[發(fā)明專利]一種去除污水中抗生素抗性基因和抗性菌的氧化方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910694816.1 | 申請日： | 2019-07-30 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111792719A | 公開（公告）日： | 2020-10-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 曹廣麗;周春爽;武繼文;劉冰峰;武秀坤;王琪 | 申請（專利權(quán)）人： | 哈爾濱工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | C02F1/72 | 分類號(hào)： | C02F1/72;C02F1/32;C02F101/30 |
| 代理公司： | 哈爾濱市陽光惠遠(yuǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 23211 | 代理人： | 田鴻儒 |
| 地址： | 150001 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 去除 污水 抗生素 抗性 基因 氧化 方法 | ||
1.一種去除污水中抗生素抗性基因和抗性菌的氧化方法，其特征在于：步驟為：取污水，加入氧化劑，紫外線照射處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去除污水中抗生素抗性基因和抗性菌的氧化方法，其特征在于：所述污水為污水處理廠的二級(jí)出水。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去除污水中抗生素抗性基因和抗性菌的氧化方法，其特征在于：所述氧化劑能被紫外線激活產(chǎn)生具有強(qiáng)氧化能力的自由基。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的去除污水中抗生素抗性基因和抗性菌的氧化方法，其特征在于：所述氧化劑過二硫酸鹽(PDS)為過二硫酸鉀。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的去除污水中抗生素抗性基因和抗性菌的氧化方法，其特征在于：所述氧化劑過一硫酸鹽(PMS)為過一硫酸氫鉀。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的去除污水中抗生素抗性基因和抗性菌的氧化方法，其特征在于：所述PDS作為氧化劑，加入量為使其在所述污水中的最終濃度為0.1～2mmol/L。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的去除污水中抗生素抗性基因和抗性菌的氧化方法，其特征在于：所述PMS作為氧化劑，加入量為使其在所述污水中的最終濃度為0.1～2mmol/L。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的去除污水中抗生素抗性基因和抗性菌的氧化方法，其特征在于：所述紫外線照射處理，使用裝置為波長為254nm的紫外燈。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的去除污水中抗生素抗性基因和抗性菌的氧化方法，其特征在于：所述紫外線照射處理，UV強(qiáng)度為16～36uw/cm2。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的去除污水中抗生素抗性基因和抗性菌的氧化方法，其特征在于：所述照射處理，處理時(shí)間為1～60min。
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