[發明專利]載盤的處理方法

在審

• 申請號: 201910703561.0
• 申請日: 2019-07-31
• 公開（公告）號: CN112309925A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: 夏黎明;曹志強
• 申請（專利權）人: 東泰高科裝備科技有限公司
• 主分類號: H01L21/673
• 分類號: H01L21/673;C23C14/34;C23C14/06
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 梁文惠

1.一種載盤的處理方法，特征在于，所述載盤(10)包括盤體(110)以及位于所述盤體(110)中的多個凹槽(120)，所述處理方法包括以下步驟：

去除所述載盤(10)表面的生長物質，并在除所述凹槽(120)之外的所述盤體(110)表面生長水氧吸收材料，所述水氧吸收材料用于與盤體(110)表面的氧原子結合。

2.根據權利要求1所述的處理方法，其特征在于，在去除所述載盤(10)表面的生長物質之后，將陪片(20)放置于所述凹槽(120)中，并在所述盤體(110)表面生長所述水氧吸收材料。

3.根據權利要求1所述的處理方法，其特征在于，所述水氧吸收材料包括Mo源，優選所述Mo源包括化合物和/或氰化物，且所述Mo源包括Al、Ga、As和P中的任一種或多種元素，更優選所述Mo源包括TMGa、TMAl、AsH₃和PH₃中的任一種或多種。

4.根據權利要求3所述的處理方法，其特征在于，在600～800℃的溫度下沉積所述Mo源。

5.根據權利要求4所述的處理方法，其特征在于，在所述沉積的過程中通入電子特氣，優選所述特氣為AsH₃或PH₃。

6.根據權利要求5所述的處理方法，其特征在于，在所述水氧吸收材料的厚度達到2～5μm時停止沉積并降溫至500℃，優選在所述降溫的過程中持續通入所述電子特氣。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的處理方法，其特征在于，采用熱還原工藝去除所述生長物質，優選所述熱還原工藝的溫度為800～1300℃，優選在包括氫氣和氮氣的混合氣體氛圍下進行所述熱還原工藝。

8.根據權利要求1至6中任一項所述的處理方法，其特征在于，采用濕法刻蝕工藝去除所述生長物質，優選所述濕法刻蝕工藝的腐蝕劑包括氨水、雙氧水和硫酸中的任一種或多種，優選在去除所述生長物質的步驟與生長所述水氧吸收材料的步驟之間，所述處理方法還包括對所述盤體(110)表面進行干燥處理的步驟，更優選采用真空熱風法進行所述干燥處理。

9.根據權利要求1至6中任一項所述的處理方法，其特征在于，在去除所述生長物質的步驟與生長所述水氧吸收材料的步驟之間，所述處理方法還包括對所述盤體(110)表面進行烘烤處理的步驟，優選所述烘烤處理的溫度為100～1000℃，更優選對所述盤體(110)表面進行多步烘烤處理，且所述烘烤處理的溫度逐步增加。

10.根據權利要求9所述的處理方法，其特征在于，所述烘烤處理包括以下步驟：

在90～110℃的溫度下對所述盤體(110)表面進行第一步烘烤處理，所述第一步烘烤處理的時間為1～30min；

在390～410℃的溫度下對所述盤體(110)表面進行第二步烘烤處理，所述第二步烘烤處理的時間為20～70min；

在800～1000℃的溫度下對所述盤體(110)表面進行第三步烘烤處理，所述第三步烘烤處理的時間為50～120min；

優選在500℃之前，在電子特氣氛圍下進行所述烘烤處理。

11.根據權利要求9所述的處理方法，其特征在于，采用密封或者充氮小車將所述載盤(10)周轉至烤爐中，以對所述盤體(110)表面進行烘烤處理。