[發明專利]反應腔室有效
| 申請號: | 201910706810.1 | 申請日: | 2019-08-01 |
| 公開(公告)號: | CN110400768B | 公開(公告)日: | 2022-08-16 |
| 發明(設計)人: | 鄧曉軍 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;C30B25/14 |
| 代理公司: | 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315 | 代理人: | 蘭天爵 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 反應 | ||
1.一種反應腔室,包括腔體、設置在所述腔體內的基座,其特征在于,還包括進氣裝置,所述進氣裝置包括與所述基座的承載面相垂直的出氣面,所述出氣面上設置有沿所述進氣裝置的寬度方向排布的中心出氣口組、中間出氣口組和邊緣出氣口組;其中,
所述中心出氣口組、所述中間出氣口組和所述邊緣出氣口組分別與所述基座的中心區域、中間區域和邊緣區域一一對應;
所述進氣裝置還包括與所述中心出氣口組、所述中間出氣口組和所述邊緣出氣口組一一對應設置的三條進氣管路,每條所述進氣管路上均設置有流量控制裝置;
每條所述進氣管路和與其對應的出氣口組之間還設置有至少一條進氣通道。
2.根據權利要求1所述的反應腔室,其特征在于,所述中心出氣口組、所述中間出氣口組和所述邊緣出氣口組均包括一個或者多個出氣口,且各組所述出氣口組中的出氣口的總橫向寬度與所述出氣口組對應的基座區域的徑向寬度相等。
3.根據權利要求2所述的反應腔室,其特征在于,所述中間出氣口組的總橫向寬度小于等于所述中心出氣口組的總橫向寬度;所述邊緣出氣口組的總橫向寬度大于等于所述中心出氣口組的總橫向寬度。
4.根據權利要求3所述的反應腔室,其特征在于,所述中間出氣口組為兩組,分別位于所述中心出氣口組的兩側,且每組中間出氣口組的中心與所述中心出氣口組的中心的距離均等于所述基座的半徑的二分之一。
5.根據權利要求1所述的反應腔室,其特征在于,所述進氣管路包括中間進氣管路,在所述中間進氣管路上設置有調壓閥。
6.根據權利要求1所述的反應腔室,其特征在于,所述進氣裝置還包括:中心均流板組、中間均流板組和邊緣均流板組,三者分別與所述中心出氣口組、所述中間出氣口組和所述邊緣出氣口組一一對應,且每組所述均流板組上均設置有均流孔。
7.根據權利要求6所述的反應腔室,其特征在于,所述中心均流板組、中間均流板組和邊緣均流板組上的所述均流孔的直徑相同,所述中心均流板組上的所述均流孔的數量均大于所述中間均流板組以及所述邊緣均流板組上的所述均流孔的數量。
8.根據權利要求1所述的反應腔室,其特征在于,三條所述進氣管路的總流量等于預設流量值。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





