[發明專利]具有二極管和硅控制整流器布置的半導體放電防護裝置

在審

• 申請號: 201910692287.1
• 申請日: 2019-07-29
• 公開（公告）號: CN112310066A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: 謝明峰;林志鈞;潘之昊
• 申請（專利權）人: 力特半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/82;H01L29/36
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 方丁一

1.一種半導體靜電放電防護裝置，包括：

多個半導體控制整流器；和

多個二極管，其中所述多個半導體整流器和所述多個二極管整體地布置成至少兩個指狀物，其中每個指狀物包括沿著半導體表面的表面的至少兩個區段，其中所述至少兩個區段中的每一個區段和所述至少兩個指狀物中的每一個指狀物相對于彼此處于交替的二極管-整流器布置中。

2.根據權利要求1所述的半導體靜電放電防護裝置，其中所述至少兩個區段中的每一個區段被擴散區的一部分分隔。

3.根據權利要求1所述的半導體靜電放電防護裝置，其中所述多個二極管中的至少一個二極管為p-n二極管。

4.根據權利要求1所述的半導體靜電放電防護裝置，其中所述兩個指狀物中的至少一個指狀物包括p型阱，所述p型阱具有第一p型擴散區和第一n型擴散區，并且其中所述第一p型區為交錯的并且將所述兩個區段中的所述至少一個區段劃分成與所述兩個指狀物中的所述至少一個指狀物相關聯的兩個部分。

5.根據權利要求4所述的半導體靜電放電防護裝置，其中所述至少兩個指狀物中的另一個指狀物包括n型阱，所述n型阱具有第二n型擴散區和第二p型擴散區，并且其中所述第二n型區為交錯的并且將所述兩個區段中的所述至少一個區段劃分成與所述兩個指狀物中的所述至少一個指狀物相關聯的兩個部分。

6.一種半導體靜電放電防護裝置，包括：

多個半導體控制整流器；和

多個二極管，其中所述多個半導體整流器和所述多個二極管整體地布置成至少三個指狀物，其中每個指狀物包括沿著半導體表面的表面的至少三個區段，其中所述至少三個區段中的每一個區段和所述至少三個指狀物中的每一個指狀物相對于彼此處于交替的二極管-整流器布置中。

7.根據權利要求6所述的半導體靜電放電防護裝置，其中所述多個二極管中的至少一個二極管為p-n二極管。

8.根據權利要求6所述的半導體靜電放電防護裝置，其中所述三個指狀物中的至少一個指狀物包括p型阱，所述p型阱具有第一p型擴散區、第二p型擴散區、第三p型擴散區、第一n型擴散區、第二n型擴散區和第三n型擴散區。

9.根據權利要求8所述的半導體靜電放電防護裝置，其中所述三個指狀物中的所述至少一個指狀物的另一個指狀物包括n型阱，所述n型阱具有第四p型擴散區、第五p型擴散區、第六p型擴散區、第四n型擴散區、第四n型擴散區和第六n型擴散區。

10.根據權利要求9所述的半導體靜電放電防護裝置，每個p型擴散區對于相對于所述至少三個指狀物中的每一個指狀物的n型擴散區中的每一個n型擴散區是交替的。

11.一種用于形成半導體靜電放電防護裝置的方法，包括：

提供半導體基板；

沿著半導體基板橫向布置多個半導體指狀物，使得所述多個半導體指狀物中的至少四個半導體指狀物形成硅控制整流器，并且所述多個半導體指狀物中的所述至少四個半導體指狀物中的至少兩個半導體指狀物形成二極管，其中所述多個半導體指狀物中的至少四個半導體指狀物中的每一個半導體指狀物具有交替的n擴散和p擴散布置。