[發明專利]載盤的處理方法

在審

• 申請號: 201910703561.0
• 申請日: 2019-07-31
• 公開（公告）號: CN112309925A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: 夏黎明;曹志強
• 申請（專利權）人: 東泰高科裝備科技有限公司
• 主分類號: H01L21/673
• 分類號: H01L21/673;C23C14/34;C23C14/06
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 梁文惠

本發明提供了一種載盤的處理方法。載盤包括盤體以及位于盤體中的多個凹槽，該處理方法包括以下步驟：去除載盤表面的生長物質，并在除凹槽之外的盤體表面生長水氧吸收材料，水氧吸收材料用于與盤體表面的氧原子結合。上述處理方法在去除盤體表面的生長物質之后，先在盤體表面生長水氧吸收材料，用于與盤體表面的氧原子結合，然后再放置基體進行半導體材料等生長物質的沉積或濺射，通過吸附殘余水氧，避免了現有技術中生長物質的去除工藝導致的水氧等雜質的引入，給后續生長創造一個潔凈的環境，提高了物質的生長良率，從而提高了產品的串阻升高。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，具體而言，涉及一種載盤的處理方法。

背景技術

半導體行業中，半導體器件的制備工藝通常是先將基體(襯底片)放置于腔室內的載盤上，然后在位于載盤中的基體上沉積或濺射半導體材料等生長物質，之后將制備完成的半導體器件從載盤中取出。

在上述制備過程中半導體材料等生長物質不僅形成在基體上，同時也在相應載盤上生長，在長時間生長后，需要先將舊載盤從腔室中取出并更換新載盤，然后再去除舊載盤上的生長物質，從而便于載盤的重復利用，增加產品邊緣良率。然而，在更換載盤并去除上述生長物質的過程中會引入其他物質，從而易導致產品的串阻升高。

發明內容

本發明的主要目的在于提供一種載盤的處理方法，以解決現有技術中更換載盤易導致產品串阻升高的問題。

為了實現上述目的，本發明提供了一種載盤的處理方法，載盤包括盤體以及位于盤體中的多個凹槽，處理方法包括以下步驟：去除載盤表面的生長物質，并在除凹槽之外的盤體表面生長水氧吸收材料，水氧吸收材料用于與盤體表面的氧原子結合。

進一步地，在去除載盤表面的生長物質之后，將陪片放置于凹槽中，并在盤體表面生長水氧吸收材料。

進一步地，水氧吸收材料包括Mo源，優選Mo源包括化合物和/或氰化物，且Mo源包括Al、Ga、As和P中的任一種或多種元素，更優選Mo源包括TMGa、TMAl、AsH₃和PH₃中的任一種或多種。

進一步地，在600～800℃的溫度下沉積Mo源。

進一步地，在沉積的過程中通入電子特氣，優選特氣為AsH₃或PH₃。

進一步地，在水氧吸收材料的厚度達到2～5μm時停止沉積并降溫至500℃，優選在降溫的過程中持續通入電子特氣。

進一步地，采用熱還原工藝去除生長物質，優選熱還原工藝的溫度為800～1300℃，優選在包括氫氣和氮氣的混合氣體氛圍下進行熱還原工藝。

進一步地，采用濕法刻蝕工藝去除生長物質，優選濕法刻蝕工藝的腐蝕劑包括氨水、雙氧水和硫酸中的任一種或多種，優選在去除生長物質的步驟與生長水氧吸收材料的步驟之間，處理方法還包括對盤體表面進行干燥處理的步驟，更優選采用真空熱風法進行干燥處理。

進一步地，在去除生長物質的步驟與生長水氧吸收材料的步驟之間，處理方法還包括對盤體表面進行烘烤處理的步驟，優選烘烤處理的溫度為100～1000℃，更優選對盤體表面進行多步烘烤處理，且烘烤處理的溫度逐步增加。

進一步地，烘烤處理包括以下步驟：在90～110℃的溫度下對盤體表面進行第一步烘烤處理，第一步烘烤處理的時間為1～30min；在390～410℃的溫度下對盤體表面進行第二步烘烤處理，第二步烘烤處理的時間為20～70min；在800～1000℃的溫度下對盤體表面進行第三步烘烤處理，第三步烘烤處理的時間為50～120min；優選在500℃之前，在電子特氣氛圍下進行烘烤處理。

進一步地，采用密封或者充氮小車將載盤周轉至烤爐中，以對盤體表面進行烘烤處理。