[發明專利]封裝結構

在審

• 申請號: 201910706937.3
• 申請日: 2019-08-01
• 公開（公告）號: CN111987053A
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發明（設計）人: 宋潔;許曉鳳;林平平
• 申請（專利權）人: 臺達電子國際（新加坡）私人有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/48;H01L21/60
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張福根;付文川

1.一種封裝結構，包含：

一第一封裝元件，包含一第一金屬層、一第一絕緣層、一第二金屬層，該第一絕緣層形成于該第一金屬層及該第二金屬層之間；

一第二封裝元件，包含一第三金屬層；

至少一半導體芯片，設置于該第一封裝元件及該第二封裝元件之間，該至少一半導體芯片包含多個導接端，該多個導接端連接于該第一金屬層或該第三金屬層；

多個金屬接腳，設置于該第二封裝元件及該第一封裝元件之間，且由該第二封裝元件及該第一封裝元件向外延伸，該多個金屬接腳分別電連接于該多個導接端；以及

一第二絕緣層，設置于該第一封裝元件及該第二封裝元件之間，以穩固該第一封裝元件、該第二封裝元件、該至少一半導體芯片及該多個金屬接腳。

2.如權利要求1所述的封裝結構，其中該第一金屬層形成于該第一絕緣層上，且包含相互分離的一第一部及一第二部，其中該半導體芯片包含一第一面、與該第一面相對應的一第二面、至少一第一導接端及至少一第二導接端，其中該至少一第一導接端及該至少一第二導接端設置于該第二面上，該至少一第一導接端連接于該第一金屬層的該第一部，該至少一第二導接端連接于該第一金屬層的該第二部，其中該第二絕緣層包含一第一部、一第二部及一第三部，該第二絕緣層的該第一部設置于該半導體芯片、該第一金屬層的該第一部、該第一金屬層的該第二部及該第一絕緣層之間，該第二絕緣層的該第二部設置于該半導體芯片、該金屬接腳、該第一金屬層的該第一部及該第三金屬層之間，該第二絕緣層的該第三部設置于該半導體芯片、該第一金屬層的該第二部及該第三金屬層之間。

3.如權利要求2所述的封裝結構，還包含一第一導電層，設置于該第一封裝元件及該第二封裝元件之間，其中部分的該第一導電層連接于該半導體芯片的該第一面及該第三金屬層之間，另外部分的該第一導電層連接于該金屬接腳的一第一面及該第三金屬層之間。

4.如權利要求2所述的封裝結構，還包含一第二導電層，設置于該第一封裝元件及該第二封裝元件之間，且該第二導電層還包含一第一部、一第二部及一第三部，其中該第二導電層的該第一部連接于該至少一第一導接端及該第一金屬層的該第一部之間，該第二導電層的該第二部連接于該至少一第二導接端及該第一金屬層的該第二部之間，該第二導電層的該第三部連接于該金屬接腳的一第二面及該第一金屬層之間。

5.如權利要求2所述的封裝結構，其中該第一金屬層包含至少一第一凹槽及至少一第二凹槽，位于該第一金屬層的該第一部及該第一金屬層的該第二部之間，其中該第二凹槽設置于該第一凹槽上，部分的該第二絕緣層經由該第一凹槽及該第二凹槽暴露出來，其中該半導體芯片容置于該第一凹槽。

6.如權利要求5所述的封裝結構，其中該第二封裝元件還包含：

一第三絕緣層，形成于該第三金屬層上；以及

一第四金屬層，形成于該第三絕緣層上。

7.如權利要求6所述的封裝結構，其中該第一金屬層包含至少一第三凹槽，該第三金屬層包含至少一第四凹槽，其中部分的該第一絕緣層經由該第三凹槽暴露出來，部分的該第三絕緣層經由該第四凹槽暴露出來，該至少一第三凹槽對應于該至少一第四凹槽的設置位置，其中該第二絕緣層的該第三部設置于該第三凹槽及該第四凹槽，且該第二絕緣層的該第三部設置于該第一金屬層的該第二部、該第一絕緣層、該半導體芯片、該第三金屬層及該第三絕緣層之間。

8.如權利要求4所述的封裝結構，其中該半導體芯片的該至少一第二導接端包含多個第二導接端，其中該封裝結構還包含：

至少一第一導電柱，連接于該半導體芯片的該至少一第一導接端及該第二導電層的該第一部之間；以及

多個第二導電柱，連接于該半導體芯片的該多個第二導接端及該第二導電層的該第二部之間。