[發明專利]一種集成電路pp膜耐濕性控制工藝在審
| 申請號： | 201910705643.9 | 申請日： | 2019-08-01 |
| 公開（公告）號： | CN110284110A | 公開（公告）日： | 2019-09-27 |
| 發明（設計）人： | 劉志勇;譚劍;馬路遙 | 申請（專利權）人： | 南通新江海動力電子有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/32 | 分類號： | C23C14/32;C23C14/10;C23C14/20;C23C14/02 |
| 代理公司： | 鄭州芝麻知識產權代理事務所(普通合伙) 41173 | 代理人： | 王越 |
| 地址： | 226300 江蘇省南通*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鍍膜 砂紙 壓強 耐濕性 集成電路 表面擠壓 斷面檢測 擠壓處理 離子涂層 耐腐蝕性 凹坑狀 低耗電 低損耗 電性能 混合膜 升溫箱 吸水性 真空箱 附著 基板 鋁膜 箱中 軟化 密布 擠壓 | ||
1.一種集成電路pp膜耐濕性控制工藝，其特征在于，包括以下步驟：
步驟一、將帶有pp膜的基板的置于升溫箱中，并提升溫度至58-69攝氏度，保持300-450s；
步驟二、轉至真空箱，真空度為25-30Pa，采用1500-2500目的砂紙對pp膜進行表面擠壓處理，擠壓壓強為35-65pa，保壓時間為20-35s；
步驟三、轉至離子涂層箱中，真空度為30-50Pa，對pp膜上的鋁層進行SiO2鍍膜，鍍膜時間為12-20s；
步驟四、然后進行離子電鍍Zn層；
步驟五、檢驗，采用激光切割，并通過顯微設備對斷層SiO2鍍膜厚度測量。
2.根據權利要求1所述的一種集成電路pp膜耐濕性控制工藝，其特征在于，根據步驟一，升溫箱中，升溫度至60攝氏度，保持320s。
3.根據權利要求1所述的一種集成電路pp膜耐濕性控制工藝，其特征在于，根據步驟二中，砂紙采用2000目，擠壓壓強為40pa。
4.根據權利要求1所述的一種集成電路pp膜耐濕性控制工藝，其特征在于，根據步驟三中，真空度為40Pa，鍍膜時間為14s。
5.根據權利要求1-4所述的一種集成電路pp膜耐濕性控制工藝，其特征在于，離子涂層箱中還可選用Si進行鍍膜或者進行Si和SiO2混合鍍膜。
6.根據權利要求5所述的一種集成電路pp膜耐濕性控制工藝，其特征在于，選取Si和SiO2的混合質量比例為1:3。
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