[發明專利]攝像面板及其制造方法在審
| 申請號: | 201910693584.8 | 申請日: | 2019-07-30 |
| 公開(公告)號: | CN110797357A | 公開(公告)日: | 2020-02-14 |
| 發明(設計)人: | 美崎克紀 | 申請(專利權)人: | 夏普株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 44334 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 | 代理人: | 郝家歡 |
| 地址: | 日本國大*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光電轉換層 攝像面板 電極 布線 偏置 保護膜 面連接 耐蝕性 氫氟酸 蝕刻劑 基板 側面 覆蓋 | ||
1.一種攝像面板,其特征在于,包括:
基板;
光電轉換層,其設置在所述基板的一面側;
電極,其與所述光電轉換層的一個面接觸;
偏置布線,其與所述電極連接;以及
保護膜,其由對含有氫氟酸的蝕刻劑具有耐蝕性的材料構成,且覆蓋所述偏置布線的側面。
2.根據權利要求1所述的攝像面板,其特征在于,
所述偏置布線配置于在俯視觀察時與所述光電轉換層不重疊的位置處。
3.根據權利要求1或2所述的攝像面板,其特征在于,
所述偏置布線由多個金屬膜層疊構成,
所述多個金屬膜中的設置為最表面的金屬膜由對所述氫氟酸具有耐蝕性的材料構成。
4.根據權利要求1或2所述的攝像面板,其特征在于,
所述保護膜使用半導體材料構成。
5.根據權利要求1或2所述的攝像面板,其特征在于,
所述保護膜由無機絕緣膜構成。
6.根據權利要求1或2所述的攝像面板,其特征在于,
還包括絕緣膜,其以在所述光電轉換層處具有開口的方式覆蓋所述光電轉換層,
所述電極具有透光性并在所述開口處與所述光電轉換層接觸,
所述偏置布線與所述絕緣膜相比設置在上層。
7.一種攝像面板的制造方法,其特征在于,包括:
在基板的一面側形成光電轉換層的工序;
形成與所述光電轉換層的一個面接觸的電極的工序;
形成與所述電極連接的偏置布線的工序;以及
使用對含有氫氟酸的蝕刻劑具有耐蝕性的材料形成覆蓋所述偏置布線的側面的保護膜的工序。
8.根據權利要求7所述的攝像面板的制造方法,其特征在于,
形成所述電極的工序在形成所述保護膜的工序之后進行,
還包括在形成所述保護膜的工序之后且在形成所述電極的工序之前,為了去除所述光電轉換層表面的附著物而進行使用了氫氟酸的清洗處理的工序。
9.根據權利要求8所述的攝像面板的制造方法,其特征在于,還包括:
在形成所述光電轉換層后形成覆蓋所述光電轉換層的絕緣膜的工序;
在所述絕緣膜上,在俯視觀察時與所述光電轉換層重疊的位置處形成第一開口的工序;
形成覆蓋所述絕緣膜的平坦化膜的工序;以及
在所述平坦化膜上,在俯視觀察時與所述第一開口重疊的位置處形成第二開口的工序,
所述電極由具有透光性的導電材料構成,經由所述第一開口及所述第二開口與所述光電轉換層連接,
所述偏置布線由金屬材料構成,在所述平坦化膜上形成于在俯視觀察時與所述光電轉換層不重疊的位置處。
10.根據權利要求9所述的攝像面板的制造方法,其特征在于,
形成所述第一開口的工序在形成所述保護膜的工序之后且在形成所述電極的工序之前進行,使用含有氫氟酸的蝕刻劑對所述第三絕緣膜進行蝕刻。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





