[發明專利]一種邊緣損傷縱深的計算方法及裝置

在審

• 申請號: 201910707109.1
• 申請日: 2019-08-01
• 公開（公告）號: CN110333251A
• 公開（公告）日: 2019-10-15
• 發明（設計）人: 張婉婉;文英熙
• 申請（專利權）人: 西安奕斯偉硅片技術有限公司
• 主分類號: G01N21/95
• 分類號: G01N21/95;G01N1/32;G01B11/22
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;劉偉

1.一種邊緣損傷縱深的計算方法，其特征在于，包括：

對待檢測樣品的待檢測表面進行n次拋光處理，使得所述待檢測表面能夠顯現損傷界面，n為大于或等于1的整數；其中所述待檢測樣品是在待檢測硅片上靠近邊緣處沿著預設方向切割得到；

每次拋光處理后對所述待檢測表面進行蝕刻處理；

根據每次所述待檢測表面的蝕刻處理結果，確定所述待檢測硅片的損傷縱深，所述損傷縱深為所述損傷界面到靠近所述損傷界面一側處的邊緣的垂直距離。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述對待檢測樣品的待檢測表面進行n次拋光處理的步驟之前，所述方法還包括：

對待檢測硅片進行熱處理；

沿著預設方向在所述待檢測硅片上靠近邊緣處切割得到待檢測樣品。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述對待檢測硅片進行熱處理，包括：

對所述待檢測硅片進行退火處理。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對待檢測樣品的待檢測表面進行n次拋光處理，包括：

提供一夾具；

所述夾具夾持所述待檢測樣品，使得所述待檢測表面與水平面平行；

對所述待檢測表面進行n次化學軟拋處理。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述每次拋光處理后對所述待檢測表面進行蝕刻處理，包括：

每次拋光處理后對待檢測表面進行賴特蝕刻處理。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據每次所述待檢測表面的蝕刻處理結果，確定所述待檢測硅片的損傷縱深，包括：

每次對待檢測表面拋光預設深度后，根據每次所述待檢測表面的蝕刻處理結果，確定每次拋光后的損傷測量長度L_i，所述損傷測量長度L_i用于表示在所述待檢測表面上所述損傷界面到靠近所述損傷界面一側的邊緣的距離，其中i表示拋光次序，n≥i≥1且i為整數。

確定每次拋光后的所述損傷層界面與所述待檢測表面之間的夾角α_i；

根據損傷測量長度L_i以及損傷層界面與待檢測表面之間的夾角α_i，確定每次拋光后的損傷縱深D_i；

根據每次拋光后的損傷縱深D_i，確定待檢測硅片的損傷縱深D。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述根據損傷測量長度L_i以及損傷層界面與待檢測表面之間的夾角α_i，確定每次拋光的損傷縱深D_i，包括：

根據以下公式確定每次拋光的損傷縱深D_i

D_i＝L_i*sinα_i

其中，D_i表示第i次拋光后的損傷縱深，L_i表示第i次拋光后的損傷測量長度；α_i第i次拋光后的損傷層界面與待檢測表面之間的夾角。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述根據每次拋光后的損傷縱深D_i，確定待檢測硅片的損傷縱深D，包括：

根據以下公式確定待檢測硅片的損傷縱深D

其中，D_i表示第i次拋光后的損傷縱深，n表示最大拋光次數。

9.一種邊緣損傷縱深的計算裝置，其特征在于，包括：

拋光模塊，用于對待檢測樣品的待檢測表面進行n次拋光處理，使得所述待檢測表面能夠顯現損傷界面，n為大于或等于1的整數；其中所述待檢測樣品是在待檢測硅片上靠近邊緣處沿著預設方向切割得到；

蝕刻模塊，用于每次拋光處理后對所述待檢測表面進行蝕刻處理；

確定模塊，用于根據每次所述待檢測表面的蝕刻處理結果，確定所述待檢測硅片的損傷縱深，所述損傷縱深為所述損傷界面到靠近所述損傷界面一側處的邊緣的垂直距離。

10.根據權利要求9所述的計算裝置，其特征在于，所述確定模塊包括：

第一確定單元，用于每次對待檢測表面拋光預設深度后，根據每次所述待檢測表面的蝕刻處理結果，確定每次拋光后的損傷測量長度L_i，所述損傷測量長度L_i用于表示在所述待檢測表面上所述損傷界面到靠近所述損傷界面一側的邊緣的距離，其中i表示拋光次序，i為大于或等于1的整數；

第二確定單元，用于確定每次拋光后的所述損傷層界面與所述待檢測表面之間的夾角α_i；

第三確定單元，用于根據損傷測量長度L_i以及損傷層界面與待檢測表面之間的夾角α_i，確定每次拋光后的損傷縱深D_i；

第四確定單元，用于根據每次拋光后的損傷縱深D_i，確定待檢測硅片的損傷縱深D。