[發明專利]一種提高大規模芯片組定位精度的即時自補償方法在審
| 申請號： | 201910708165.7 | 申請日： | 2019-08-01 |
| 公開（公告）號： | CN110571159A | 公開（公告）日： | 2019-12-13 |
| 發明（設計）人： | 蔡琨辰;楊斌;崔成強;林挺宇 | 申請（專利權）人： | 廣東芯華微電子技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/50 | 分類號： | H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 44401 廣州知順知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人： | 彭志堅 |
| 地址： | 528225 廣東省佛山市獅山鎮南海*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 大規模芯片 承載板 定位平臺 臨時鍵合 自補償 漿料 承載板表面 產品良率 曝光顯影 貼片設備 芯片貼裝 表面貼 回流焊 覆銅 涂覆 芯片 | ||
1.一種提高大規模芯片組定位精度的即時自補償方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供一承載板，在承載板的表面貼上臨時鍵合膠；
在貼有臨時鍵合膠的承載板表面覆銅，通過高精度曝光顯影設備制作出定位平臺；
在定位平臺上涂覆一層漿料；
通過貼片設備將芯片貼裝在漿料的表面；
將上述貼有芯片的承載板經過回流焊工序，使漿料受熱熔化，使之具有表面張力和液體浸潤性，熔化的漿料開始流動浸潤芯片并吸附側移或偏轉的芯片進行自對位，使得芯片精準地歸位到定位平臺上。
2.如權利要求1所述的提高大規模芯片組定位精度的即時自補償方法，其特征在于：所述高精度曝光顯影設備為直接成像技術設備。
3.如權利要求1所述的提高大規模芯片組定位精度的即時自補償方法，其特征在于：所述高精度曝光顯影設備為LDI設備。
4.如權利要求1所述的提高大規模芯片組定位精度的即時自補償方法，其特征在于：所述漿料為錫釬漿料或納米金屬漿料。
5.一種提高大規模芯片組定位精度的即時自補償方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供一承載板，在承載板的表面覆銅；
通過高精度曝光顯影設備在上述覆銅的承載板上制作出定位平臺；
在定位平臺上涂覆一層漿料；
通過貼片設備將芯片貼裝在漿料的表面；
將上述貼有芯片的承載板經過回流焊工序，使漿料受熱熔化，使之具有表面張力和液體浸潤性，熔化的漿料開始流動浸潤芯片并吸附側移或偏轉的芯片進行自對位，使得芯片精準地歸位到定位平臺上。
6.如權利要求5所述的提高大規模芯片組定位精度的即時自補償方法，其特征在于：所述高精度曝光顯影設備為直接成像技術設備。
7.如權利要求5所述的提高大規模芯片組定位精度的即時自補償方法，其特征在于：所述高精度曝光顯影設備為LDI設備。
8.如權利要求5所述的提高大規模芯片組定位精度的即時自補償方法，其特征在于：所述漿料為錫釬漿料或納米金屬漿料。
9.如權利要求5所述的提高大規模芯片組定位精度的即時自補償方法，其特征在于：在所述承載板的雙表面覆銅。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
