[發明專利]一種晶硅電池片鏈式堿拋光生產線以及鏈式堿拋光方法在審
| 申請號: | 201910697652.8 | 申請日: | 2019-07-30 |
| 公開(公告)號: | CN110534408A | 公開(公告)日: | 2019-12-03 |
| 發明(設計)人: | 吳章平;崔水煒 | 申請(專利權)人: | 蘇州昊建自動化系統有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司: | 11250 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 | 代理人: | 鄭越<國際申請>=<國際公布>=<進入國 |
| 地址: | 215000 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 酸洗系統 鏈式 水洗系統 拋光生產線 氫氟酸溶液 硅電池片 拋光系統 拋光 儲酸槽 種晶 晶硅太陽能電池 太陽能電池制備 環境污染問題 出料系統 烘干系統 上料系統 酸洗過程 有效解決 制備過程 封閉箱 清洗液 連通 廢水 封閉 排放 源頭 | ||
1.一種晶硅電池片鏈式堿拋光生產線,其特征在于,包括:
封閉箱(1),所述封閉箱(1)內依次設有相互連通的上料系統(2)、第一酸洗系統(3)、第一水洗系統(4)、第一拋光系統(5)、第二拋光系統(6)、第二水洗系統(7)、第二酸洗系統(8)、第三水洗系統(9)、烘干系統(10)和出料系統(11);
所述第一酸洗系統(3)和所述第二酸洗系統(8)均包括儲酸槽(12),所述儲酸槽(12)內裝有氫氟酸溶液。
2.根據權利要求1所述的晶硅電池片鏈式堿拋光生產線,其特征在于,所述第一酸洗系統(3)和所述第二酸洗系統(8)中部均設有酸洗浸泡槽(13),所述酸洗浸泡槽(13)上設有酸洗輸送輥(14),所述酸洗浸泡槽(13)沿晶硅電池片輸送方向的兩端分別設有酸溢流槽(15),所述酸溢流槽(15)和所述酸洗浸泡槽(13)均與所述儲酸槽(12)連接。
4.根據權利要求1-3任一項所述的晶硅電池片鏈式堿拋光生產線,其特征在于,所述上料系統(2)中部設有上料支架(33),所述上料支架(33)上設有上料輸送輥(34),所述上料輸送輥(34)上沿輸送方向設有至少一排的上料規正輪(35)。
5.根據權利要求1-4任一項所述的晶硅電池片鏈式堿拋光生產線,其特征在于,所述第一拋光系統(5)和第二拋光系統(6)中部均設有拋光浸泡槽(36),所述拋光浸泡槽(36)上設有拋光輸送輥(37),所述拋光浸泡槽(36)沿晶硅電池片輸送方向的兩端分別設有拋光液溢流槽(38),所述拋光液溢流槽(38)下方設有回液管(39),所述回液管(39)另一端連接有儲液系統(40),所述拋光液溢流槽(38)遠離所述拋光輸送輥(37)下側設有出液支管(41),所述出液支管(41)進液端設有出液盒(43),所述出液盒(43)與儲液系統(40)連接。
6.根據權利要求5所述的晶硅電池片鏈式堿拋光生產線,其特征在于,所述儲液系統(40)包括沿晶硅電池片輸送方向依次設置的第一儲液槽(46)、第二儲液槽(47)和第三儲液槽(48),所述第一儲液槽(46)、所述第二儲液槽(47)和所述第三儲液槽(48)內分別設置有加熱器(49),所述第二儲液槽(47)內設有溫度傳感器(50),所述第一儲液槽(46)、所述第二儲液槽(47)和所述第三儲液槽(48)內均裝有氫氧化鉀溶液。
7.根據權利要求1-6任一項所述的晶硅電池片鏈式堿拋光生產線,其特征在于,所述烘干系統(10)中部設有烘干支架(51),所述烘干支架(51)上設有烘干輸送輥(52),所述烘干輸送輥(52)上下兩側對稱位置設有一對熱風刀(53)。
8.根據權利要求1-7任一項所述的晶硅電池片鏈式堿拋光生產線,其特征在于,所述出料系統(11)中部設有出料支架(56),所述出料支架(56)上設有出料輸送輥(57),所述出料輸送輥(57)上沿輸送方向設有至少一排的出料規正輪(58),所述出料支架(56)末端設有出料槽(59)。
9.一種晶硅電池片鏈式堿拋光方法,其特征在于,包括以下步驟:
(a)將擴散后的晶硅電池片正面噴水形成水膜保護層;
(b)將晶硅電池片四周以及背面與氫氟酸溶液接觸去除晶硅四周以及背面的氧化層;
(c)將晶硅電池片四周以及背面用水浸泡,正面用水淋洗;
(d)將經步驟(c)處理后的晶硅電池片的四周及背面與氫氧化鉀溶液接觸進行腐蝕拋光后;
(e)重復步驟(c);
(f)將經步驟(e)處理后的晶硅電池片用氫氟酸進行清洗,去磷硅玻璃;
(g)重復步驟(c);
(h)將經步驟(g)處理后的晶硅電池片烘干后得到堿拋光過的晶硅電池片。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





