[發明專利]一種晶硅電池片鏈式堿拋光生產線以及鏈式堿拋光方法在審
| 申請號: | 201910697652.8 | 申請日: | 2019-07-30 |
| 公開(公告)號: | CN110534408A | 公開(公告)日: | 2019-12-03 |
| 發明(設計)人: | 吳章平;崔水煒 | 申請(專利權)人: | 蘇州昊建自動化系統有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司: | 11250 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 | 代理人: | 鄭越<國際申請>=<國際公布>=<進入國 |
| 地址: | 215000 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 酸洗系統 鏈式 水洗系統 拋光生產線 氫氟酸溶液 硅電池片 拋光系統 拋光 儲酸槽 種晶 晶硅太陽能電池 太陽能電池制備 環境污染問題 出料系統 烘干系統 上料系統 酸洗過程 有效解決 制備過程 封閉箱 清洗液 連通 廢水 封閉 排放 源頭 | ||
本發明涉及太陽能電池制備技術領域,具體涉及一種晶硅電池片鏈式堿拋光生產線以及鏈式堿拋光方法,鏈式堿拋光生產線包括:封閉箱,所述封閉箱內依次設有相互連通的上料系統、第一酸洗系統、第一水洗系統、第一拋光系統、第二拋光系統、第二水洗系統、第二酸洗系統、第三水洗系統、烘干系統和出料系統,所述第一酸洗系統和所述第二酸洗系統均包括儲酸槽,所述儲酸槽內裝有氫氟酸溶液,本發明還公開了一種晶硅電池片鏈式堿拋光方法。上述生產線在酸洗過程僅使用氫氟酸溶液作為清洗液,從源頭上避免了NOx的生成,且不會排放含有HNO3的廢水,能夠有效解決晶硅太陽能電池制備過程中的環境污染問題。
技術領域
本發明涉及太陽能電池制備技術領域,具體涉及一種晶硅電池片鏈式堿拋光生產線以及鏈式堿拋光方法。
背景技術
高效和低成本是現今太陽電池產業的發展方向。要提升高效太陽電池的效率,需要對其正面和背面進行區別處理。影響電池少子壽命和效率的因素之一是表面復合速度,而表面復合速度和晶硅片的正、反兩個表面的形貌、比面積和鈍化質量有關。另一個影響電池效率的因素是電池的陷光能力,陷光能力取決于正表面的折射率和背表面的反射率。因此背表面的情況會在很大程度上影響電池效率,要提高電池效率就要對電池的背表面進行優化。對背面進行優化處理的方法一般是單面濕法化學拋光,可以將硅片背表面的織構化絨面拋去,將背表面平坦化,甚至達到鏡面效果,以降低背表面的比面積。這將提升電池鈍化效果,并能夠利用鏡面反射原理增加光的背面反射率,減小光的透射損失,同時能夠改善后續沉積的金屬背電場的質量。常規工藝過程中,利用硝酸將硅片背面和邊緣氧化,形成氧化硅,氫氟酸與氧化硅反應生成絡合物六氟硅酸,從而使正面與背面絕緣,后續利用強堿的選擇性腐蝕來實現對電池背面的選擇性拋光。
例如,中國專利文獻CN109285772A公開了一種多晶硅太陽能晶硅電池片鏈式背拋光方法及其設備,該設備包括第一刻蝕裝置、第二刻蝕裝置、帶液滾輪和拋光滾輪,且裝置中使用硝酸和氫氟酸的混合溶液對硅片進行刻蝕,不僅酸的使用量較大,而且設備運行過程中會產生NOx,但現有的鏈式背拋光生產線中并沒有對NOx進行有效處理的裝置,這樣就會使得NOx對生產線和環境造成極大污染。
發明內容
因此,本發明要解決的技術問題在于克服現有技術中的晶硅電池片生產中易產生NOx,污染環境的問題,從而提供一種晶硅電池片鏈式堿拋光生產線以及鏈式堿拋光方法。
為實現上述目的,本發明提供一種晶硅電池片鏈式堿拋光生產線,包括:
封閉箱,封閉箱內依次設有相互連通的上料系統、第一酸洗系統、第一水洗系統、第一拋光系統、第二拋光系統、第二水洗系統、第二酸洗系統、第三水洗系統、烘干系統和出料系統;
第一酸洗系統和第二酸洗系統均包括儲酸槽,儲酸槽內裝有氫氟酸溶液。
優選的是,第一酸洗系統和第二酸洗系統中部均設有酸洗浸泡槽,酸洗浸泡槽上設有酸洗輸送輥,酸洗浸泡槽沿晶硅電池片輸送方向的兩端分別設有酸溢流槽,酸溢流槽和酸洗浸泡槽均與儲酸槽連接。
優選的是,第一水洗系統、第二水洗系統和第三水洗系統中部均設有水洗浸泡槽,水洗浸泡槽上設有水洗輸送輥,水洗輸送輥上設有壓水輥,壓水輥上方沿輸送方向依次設有多組噴淋裝置,水洗浸泡槽與儲水槽連接,儲水槽內裝有純水。
優選的是,上料系統中部設有上料支架,上料支架上設有上料輸送輥,上料輸送輥上沿輸送方向設有至少一排的上料規正輪。
優選的是,第一拋光系統和第二拋光系統中部均設有拋光浸泡槽,拋光浸泡槽上設有拋光輸送輥,拋光浸泡槽沿晶硅電池片輸送方向的兩端分別設有拋光液溢流槽,拋光液溢流槽下方設有回液管,回液管另一端連接有儲液系統,拋光液溢流槽遠離拋光輸送輥下側設有出液支管,出液支管進液端設有出液盒,出液盒與儲液系統連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





