[發(fā)明專利]具有二極管和硅控制整流器布置的半導體放電防護裝置

在審

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• 申請日: 2019-07-29
• 公開（公告）號: CN112310066A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發(fā)明（設計）人: 謝明峰;林志鈞;潘之昊
• 申請（專利權）人: 力特半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/82;H01L29/36
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 方丁一

本發(fā)明題為“具有二極管和硅控制整流器布置的半導體放電防護裝置”。本公開的各個方面包括一個或多個半導體靜電放電防護裝置。至少一個實施方案包括具有一個或多個指狀物的半導體靜電放電裝置，該一個或多個指狀物被劃分成具有交替的p擴散區(qū)和n擴散區(qū)的兩個區(qū)段，其中每個區(qū)域與二極管和/或硅控制整流器(SCR)的一部分中的至少一者相關聯(lián)。

技術領域

實施方案涉及半導體器件的領域，并且具體地講涉及靜電放電防護裝置。

背景技術

電涌諸如電超壓或靜電放電(ESD)瞬態(tài)脈沖是電子設備損壞的常見原因。為了防止此類瞬態(tài)電涌，通常由電涌防護裝置或ESD防護裝置保護電子裝置。此類裝置提供對電超壓或靜電放電的保護，并且通常用于便攜式/消費電子設備，諸如個人計算機，音頻和視頻設備或移動電話。此類設備還可用于此類便攜式/消費電子設備中使用的數(shù)據(jù)傳輸線或數(shù)據(jù)接口。根據(jù)國際電工委員會標準IEC 61000-4-2(也稱為“槍測試”)，此類設備應受到保護，以防止高達8kV的系統(tǒng)級ESD應力。

然而，便攜式/消費電子設備的原始設備制造商(OEM)已開始需要高達15kV放電的保護。為了實現(xiàn)增強的保護水平，ESD設備可簡單地變得更大。然而，較大的設備導致設備電容增加。便攜式/消費電子設備必須根據(jù)IEC標準被充分保護免于ESD事件，同時不妨礙設備的正常操作。在具有高速接口(諸如通用串行總線(USB)或高清晰度多媒體接口(HDMI))的應用中，ESD設備必須具有低設備電容，使得保持沿數(shù)據(jù)傳輸線或數(shù)據(jù)接口處的信號完整性。

鑒于以上所述，提供了本發(fā)明的實施方案。

發(fā)明內容

至少一個實施方案包括半導體靜電放電防護裝置。靜電放電防護裝置可包括：多個半導體控制整流器和多個二極管，其中多個半導體整流器和多個二極管整體地布置成至少兩個指狀物，其中每個指狀物包括沿著半導體表面的表面的至少兩個區(qū)段，其中該至少兩個區(qū)段中的每一個區(qū)段和該至少兩個指狀物中的每一個指狀物相對于彼此處于交替的二極管-整流器布置中。

另一個實施方案包括半導體靜電放電防護裝置。靜電放電防護裝置可包括：多個半導體控制整流器和多個二極管，其中多個半導體整流器和多個二極管整體地布置成至少兩個指狀物，其中每個指狀物包括沿著半導體表面的表面的至少兩個區(qū)段，其中該至少兩個區(qū)段中的每一個區(qū)段和該至少兩個指狀物中的每一個指狀物相對于彼此處于交替的二極管-整流器布置中，其中該至少兩個區(qū)段中的每一個區(qū)段被擴散區(qū)的一部分分隔。

另一個實施方案包括半導體靜電放電防護裝置。靜電放電防護裝置可包括：多個半導體控制整流器和多個二極管，其中多個半導體整流器和多個二極管整體地布置成至少兩個指狀物，其中每個指狀物包括沿著半導體表面的表面的至少兩個區(qū)段，其中該至少兩個區(qū)段中的每一個區(qū)段和該至少兩個指狀物中的每一個指狀物相對于彼此處于交替的二極管-整流器布置中，其中該至少兩個區(qū)段中的每一個區(qū)段被擴散區(qū)的一部分分隔，其中多個二極管中的至少一個二極管為p-n二極管。

另一個實施方案包括半導體靜電放電防護裝置。靜電放電防護裝置可包括：多個半導體控制整流器和多個二極管，其中多個半導體整流器和多個二極管整體地布置成至少兩個指狀物，其中每個指狀物包括沿著半導體表面的表面的至少兩個區(qū)段，其中該至少兩個區(qū)段中的每一個區(qū)段和該至少兩個指狀物中的每一個指狀物相對于彼此處于交替的二極管-整流器布置中，其中兩個指狀物中的至少一個指狀物包括p型阱，該p型阱具有第一p型擴散區(qū)和第一n型擴散區(qū)，并且其中第一p型區(qū)為交錯的并且將兩個區(qū)段中的至少一個區(qū)段劃分與兩個指狀物中的至少一個指狀物相關聯(lián)的兩個部分。