[發(fā)明專利]一種分層型量子點(diǎn)LED燈珠的封裝方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910704933.1 | 申請(qǐng)日: | 2019-07-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110459664B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-02-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 施高偉;李玉虎;鄭大建 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廈門(mén)多彩光電子科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L33/50 | 分類號(hào): | H01L33/50 |
| 代理公司: | 廈門(mén)荔信航知專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 35247 | 代理人: | 蘇娟 |
| 地址: | 361000 福建省廈門(mén)市火*** | 國(guó)省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 分層 量子 led 封裝 方法 | ||
1.一種分層型量子點(diǎn)LED燈珠的封裝方法,其特征在于,包括如下步驟:
(1)紅粉膠封裝工藝:
在LED燈珠的封裝支架內(nèi)點(diǎn)紅粉膠體,先后經(jīng)過(guò)低轉(zhuǎn)速離心沉淀工藝、高轉(zhuǎn)速離心沉淀工藝處理,紅粉膠體經(jīng)過(guò)沉淀離心后得到完全流平的紅粉膠層;
經(jīng)過(guò)沉淀離心的完全流平的紅粉膠層的分層型量子點(diǎn)LED燈珠半成品經(jīng)過(guò)低溫區(qū)前固化工藝;所述低溫區(qū)固化工藝為在溫度為80℃~120℃條件下處理20min~40min;
(2)綠粉膠封裝工藝:
在經(jīng)過(guò)前固化后的紅粉膠層上點(diǎn)綠粉膠體,先后經(jīng)過(guò)低轉(zhuǎn)速離心沉淀工藝、高轉(zhuǎn)速離心沉淀工藝處理,綠粉膠體經(jīng)過(guò)沉淀離心后得到完全流平的綠粉膠層;
(3)經(jīng)過(guò)沉淀離心的完全流平的綠粉膠層的分層型量子點(diǎn)LED燈珠半成品經(jīng)過(guò)固化工藝處理,形成分層型量子點(diǎn)LED燈珠成品;
所述低轉(zhuǎn)速離心沉淀工藝使得紅粉膠體均勻的流平,所述高轉(zhuǎn)速離心沉淀工藝流平的紅粉膠體把紅粉均勻的沉淀在芯片表面和四周;所述低轉(zhuǎn)速離心沉淀工藝為在離心機(jī)轉(zhuǎn)速為700r/min~1000r/min進(jìn)行離心沉淀10s~30s;所述高轉(zhuǎn)速離心沉淀工藝為在離心機(jī)轉(zhuǎn)速為1700r/min~2300r/min進(jìn)行離心沉淀50s~100s;
經(jīng)過(guò)沉淀離心的完全流平的綠粉膠層的分層型量子點(diǎn)LED燈珠半成品經(jīng)過(guò)固化工藝處理具體包括如下步驟:
低溫區(qū)烘烤和高溫區(qū)烘烤步驟,所述高溫區(qū)烘烤溫度大于150℃且小于200℃。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分層型量子點(diǎn)LED燈珠的封裝方法,其特征在于,
在本發(fā)明實(shí)施例中,所述紅粉膠體包含第一發(fā)光材料、第二發(fā)光材料、白膠,所述第一發(fā)光材料為發(fā)射峰為630nm的氮化物,所述第二發(fā)光材料為發(fā)射峰為650nm的氮化物,所述白膠為硅膠或者環(huán)氧樹(shù)膠。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的分層型量子點(diǎn)LED燈珠的封裝方法,其特征在于,
第一發(fā)光材料、第二發(fā)光材料、白膠的重量比為5:7.4:100。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分層型量子點(diǎn)LED燈珠的封裝方法,其特征在于,
所述綠粉膠包含第三發(fā)光材料、白膠,所述第三發(fā)光材料為發(fā)射峰為530nm的硅酸鹽,所述白膠為硅膠或者環(huán)氧樹(shù)膠。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的分層型量子點(diǎn)LED燈珠的封裝方法,其特征在于,
第三發(fā)光材料、白膠的重量比為121:100。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分層型量子點(diǎn)LED燈珠的封裝方法,其特征在于,
經(jīng)過(guò)沉淀離心的完全流平的綠粉膠層的分層型量子點(diǎn)LED燈珠半成品經(jīng)過(guò)固化工藝處理具體包括低溫區(qū)烘烤和高溫區(qū)烘烤步驟,所述低溫區(qū)烘烤溫度小于130℃。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件;專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備;這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的,例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件





