備。

進(jìn)一步地，所述漿料為錫釬漿料或納米金屬漿料。

本發(fā)明還提供如下技術(shù)方案：一種提高大規(guī)模芯片組定位精度的即時(shí)自補(bǔ)償方法，包括以下步驟：

提供一承載板，在承載板的表面覆銅；

通過(guò)高精度曝光顯影設(shè)備在上述覆銅的承載板上制作出定位平臺(tái)；

在定位平臺(tái)上涂覆一層漿料；

通過(guò)貼片設(shè)備將芯片貼裝在漿料的表面；

將上述貼有芯片的承載板經(jīng)過(guò)回流焊工序，使?jié){料受熱熔化，使之具有表面張力和液體浸潤(rùn)性，熔化的漿料開(kāi)始流動(dòng)浸潤(rùn)芯片并吸附側(cè)移或偏轉(zhuǎn)的芯片進(jìn)行自對(duì)位，使得芯片精準(zhǔn)地歸位到定位平臺(tái)上。

進(jìn)一步地，所述高精度曝光顯影設(shè)備為直接成像技術(shù)設(shè)備。