[發明專利]一種微型發光二極管陣列顯示背板及其制造方法在審
| 申請號: | 201910687617.8 | 申請日: | 2019-07-29 |
| 公開(公告)號: | CN110444547A | 公開(公告)日: | 2019-11-12 |
| 發明(設計)人: | 黃安;高威;朱充沛;張有為;張惟誠 | 申請(專利權)人: | 南京中電熊貓平板顯示科技有限公司;南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司;南京華東電子信息科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 210033 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 微型發光二極管 背板 固化 陣列顯示 轉移層 底部電極 金屬 襯底 共晶鍵合 加熱熔融 陣列排布 鍵合 制程 制造 | ||
本發明提出一種微型發光二極管陣列顯示背板及其制造方法,涉及微型發光二極管的技術領域,微型發光二極管陣列顯示背板包括:顯示背板襯底;位于顯示背板襯底上且呈陣列排布的多條底部電極;位于底部電極上的金屬固化轉移層;以及位于金屬固化轉移層內的微型發光二極管。本發明利用金屬固化轉移層加熱熔融、降溫固化的特點更好的鍵合微型發光二極管實現巨量轉移,省去了共晶鍵合的制程。
技術領域
本發明屬于微型發光二極管的技術領域,具體涉及一種微型發光二極管陣列顯示背板及其制造方法。
技術背景
隨著顯示行業的蓬勃發展,Micro LED(微型發光二極管)作為新一代顯示技術已經登上時代舞臺,Micro LED比現有的OLED以及LCD技術亮度更高、功耗更低、發光效率更好、壽命更長,但是目前Micro LED依然存在很多待解決的難題,不論是制程技術、檢查標準,或者是生產制造成本,都與量產和商業應用有著很大的距離,而其中一個最主要的挑戰,就是如何將巨量的Micro LED器件(微型器件)植入目標基板或是電路上,以降低其制造成本,而此環節被稱為巨量轉移。
要達成巨量轉移的原理其實很簡單,就是對Micro LED晶粒產生一個作用力使其精確的被吸附起來,然后將其轉移到目標背板上,再精確的釋放。在利用膠黏附性吸頭對Micro LED進行轉移并放置在顯示背板或目標電路的過程中,由于膠的黏附性較強且難以控制,將通過膠黏附的Micro LED放置在顯示背板或目標電路比較困難,這導致微型器件轉移的成功率較低。
現有技術中Micro LED巨量轉移采用黏附性膠吸頭對微型器件進行吸附,其利用的就是膠的黏附性。在基板襯底設置陣列設置的多個高臺結構,在每個高臺結構上形成具有一定高度的黏附性膠,通過膠的黏附性對微型器件實施巨量轉移。
在轉移過程中,微型器件離開位于暫態基板上的緩沖層并被轉移至顯示背板上,為了防止Micro LED與顯示背板之間鍵合的不夠緊密而導致的脫落,還需要對Micro LED與顯示背板進行共晶鍵合制程。
發明內容
本發明提供一種微型發光二極管陣列顯示背板及其制造方法,通過在微型發光二極管陣列顯示背板的底部電極上方形成一層有一定厚度的金屬固化轉移層,利用金屬固化轉移層加熱熔融、降溫固化的特點更好的鍵合微型發光二極管實現巨量轉移,省去了共晶鍵合的制程。
本發明的技術方案如下:
本發明公開了一種微型發光二極管陣列顯示背板,包括:顯示背板襯底;位于顯示背板襯底上且呈陣列排布的多條底部電極;位于底部電極上的金屬固化轉移層;以及位于金屬固化轉移層內的微型發光二極管。
優選地,所述微型發光二極管從上至下包括:N型摻雜半導體、多層量子阱、P型摻雜半導體以及金屬電極。
優選地,所述微型發光二極管還包括位于金屬電極下的金屬固化層。
優選地,所述金屬固化轉移層的高度不超過多層量子阱的高度。
優選地,所述金屬固化轉移層的熔點低于底部電極的熔點,所述金屬固化轉移層為單質金屬或合金。
本發明還公開了一種微型發光二極管陣列顯示背板的制造方法,包括以下步驟:
S1:在顯示背板襯底上形成陣列排布的多條底部電極;
S2:在底部電極上形成金屬固化轉移層;
S3:采用轉移吸頭將微型發光二極管轉移并固定在金屬固化轉移層上;
S4:分離轉移吸頭與微型發光二極管。
優選地,所述步驟S2具體包括以下步驟:
S21:在步驟S1的基礎上進行涂膠、曝光和顯影,在顯示背板襯底上形成位于相鄰底部電極之間的第一光阻;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





