[發明專利]攝像面板及其制造方法

在審

• 申請號: 201910693584.8
• 申請日: 2019-07-30
• 公開（公告）號: CN110797357A
• 公開（公告）日: 2020-02-14
• 發明（設計）人: 美崎克紀
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 44334 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司
• 代理人: 郝家歡

攝像面板在基板的一面側包括光電轉換層(15)。另外，攝像面板包括：電極(14b)，其與光電轉換層(15)的一個面連接；偏置布線(16)，其與電極(14b)連接；以及保護膜(17)，其由對含有氫氟酸的蝕刻劑具有耐蝕性的材料構成，且覆蓋偏置布線(16)的側面。

技術領域

本發明涉及攝像面板及其制造方法。

背景技術

已知利用具備多個像素部的攝像面板拍攝X射線圖像的X射線攝像裝置。在這樣的X射線攝像裝置中，例如，作為光電轉換元件使用PIN(p-intrinsic-n：p型-本征-n型)光電二極管，PIN光電二極管將所照射的X射線轉換為電荷。轉換得到的電荷通過使像素部具備的薄膜晶體管(Thin Film Transistor：以下也稱為“TFT”。)工作而被讀出，并基于所讀出的電荷獲得X射線圖像。日本特開2014-078651號公報中公開了使用這樣的PIN光電二極管的光電轉換元件陣列單元。

發明內容

本發明所要解決的技術問題

然而，在PIN光電二極管的負極連接偏置布線，經由偏置布線向負極施加偏置電壓。若偏置布線的電阻高，則無法對PIN光電二極管適當地施加偏置電壓，作為X傳感器的性能降低。作為偏置布線高電阻化的要因，考慮在制作攝像面板的工序中偏置布線變得比希望的布線寬度細的情況。也就是說，例如在形成偏置布線后的工序中，在偏置布線暴露在氫氟酸等中且偏置布線的材料對氫氟酸等不具有耐蝕性的情況下，偏置布線被氫氟酸等蝕刻，容易使得布線寬度變細、布線電阻升高。

解決問題的方案

鑒于上述課題提出的攝像面板包括：基板；光電轉換層，其設置在所述基板的一面側；電極，其與所述光電轉換層的一個面接觸；偏置布線，其與所述電極連接；以及保護膜，其由對含有氫氟酸的蝕刻劑具有耐蝕性的材料構成，覆蓋所述偏置布線的側面。

發明效果

根據上述構成，能夠適當地向光電轉換元件施加偏置電壓。

附圖說明

圖1是表示第一實施方式中的X射線攝像裝置的示意圖。

圖2是表示圖1所示的攝像面板的概略構成的示意圖。

圖3是將圖2所示的攝像面板的一個像素部分放大的俯視圖。

圖4是以A-A線剖切圖3所示的像素的剖視圖。

圖5是圖4中的虛線框部分的放大圖。

圖6A是表示圖4所示的攝像面板的制造工序，是在在基板上形成柵極絕緣膜和TFT并形成第一絕緣膜的工序的剖視圖。

圖6B是表示形成圖6A所示的第一絕緣膜的開口的工序的剖視圖。

圖6C是表示在圖6B中的第一絕緣膜上形成第二絕緣膜的工序的剖視圖。

圖6D是表示形成圖6C所示的第二絕緣膜的開口的工序的剖視圖。

圖6E是表示在圖6D中的第二絕緣膜上形成作為下部電極的金屬膜的工序的剖視圖。

圖6F是表示對圖6E中的作為下部電極的金屬膜進行蝕刻而形成下部電極的工序的剖視圖。

圖6G是表示形成覆蓋圖6F所示的金屬膜的n型非晶質半導體層、本征非晶質半導體層及p型非晶質半導體層的工序的剖視圖。

圖6H是表示使圖6G中的n型非晶質半導體層、本征非晶質半導體層及p型非晶質半導體層圖案化而形成光電轉換層的工序的剖視圖。

圖6I是表示形成覆蓋圖6H中的光電轉換層的第三絕緣膜的工序的剖視圖。

圖6J是表示形成圖6I中的第三絕緣膜的開口的工序的剖視圖。