[發(fā)明專利]反應(yīng)腔室

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910706810.1
• 申請日: 2019-08-01
• 公開（公告）號: CN110400768B
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄧曉軍
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;C30B25/14
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11315
• 代理人: 蘭天爵

本發(fā)明提供一種反應(yīng)腔室，包括腔體、設(shè)置在腔體內(nèi)的基座，還包括進(jìn)氣裝置，該進(jìn)氣裝置包括與所述基座的承載面相垂直的出氣面，出氣面上設(shè)置有中心出氣口組、中間出氣口組和邊緣出氣口組；其中，中心出氣口組、中間出氣口組和所述邊緣出氣口組分別與基座的中心區(qū)域、中間區(qū)域和邊緣區(qū)域一一對應(yīng)。通過本發(fā)明解決了大尺寸基板外延生長薄膜厚度分布不均勻，以及均勻性可調(diào)性差的問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體地，涉及一種反應(yīng)腔室。

背景技術(shù)

目前，隨著電子技術(shù)的高速發(fā)展，人們對集成電路的集成度要求越來越高，這就要求集成電路的企業(yè)不斷地提高半導(dǎo)體器件的加工能力。而隨著市場需求的變化，待加工晶片尺寸和反應(yīng)腔室體積越來越大，如何保證工藝氣體快速均勻的分布是本領(lǐng)域亟待解決的一個(gè)問題。

如圖1所示為現(xiàn)有反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖，其中反應(yīng)腔室1’為圓形腔室，其前端裝配有進(jìn)氣裝置2’，后端轉(zhuǎn)配有排氣裝置3’；進(jìn)一步，如圖2與圖3分別為現(xiàn)有進(jìn)氣裝置的后視圖與前視圖；工藝氣體分別由第一進(jìn)氣管路21’、第二進(jìn)氣管路22’進(jìn)入進(jìn)氣裝置主體中，第一進(jìn)氣管路21’中的工藝氣體從第一進(jìn)氣口23’進(jìn)入工藝腔室；第二進(jìn)氣管路22’的工藝氣體分成兩路，這兩路氣體分別從第二進(jìn)氣口24’、第三進(jìn)氣口25’進(jìn)入工藝腔室。進(jìn)一步，第一進(jìn)氣管路21’、第二進(jìn)氣管路22’上裝有氣體流量調(diào)節(jié)閥，從而能夠控制各路氣體流量大小。

第一進(jìn)氣口23’、第二進(jìn)氣口24’以及第三進(jìn)氣口25’的區(qū)域較大，只能針對小尺寸基板控制工藝氣體，但是對于大尺寸基板(包括半徑為200mm、300mm或者300mm以上的基板)無法精確控制工藝氣體在基板上的分布。現(xiàn)有技術(shù)中，僅能通過第一進(jìn)氣管路21’和第二進(jìn)氣管路22’對基板上方氣流進(jìn)行調(diào)節(jié)，氣流控制性較差，導(dǎo)致基板中心點(diǎn)、1/2R(R為基板半徑，1/2R為基板半徑中心)處厚度均勻性可調(diào)性較差，無法滿足大尺寸基板的要求。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種反應(yīng)腔室，以提高大尺寸基板工藝氣體沉積的均勻性。

為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的而提供一種反應(yīng)腔室，包括腔體、設(shè)置在所述腔體內(nèi)的基座，還包括進(jìn)氣裝置，所述進(jìn)氣裝置包括與所述基座的承載面相垂直的出氣面，所述出氣面上設(shè)置有中心出氣口組、中間出氣口組和邊緣出氣口組；其中，

所述中心出氣口組、所述中間出氣口組和所述邊緣出氣口組分別與所述基座的中心區(qū)域、中間區(qū)域和邊緣區(qū)域一一對應(yīng)。

優(yōu)選地，所述中心出氣口組、所述中間出氣口組和所述邊緣出氣口組均包括一個(gè)或者多個(gè)出氣口，且各組所述出氣口組中的出氣口的總橫向?qū)挾扰c所述出氣口組對應(yīng)的基座區(qū)域的徑向?qū)挾认嗟取?/p>

優(yōu)選地，所述中間出氣口組的總橫向?qū)挾刃∮诘扔谒鲋行某鰵饪诮M的總橫向?qū)挾龋凰鲞吘壋鰵饪诮M的總橫向?qū)挾却笥诘扔谒鲋行某鰵饪诮M的總橫向?qū)挾取?/p>

優(yōu)選地，所述中間出氣口組為兩組，分別位于所述中心出氣口組的兩側(cè)，且每組中間出氣口組的中心與所述中心出氣口組的中心的距離均等于所述基座的半徑的二分之一。

優(yōu)選地，所述進(jìn)氣裝置還包括與所述中心出氣口組、所述中間出氣口組和所述邊緣出氣口組一一對應(yīng)設(shè)置的三條進(jìn)氣管路，每條所述進(jìn)氣管路上均設(shè)置有流量控制裝置。

優(yōu)選地，所述進(jìn)氣管路包括中間進(jìn)氣管路，在所述中間進(jìn)氣管路上設(shè)置有調(diào)壓閥。

優(yōu)選地，所述進(jìn)氣裝置還包括：的中心均流板組、中間均流板組和邊緣均流板組，三者分別與所述中心出氣口組、所述中間出氣口組和所述邊緣出氣口組一一對應(yīng)，且每組所述均流板組上均設(shè)置有均流孔。

優(yōu)選地，所述中心均流板組、中間均流板組和邊緣均流板組上的所述均流孔的直徑相同，所述中心均流板組上的所述均流孔的數(shù)量均大于所述中間均流板組以及所述邊緣均流板組上的所述均流孔的數(shù)量。