[發(fā)明專利]一種微型發(fā)光二極管陣列顯示背板及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910687617.8 | 申請日: | 2019-07-29 |
| 公開(公告)號: | CN110444547A | 公開(公告)日: | 2019-11-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃安;高威;朱充沛;張有為;張惟誠 | 申請(專利權(quán))人: | 南京中電熊貓平板顯示科技有限公司;南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司;南京華東電子信息科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 210033 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 微型發(fā)光二極管 背板 固化 陣列顯示 轉(zhuǎn)移層 底部電極 金屬 襯底 共晶鍵合 加熱熔融 陣列排布 鍵合 制程 制造 | ||
1.一種微型發(fā)光二極管陣列顯示背板,其特征在于,包括:
顯示背板襯底;
位于顯示背板襯底上且呈陣列排布的多條底部電極;
位于底部電極上的金屬固化轉(zhuǎn)移層;
以及位于金屬固化轉(zhuǎn)移層內(nèi)的微型發(fā)光二極管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管,其特征在于,所述微型發(fā)光二極管從上至下包括:N型摻雜半導(dǎo)體、多層量子阱、P型摻雜半導(dǎo)體以及金屬電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微型發(fā)光二極管,其特征在于,所述微型發(fā)光二極管還包括位于金屬電極下的金屬固化層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的微型發(fā)光二極管,其特征在于,所述金屬固化轉(zhuǎn)移層的高度不超過多層量子阱的高度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管,其特征在于,所述金屬固化轉(zhuǎn)移層的熔點(diǎn)低于底部電極的熔點(diǎn),所述金屬固化轉(zhuǎn)移層為單質(zhì)金屬或合金。
6.一種微型發(fā)光二極管陣列顯示背板的制造方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1:在顯示背板襯底上形成陣列排布的多條底部電極;
S2:在底部電極上形成金屬固化轉(zhuǎn)移層;
S3:采用轉(zhuǎn)移吸頭將微型發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移并固定在金屬固化轉(zhuǎn)移層上;
S4:分離轉(zhuǎn)移吸頭與微型發(fā)光二極管。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的微型發(fā)光二極管陣列顯示背板的制造方法,其特征在于,所述步驟S2具體包括以下步驟:
S21:在步驟S1的基礎(chǔ)上進(jìn)行涂膠、曝光和顯影,在顯示背板襯底上形成位于相鄰底部電極之間的第一光阻;
S22:在上述步驟S21的基礎(chǔ)上采用鍍膜方式形成一層金屬固化轉(zhuǎn)移層;
S23:在上述步驟S22的基礎(chǔ)上采用剝離工藝除去第一光阻以及位于第一光阻上的金屬固化轉(zhuǎn)移層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的微型發(fā)光二極管陣列顯示背板的制造方法,其特征在于,所述步驟S3具體包括以下步驟:
S31:微型發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移至金屬固化轉(zhuǎn)移層上并使微型發(fā)光二極管與金屬固化轉(zhuǎn)移層緊密貼合;
S32:轉(zhuǎn)移吸頭和微型發(fā)光二極管陣列顯示背板加熱至金屬固化轉(zhuǎn)移層熔融;
S33:轉(zhuǎn)移吸頭將微型發(fā)光二極管壓入金屬固化轉(zhuǎn)移層內(nèi);
S34:微型發(fā)光二極管陣列顯示背板的溫度降至室溫使微型發(fā)光二極管固定在金屬固化轉(zhuǎn)移層上。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的微型發(fā)光二極管陣列顯示背板的制造方法,其特征在于,所述微型發(fā)光二極管底部還包括一層金屬固化層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的微型發(fā)光二極管陣列顯示背板的制造方法,其特征在于,所述步驟S3具體包括以下步驟:
S31:微型發(fā)光二極管轉(zhuǎn)移至金屬固化轉(zhuǎn)移層上并使微型發(fā)光二極管與金屬固化轉(zhuǎn)移層緊密貼合;
S32:轉(zhuǎn)移吸頭和微型發(fā)光二極管陣列顯示背板加熱至金屬固化轉(zhuǎn)移層和金屬固化層熔融;
S33:轉(zhuǎn)移吸頭將微型發(fā)光二極管壓入金屬固化轉(zhuǎn)移層內(nèi);
S34:微型發(fā)光二極管陣列顯示背板的溫度降至室溫使微型發(fā)光二極管固定在金屬固化轉(zhuǎn)移層上。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于南京中電熊貓平板顯示科技有限公司;南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司;南京華東電子信息科技股份有限公司,未經(jīng)南京中電熊貓平板顯示科技有限公司;南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司;南京華東電子信息科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910687617.8/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:驅(qū)動背板及其制造方法
- 下一篇:像素結(jié)構(gòu)
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





