[發明專利]一種邊緣損傷縱深的計算方法及裝置

在審

• 申請號: 201910707109.1
• 申請日: 2019-08-01
• 公開（公告）號: CN110333251A
• 公開（公告）日: 2019-10-15
• 發明（設計）人: 張婉婉;文英熙
• 申請（專利權）人: 西安奕斯偉硅片技術有限公司
• 主分類號: G01N21/95
• 分類號: G01N21/95;G01N1/32;G01B11/22
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;劉偉

本發明實施例提供了一種邊緣損傷縱深的計算方法及裝置，邊緣損傷縱深的計算方法包括：對待檢測樣品的待檢測表面進行n次拋光處理，使得待檢測表面能夠顯現損傷界面，n為大于或等于1的整數；其中待檢測樣品是在待檢測硅片上靠近邊緣處沿著預設方向切割得到；每次拋光處理后對待檢測表面進行蝕刻處理；根據每次待檢測表面的蝕刻處理結果，確定待檢測硅片的損傷縱深，損傷縱深為損傷界面到靠近損傷界面一側處的邊緣的垂直距離。其中損傷縱深可以用于表示待檢測硅片邊緣處的損傷深度，可以解決現有的損傷測定方法無法測定硅片邊緣處的損傷深度的問題，進而可以獲得高品質的硅片，以滿足半導體的日益高度集成化的要求。

技術領域

本發明涉及硅片的加工制造領域，特別涉及一種邊緣損傷縱深的計算方法及裝置。

背景技術

通常地，硅片的制造過程為：硅晶錠的生長、晶錠的滾磨、切割、研削、研磨等的多種的工序進行加工。在對晶錠進行滾磨、切割、研削、研磨等加工工序中會導致其表面區域產生機械加工損傷。另外，隨著半導體的日益高度集成化，對硅片的表面特性要求趨向高品質化，能夠準確分析硅片的加工損傷深度對于提高硅片制造工程的精度是尤為重要的。但是，由于垂直研磨工藝會導致硅片出現邊緣部位坍塌或破碎的現象等，現有的損傷測定方法無法測量或準確測量硅片邊緣處的損傷深度，通過現有的損傷測定方法無法獲得高品質的硅片，無法滿足半導體的日益高度集成化的要求。

發明內容

本發明實施例提供了一種邊緣損傷縱深的計算方法及裝置，以解決現有的損傷測定方法無法測定硅片邊緣處的損傷深度的問題。

第一方面，為了解決上述技術問題，本發明實施例提供了一種邊緣損傷縱深的計算方法，包括：

對待檢測樣品的待檢測表面進行n次拋光處理，使得所述待檢測表面能夠顯現損傷界面，n為大于或等于1的整數；其中所述待檢測樣品是在待檢測硅片上靠近邊緣處沿著預設方向切割得到；

每次拋光處理后對所述待檢測表面進行蝕刻處理；

根據每次所述待檢測表面的蝕刻處理結果，確定所述待檢測硅片的損傷縱深，所述損傷縱深為所述損傷界面到靠近所述損傷界面一側處的邊緣的垂直距離。

可選地，在所述對待檢測樣品的待檢測表面進行n次拋光處理的步驟之前，所述方法還包括：

對待檢測硅片進行熱處理；

沿著預設方向在所述待檢測硅片上靠近邊緣處切割得到待檢測樣品。

可選地，所述對待檢測硅片進行熱處理，包括：

對所述待檢測硅片進行退火處理。

可選地，所述對待檢測樣品的待檢測表面進行n次拋光處理，包括：

提供一夾具；

所述夾具夾持所述待檢測樣品，使得所述待檢測表面與水平面平行；

對所述待檢測表面進行n次化學軟拋處理。

可選地，所述每次拋光處理后對所述待檢測表面進行蝕刻處理，包括：

每次拋光處理后對待檢測表面進行賴特蝕刻處理。

可選地，所述根據每次所述待檢測表面的蝕刻處理結果，確定所述待檢測硅片的損傷縱深，包括：

每次對待檢測表面拋光預設深度后，根據每次所述待檢測表面的蝕刻處理結果，確定每次拋光后的損傷測量長度L_i，所述損傷測量長度L_i用于表示在所述待檢測表面上所述損傷界面到靠近所述損傷界面一側的邊緣的距離，其中i表示拋光次序，n≥i≥1且i為整數。

確定每次拋光后的所述損傷層界面與所述待檢測表面之間的夾角α_i；