[發(fā)明專利]包含電源結(jié)構(gòu)的集成電路在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910690002.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-07-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110783307A | 公開(公告)日: | 2020-02-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 彭士瑋;曾健庭;林威呈 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/50 | 分類號(hào): | H01L23/50;H01L27/02 |
| 代理公司: | 11006 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 徐金國(guó) |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新竹市*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電力軌 第一金屬層 導(dǎo)電連接 導(dǎo)電區(qū)段 電力墊 埋入 通孔 功能電路 集成電路 第二金屬層 電源結(jié)構(gòu) 覆蓋基板 拾取單元 垂直 覆蓋 | ||
一種包含電源結(jié)構(gòu)的集成電路包含位于覆蓋基板的第一金屬層之下的兩個(gè)埋入電力軌、以及在覆蓋第一金屬層的第二金屬層中的兩個(gè)上部電力軌。兩個(gè)上部電力軌垂直于兩個(gè)埋入電力軌。集成電路包含具有功能電路的電力拾取單元。功能電路包含在第一金屬層之下的導(dǎo)電區(qū)段以及第一金屬層中的電力墊。電力墊經(jīng)由第一通孔導(dǎo)電連接到一個(gè)上部電力軌。第一電力墊經(jīng)由第二通孔導(dǎo)電連接到第一導(dǎo)電區(qū)段。第一導(dǎo)電區(qū)段經(jīng)由第三通孔導(dǎo)電連接到一個(gè)埋入電力軌。
技術(shù)領(lǐng)域
本案是關(guān)于一種集成電路,特別是一種包含電源結(jié)構(gòu)的集成電路。
背景技術(shù)
微型化集成電路(IC)的近期趨勢(shì)已經(jīng)導(dǎo)致元件變小,這些元件消耗更少電力,仍以更高的速度提供更多功能。微型化過程亦導(dǎo)致對(duì)集成電路布局設(shè)計(jì)的更嚴(yán)格限制。在集成電路的布局設(shè)計(jì)期間,通常放置及路由標(biāo)準(zhǔn)單元以形成功能電路。在一些布局設(shè)計(jì)中,埋入電力軌用于向標(biāo)準(zhǔn)單元提供電力,并且各種電力結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)可以用于將電力從對(duì)應(yīng)的電源帶到埋入電力軌。
發(fā)明內(nèi)容
在一個(gè)實(shí)施例中,提供一種具有連接埋入電源軌的拾取單元的電源結(jié)構(gòu)的集成電路。該集成電路,其特征在于,包含基板、覆蓋基板的第一金屬層、以及均在第一方向上延伸且定位在第一金屬層之下的第一埋入電力軌及第二埋入電力軌。集成電路包含覆蓋第一金屬層的第二金屬層、各者在第二金屬層中并且在垂直于第一方向的方向上延伸的第一上部電力軌及第二上部電力軌、以及具有功能電路的電力拾取單元。功能電路包含位于第一金屬層之下的第一導(dǎo)電區(qū)段以及第一金屬層中的第一電力墊。第一電力墊經(jīng)由在第二金屬層與第一金屬層之間的至少一第一通孔導(dǎo)電連接到第一上部電力軌,并且第一電力墊經(jīng)由在第一金屬層與第一導(dǎo)電區(qū)段之間的至少一第二通孔導(dǎo)電連接到第一導(dǎo)電區(qū)段。第一導(dǎo)電區(qū)段經(jīng)由在第一導(dǎo)電區(qū)段與第一埋入電力軌之間的至少一第三通孔導(dǎo)電連接到第一埋入電力軌。
附圖說明
當(dāng)結(jié)合隨附附圖閱讀時(shí),自以下詳細(xì)描述將很好地理解本揭示的態(tài)樣。應(yīng)注意,根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)務(wù),各個(gè)特征并非按比例繪制。事實(shí)上,出于論述清晰的目的,可任意增加或減小各個(gè)特征的尺寸:
圖1A是根據(jù)一實(shí)施例所繪示用于IC電路的局部布局的示意圖;
圖1B至圖1C以及圖1Bx至圖1Cx是根據(jù)一些實(shí)施例所繪示電力拾取單元的平面圖及對(duì)應(yīng)橫截面圖;
圖2A是根據(jù)一實(shí)施例所繪示具有另一布置的電力拾取單元的IC電路的局部布局的示意圖;
圖2B至圖2C以及圖2Bx至圖2Cx是根據(jù)一些實(shí)施例所繪示鄰接電力拾取單元的一些部分的平面圖及對(duì)應(yīng)橫截面圖;
圖2D是根據(jù)一實(shí)施例所繪示鄰接電力拾取單元的一些部分的透視圖;
圖3是根據(jù)一實(shí)施例包含用額外功能實(shí)施的電力拾取單元的局部布局示意圖;
圖4A至圖4D是根據(jù)一實(shí)施例所繪示具有反相器的邏輯功能的電力拾取單元的示意圖;
圖5A至圖5D是根據(jù)一實(shí)施例所繪示具有緩沖器的邏輯功能的電力拾取單元的示意圖;
圖6是根據(jù)一實(shí)施例所繪示包含用額外功能實(shí)施的電力拾取單元的局部布局的示意圖;
圖7A至圖7D是根據(jù)一實(shí)施例所繪示具有NAND門的邏輯功能的電力拾取單元的示意圖;
圖8A至圖8D是根據(jù)一實(shí)施例所繪示具有NOR門的邏輯功能的電力拾取單元的示意圖;
圖9及圖10中的各者根據(jù)一些實(shí)施例圖示包含用額外功能實(shí)施的電力拾取單元的局部布局的示意圖;
圖11A至圖11D是根據(jù)一實(shí)施例所繪示具有反相器的邏輯功能的電力拾取單元的示意圖;
圖12是根據(jù)一實(shí)施例所繪示具有拉高電路的邏輯功能的電力拾取單元的示意圖;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司,未經(jīng)臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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